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廣電計量檢測集團股份有限公司

倒裝焊 Flip Chip Bonder

參考價面議
具體成交價以合同協議為準
  • 公司名稱上海衡鵬企業發展有限公司
  • 品       牌
  • 型       號
  • 所  在  地上海
  • 廠商性質代理商
  • 更新時間2024/6/11 9:16:47
  • 訪問次數107
產品標簽:

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衡鵬企業成立于1999年11月,總部設于上海,系專業化、集成化的電子行業綜合服務性企業。公司依托于電子產品制造業的發展,已在市場中建立起良好的商譽和廣泛的商業資源。近年來,隨著市場的日漸成熟和業務的不斷發展,公司的業務已經遍布中國大陸以及香港、中國臺灣市場,深得廣大電子產品制造商的青睞。本公司將在緊緊跟隨信息時代的步伐,不斷為客戶提供各種優質的電子材料及相關設備,擴大*,壯大自身的同時,充分利用自身優勢,不斷提升自身的服務理念,致力于為客戶提供更多元化、系統化的技術支持及技術服務,進一步建立穩固的銷售網絡,從而將公司發展成為中國*電子行業中的企業。

TAMURA田村錫膏、助焊劑;Malcom馬康SMT周邊設備儀器;GOOT固特SMT電烙鐵及電焊臺等
FlipChipBonder特點:Chip-to-WaferFlipchipbonderforNCF-TCBprocessCapableofhigh-speed
倒裝焊 Flip Chip Bonder 產品信息

Flip Chip Bonder特點: 


Chip-to-Wafer Flip chip bonder for NCF-TCB process

Capable of high-speed, high-precision flip chip bonding by adopting probe camera 

technology and linear motor

High precision control of both bond head force and Z position

Shinkawa’s NRS technology reduced vibration that obstructs fine pitch bonding

High throughput achieved by short heating and cooling with pulse heater

Automatic product-type changeover function with capability to bond up to 4 different product-type 

chips enables handling of 2.5D and 3D stack packaging

Capable of handling each plunge-up method and thin die pickup

Capable of handling 12-inch chip wafer and base wafer

Molten solder detection function and high-precision Z control reduce damage on devices 

(under low force mode)

Process monitoring and management function securing stable quality and process portability



Flip Chip Bonder規格參數: 


Product Name

Flip Chip Bonder

Model

LFB-2301

Bonding Method

Pulse heat thermocompression

Bonding Accuracy

±2μm (3σ) by Shinkawa’s standard condition

Bonding Force

1 - 300N

※Capable of selecting bond force control method at bonding process

However, it is not capable of switching over between low force control and high force control in the identical bond profile

?Low force Control mode:1 - 50N in 0.1N increments

?High force Control mode:10 - 300N in 1N increments

Bonding Tool Setting Temperature

RT - 400℃ (in 1℃ increments pulse heat)

Bonding Stage Setting Temperature

RT - 150℃ (in 1℃ increments pulse heat)

Chip Size

□2 - 20mm t=0.05-0.7mm

Chip Wafer Size

φ200mm, φ300mm

Base Wafer Size

φ200mm, φ300mm

ProcessNCF-TCB:Option available:NCP-TCB, Flux-TCB
Option Available

Communication Interface SECS Ⅰ/ SECS Ⅱ, HSMS, GEM

Utilities

Electricity:Three-phase AC 200V±5% 50/60Hz 

(if other voltage, consults us)

Power Consumption:5.0kW Maximum

CDA:570kPa (5.7kgf/cm2) 250L/min Connection:φ10 Tube 1spot

Vacuum:Below -74kPa (-550mmHg) (gage) Connection:φ10 Tube 3spots

Physical Dimensions and Mass

Approx. 3,292W×1,521D×1,701H mm Approx 3,000kg

(excludes monitor display, signal tower and load port)


15700106413
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