SU-8是一種高分辨率的負性光刻膠，擁有的機械、介電、耐化學性和熱性能，以及出色的生物相容性。在微流控領域，常用來做制備PDMS微流控芯片的模具。

SU-8制備的模具具備以下優勢：

1、高分辨率和精度：SU-8是高分辨率的光刻膠，使用光刻工藝，可以制備復雜且精細的微通道幾何形狀，從而形成清晰的微流體結構。

2、強韌耐用：SU-8模具具備強韌性和耐久性，能夠經受住反復使用、清洗和處理，不會明顯退化，適合多次澆筑PDMS芯片。

3、SU-8模具，使用光刻工藝，可以在SU8光刻膠制備的PDMS芯片模具上制造線條寬度大于2微米，并且實現深寬比在1:1至2:1的結構。此外，借助多層光刻技術，還可以在SU-8模具上創建不同高度的微流道結構。

SU8模具加工設備

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SU8模具制備流程

一、備片

從化學品存放區取出清潔的硅片（確保硅片表面無塵）。

二、勻膠

1）打開勻膠機，將硅片放置在勻膠機托盤上，打開真空開關，確保硅片固定在托盤上不動；

2）將SU8光刻膠滴在硅片中間，根據光刻膠的厚度和制備要求設置勻膠機轉速和時間。（舉例說明：目標膠厚度50um,光刻膠型號：SU8-2075，1段500轉8s，2段1800轉30s）

三、前烘

1）將涂布好SU8光刻膠的硅片放置在熱板上，進行預熱烘烤，去除光刻膠中的揮發性有機溶劑，時間和溫度根據光刻膠厚度進行調整。（舉例說明：目標膠厚度50um ，設置溫度65℃，烘烤15min，然后溫度95度，烘烤15分鐘）

四、曝光

1）將預熱后的硅片放置在桌面光刻機托盤上。

2）使用相應的掩模（掩膜）放置在硅片上進行曝光，曝光時間和強度根據SU-8光刻膠的類型和厚度進行調整。（舉例說明：目標膠厚度50um，設置曝光能量25mw/cm²，時間12s）

五、后烘

將曝光后的硅片放置在熱板上，進行后曝光烘烤，以確保光刻膠的交聯反應完成。（舉例說明：目標膠厚度50um，設置溫度65℃，烘烤7min，然后溫度95℃，烘烤3min）

六、顯影

將硅片放入顯影劑中，使未曝光部分的光刻膠溶解，形成模具的圖案。（顯影時間根據光刻膠厚度和顯影劑濃度進行調整,此處顯影時間20min）

七、清洗

將顯影后的硅片用異丙醇溶劑進行清洗，去除多余的光刻膠。

八、檢查

使用顯微鏡檢查制備的SU-8模具，測試觀察制備的微結構尺寸，確認圖案的清晰度和質量。

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