業界分辨率
1．MEMS加工工藝，芯片視窗區域的氮化硅膜厚度可達10 nm。
2．芯片封裝采用鍵合內封以及環氧樹脂外封雙保險方式，使芯片間的夾層僅約100~200 nm，超薄夾層大幅減少對電子束的干擾，可清晰觀察樣品的原子排列情況，液相環境可實現原子級分辨。
3．經過特殊設計的芯片視窗形狀，可避免氮化硅膜鼓起導致液層增厚而影響分辨率。
高安全性
1．市面常見的其他品牌液體樣品桿，由于受自身液體池芯片設計方案制約，只能通過液體泵產生的巨大壓力推動大流量液體流經樣品臺及芯片外圍區域，有液體大量泄露的安全隱患。其液體主要靠擴散效應進入芯片中間的納米孔道，芯片觀察窗里并無真實流量流速控制。
2．采用納流控技術，通過壓電微控系統進行流體微分控制，實現納升級微量流體輸送，原位納流控系統及樣品桿中冗余的液體量僅有微升級別，有效保證電鏡安全。
3．采用高分子膜面接觸密封技術，相比于o圈密封，增大了密封接觸面積，有效減小滲漏風險。
4．采用超高溫鍍膜技術，芯片視窗區域的氮化硅膜具有耐高溫低應力耐壓耐腐蝕耐輻照等優點。
多場耦合技術
可在液相環境中實現光、電、熱、流體多場耦合。
智能化軟件和自動化設備
1．人機分離，軟件遠程控制實驗條件，全程自動記錄實驗細節數據，便于總結與回顧。
2．全流程配備精密自動化設備，協助人工操作，提高實驗效率。
團隊優勢
1．團隊帶頭人在原位液相TEM發展初期即參與研發并完善該方法。
2．獨立設計原位芯片，掌握芯片核心工藝，擁有多項芯片patent。
3．團隊20余人從事原位液相TEM研究，可提供多個研究方向的原位實驗技術支持。
技術參數
| 功能 | 參數 |
桿體材質 | |
視窗膜厚 | |
漂移率 | |
適用電鏡 | |
適用極靴 | |
傾轉角 | |
(HR)TEM/STEM | |
(HR)EDS/EELS/SAED | |
芯片池厚度 | |
電流范圍 | |
電壓范圍 | |
液體流速 | |
流速精度 |
應用案例
金納米粒子原子分辨液相動態成像TEM（a）STEM （b）
光催化析氫過程觀察活性位點原位生成過程
Real time imaging of photocatalytic active site formation during H2 evolution by in-situ TEM[J]. Applied Catalysis B: Environmental, 2021, 284: 119743.
流體流動及擴散對晶體生長形貌影響觀察
Efficient CO2 reduction MOFs derivatives transformation mechanism revealed by in-situ liquid phase TEM[J]. Applied Catalysis B: Environmental, 2022, 307: 121164.
光照下環境氛圍對納米團簇演變過程影響
Visualizing light-induced dynamic structural transformations of Au clusters-based photocatalyst via in situ TEM[J]. Nano Research, 2021, 14(8): 2805-2809.
二維材料液相合成新生長模式的發現：三維生長和原子層剝離
