高/低溫存儲HTSL/LTSL-環境老化試驗
西安長禾半導體技術有限公司（簡稱“長禾實驗室”），位于中國西部科技創新高地——西安市，專注于功率半導體器件檢測與驗證。
作為國家認可委員會（CNAS）正式認證的大功率器件測試服務中心，長禾實驗室嚴格遵循國際標準，致力于為國內外客戶提供一站式專業測試服務。實驗室配備功率半導體測試設備和自動化測試平臺，全面覆蓋IGBT、MOSFET、二極管、晶閘管等核心功率器件的參數驗證、可靠性評估和失效分析。憑借技術實力和創新能力，已成長為國內少數具備全鏈條功率器件測試、篩選及老化服務的機構之一。業務涵蓋了軌道交通、新能源發電（風電、光伏）、新能源汽車、國防、工業控制、科研機構等多個領域，為中國核心產業鏈提供堅實的技術保障。
完善的基礎設施和優秀團隊一直是實驗室強化的重點，實驗室核心團隊研究生占比70%以上，具備深厚的學術背景和豐富的行業經驗。在質量控制方面，實驗室建立了完善的質量管理體系，嚴格執行實驗室管理標準。每個測試項目均建立了詳細的作業指導書，確保測試過程的標準化和可追溯性，數據的準確性和可靠性。
長禾實驗室秉持“嚴謹求實、精益求精”的企業精神，致力于推動中國功率半導體產業鏈的高質量發展，助力打造具備競爭力的半導體生態系統。未來，長禾實驗室將繼續發揮技術和資源優勢，立足西安，努力成長為優秀功率半導體測試與驗證服務平臺，助力中國“芯”騰飛。
高溫存儲試驗（HTSL）
執行標準：MIL-STD-750，GB/T 2423.2-2008、GJB548、 ；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產品；
試驗能力：溫度 220℃；
低溫存儲試驗（LTSL）
執行標準：GJB548、GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 ；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產品；
試驗能力：溫度 -70℃。
高低溫循環試驗（TC）
執行標準：GJB548、GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 ；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產品；
試驗能力：溫度范圍：-40℃~175℃。
溫度沖擊試驗
執行標準：GJB548、GJB 150-86、GB 2423、MIL-STD-810H、IEC60068-2-14；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產品；
試驗能力：溫度范圍：-70℃~220℃。
高溫蒸煮試驗（PCT）
執行標準：GB/T 4937.4-2012?、JESD22-A110D-2010?
IPC/JEDECJ-STD-020D.1-2008?；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產品；
試驗能力：?溫度范圍?：105℃到142.9℃之間；濕度范圍?： 75%到100RH。
壓力范圍?：0.02MPa到0.186MPa。
可焊性試驗
執行標準：MIL-STD-202G、MIL-STD-883G、GB2423、IEC60068；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產品；
振動試驗
執行標準：GJB 150.25-86、GB-T 4857.23-2003、GBT4857.10-2005；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產品；
試驗方法：模擬產品在運輸、安裝及使用環境下所遭遇到的各種振動環境影響，主要用于評定元器件、零部件及整機在預期的運輸及使用環境中的抵抗能力，以了解產品的耐振壽命和性能指標的穩定性。
鹽霧試驗
執行標準：GB/T2423.17—2008、GB/T2423.18—2000、GB5938—86；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產品；
試驗方法：通過人工模擬鹽霧環境條件來考核產品或金屬材料耐腐蝕性能的環境試驗。一般用于對材料(表面鍍層)或表面處理工藝進行評價、篩選、對比，確定產品中潛在問題的區域和部位,發現質量控制的不足,尋找設計缺陷等。
高/低溫存儲HTSL/LTSL-環境老化試驗
