薄膜介電常數(shù)測(cè)試儀 薄膜介電常數(shù)測(cè)試儀
技術(shù)參數(shù):
1.Q值測(cè)量
a.Q值測(cè)量范圍:2~1023。
b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。
c.標(biāo)稱(chēng)誤差
頻率范圍(100kHz~10MHz): 頻率范圍(10MHz~160MHz):
固有誤差:≤5%±滿(mǎn)度值的2% 固有誤差:≤6%±滿(mǎn)度值的2%
工作誤差:≤7%±滿(mǎn)度值的2% 工作誤差:≤8%±滿(mǎn)度值的2%
2.電感測(cè)量范圍:4.5nH~7.9mH
3.電容測(cè)量:1~205
主電容調(diào)節(jié)范圍:18~220pF
準(zhǔn)確度:150pF以下±1.5pF; 150pF以上±1%
注:大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見(jiàn)后頁(yè)使用說(shuō)明
4. 信號(hào)源頻率覆蓋范圍
頻率范圍CH1:0.1~0.999999MHz, CH2: 1~9.99999MHz,
CH3:10~99.9999MHz, CH1 :100~160MHz,
5.Q合格指示預(yù)置功能: 預(yù)置范圍:5~1000。
6.B-測(cè)試儀正常工作條件
a. 環(huán)境溫度:0℃~+40℃;
b.相對(duì)濕度:<80%;
c.電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。
7.其他
a.消耗功率:約25W;
b.凈重:約7kg;
c. 外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280。
1 測(cè)量范圍及誤差
本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃,相對(duì)濕度為30%-80%條件下,應(yīng)滿(mǎn)足下列表中的技術(shù)指示要求。
在Cn=100pF R4=3183.2(W)(即10K/π)時(shí)
測(cè)量項(xiàng)目 測(cè)量范圍 測(cè)量誤差
電容量Cx 40pF--20000pF ±0.5% Cx±2pF
介質(zhì)損耗tgd 0~1 ±1.5%tgdx±0.0001
在Cn=100pF R4=318.3(W)(即1K/π)時(shí)
測(cè)量項(xiàng)目 測(cè)量范圍 測(cè)量誤差
電容量Cx 4pF--2000pF ±0.5% Cx±3pF
介質(zhì)損耗tgd 0~0.1 ±1.5%tgdx±0.0001
2 電橋測(cè)量靈敏度
電橋在使用過(guò)程中,靈敏度直接影響電橋平衡的分辨程度,為保證測(cè)量準(zhǔn)確度,希望電橋靈敏度達(dá)到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測(cè)量電壓,標(biāo)準(zhǔn)電容量成正比。在下面的計(jì)算公式中,用戶(hù)可根據(jù)實(shí)際使用情況估算出電橋靈敏度水平,在這個(gè)水平上的電容與介質(zhì)損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應(yīng)出來(lái)。
DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)
式中:U為測(cè)量電壓 伏特(V)
ω為角頻率 2pf=314(50Hz)
Cn標(biāo)準(zhǔn)電容器容量 皮法(pF)
Ig通用指另儀的電流5X10-10 安培(A)
Rg平衡指另儀內(nèi)阻約1500 歐姆(W)
R4橋臂R4電阻值3183 歐姆(W)
Cx被測(cè)試品電容值 皮法(pF)
3 電容量及介損顯示精度:
電容量: ±0.5%×tgδx±0.0001。
介 損: ±0.5%tgdx±1×10-4
4 輔橋的技術(shù)特性:
工作電壓±12V,50Hz
輸入阻抗>1012 W
輸出阻抗>0.6 W
放大倍數(shù)>0.99
不失真跟蹤電壓 0~12V(有效值)
5 指另裝置的技術(shù)特性:
工作電壓±12V
在50Hz時(shí)電壓靈敏度不低于1X10-6V/格, 電流靈敏度不低于2X10-9A/格
二次諧波 減不小于25db
三次諧波 減不小于50db