產(chǎn)品介紹：
Helios-IR設計與飛秒中紅外光源 (例如：配備DFG模式的TOPAS) 一起工作，探測2- 10 μm的瞬態(tài)中紅外吸收光譜，包括：激發(fā)態(tài)吸收(Excited State Absorption)，受激輻射 (Stimulated Emission)，振動弛豫(Vibrational relexation) ，振動和轉(zhuǎn)動能級（Rotationallevels, Vibrational levels）和熒光輻射 (Fluorescent Emission)等。
籍此分析基態(tài)吸收引發(fā)的能量轉(zhuǎn)移、電荷遷移、振動或轉(zhuǎn)動能級躍遷、以及多激子效應(Multiple Exciton Generation, MEG) 和俄歇復合(Augerrecombination)等超快過程。大時間窗，高速智能延時線，采集14 fs - 8 ns，~106時域范圍的3D瞬態(tài)吸收光譜，需~30 min，大限度降低了激光對樣品的輻射損傷。探測器采用銻鎘化汞(MCT)陣列元，可配置為單通道或雙通道，以實現(xiàn)大光譜分辨率或佳的信噪比。大光譜范圍：2 - 10 μm，標配3塊不同光譜分辨率的光柵，以適合不同的波段和分辨率，多個波段的光譜可通過軟件拼接至大的光譜范圍。
產(chǎn)品參數(shù)：
延時分辨率 | 14fs | ||
時間分辨率 | 1.4×激光脈沖時間 | ||
時間窗口 | 8ns | ||
適合激光頻率 | 任意 | ||
檢測器 | HgCdTe（MCT） | ||
32,64或128元單陣列 | |||
16×2,32×2或64×2元雙陣列 | |||
響應波長 | 2-13μm | ||
光譜范圍 | 分辨率 | 響應波長 | |
400nm | 6.2nm | 3-9μm | |
800nm | 12.4nm | 4-10μm | |
1200nm | 18.6nm | 3-9μm | |
數(shù)據(jù)格式 | ASCII SCV（兼容Excel） | ||
數(shù)據(jù)采集軟件 | Helios 4.X | ||
數(shù)據(jù)分析軟件 | Surface Xplorer | ||
光學模塊體積（長寬高） | 1425×864×250mm3 | ||
電子模塊體積（長寬高） | 534×610×686mm3 | ||
主要應用：
1. 染料敏化光伏材料(CdSe, PbS量子點)的超快電荷分離研究
2. 有機光電材料（OPV）的電荷分離、電子遷移
3. 鈣鈦礦光伏材料的電荷分離、電子傳遞
4. 半導體載流子遷移率非線性光吸收材料的激發(fā)態(tài)吸收
5. 有機發(fā)光材料(OLED)的單線態(tài)失活、系間竄越、生成三線態(tài)過程
6. 金屬配位卟啉類材料
7. 光催化過程的超快電荷轉(zhuǎn)移
