低溫等離子+復合光催化
所謂等離子體是繼固體、氣體、液體三態后,列為物質的第四態,由于離子、負離子、電子和中性離子組成,因體系中正負電荷總數相等,故稱為“等離子體”。
非平衡態等離子體電子溫度可上萬度,離子及中性離子可低至室溫,即體系表現溫度仍很低,故稱“低溫等離子體”,一般由氣體放電產生。
氣體放電有多種形式,其中工業上使用的主要是電暈放電(在去除廢氣中的油塵上應用已相當成熟)和介質阻擋放電(用于廢氣中難降解物質的去除)兩種。
在本機組前置處理單元中,采用了電暈放電及輝光、電子流放電為主的方式,在降低氣體流速的前提下,通過初步的降解、極性分離和氣流整理,進行預處理。實際上,在本機組中我們使用的低溫等離子體主要采用的放電形式為雙介質阻擋放電(Dielectric Barrier Discharge,簡稱DBD)。
介質阻擋放電時,由于電極不直接與放電氣體發生接觸,從而避免了電極的腐蝕問題。
低溫等離子體技術處理污染物的原理為:在外加電場的作用下,介質放電產生的大量攜能電子轟擊污染物分子,使其電離、離解和激發,然后引發一系列復雜的物理、化學反應,使復雜大分子污染物轉變為簡單小分子安全物質,或使有毒有害物質轉變為無毒無害或低毒低害物質,從而使污染物得以降解去除。因其電離后產生的電子平均能量在1eV~10eV,適當控制反應條件可以實現使一般情況下難以實現或速度很慢的化學反應變得十分快速。其能量傳遞過程為:
電場+電子——>高能電
高能電子+分子(或原子)——>受激電子、受激分子、自由基——>活性基因
活性基因+分子(或原子)——>生成物+熱
活性基因+活性基因——>生成物+熱
采用雙介質阻擋放電技術,屬于干法處理,不需要任何吸附劑、催化劑及其他任何助燃燃料,只需采用380V交流電,經振蕩升壓裝置獲得高頻脈沖電場,產生高能量電子,轟擊分解廢氣中的惡臭、有毒的氣體分子。具有安全可靠、操作簡單、運行費用低、治理效率高、技術等特點。
“光觸媒”(也稱為“光催化劑”)的主要成分是納米級銳鈦型(TiO2),在室溫下,當波長在380nm以下的紫外光照射到納米級顆粒上時,在價帶的電子被紫外光所激發,躍遷到導帶形成自由電子,而在價帶形成一個帶正電的空穴,這樣就形成電子-空穴對。利用所產生的空穴的氧化及自由電子的還原能力,和表面接觸的H2O,O2發生反應,產生氧化力的自由基,這些自由基可分解幾乎所有有機物質,將其所含的氫(H)和碳(C)變成水和二氧化碳。
技術參數:
序號 | 設備型號 | 處理風量(m3/h) | 設備尺寸mm | 風口mm | 功率/電壓 | 風阻pa |
1 | LSD-B-1# | 1000 | 850×500×670 | 450×400 | 1.28kw/220v | <100 |
2 | LSD -B-3# | 3000 | 1000×1060×1200 | 950×750 | 1.6kw/380v | <100 |
3 | LSD -B-5# | 5000 | 1000×1060×1200 | 950×750 | 2.4kw/380v | <100 |
4 | LSD -B-7.5# | 7500 | 1600×1060×1200 | 950×750 | 3.2kw/380v | <100 |
5 | LSD -B-10# | 10000 | 1600×1060×1200 | 950×750 | 4.8kw/380v | <100 |
6 | LSD -B-12.5# | 12500 | 1600×1060×1200 | 950×750 | 7.5kw/380v | <100 |
7 | LSD -B-15# | 15000 | 1160×1060×1800 | 800×400 | 12.8kw/380v | <100 |
8 | LSD -B-20# | 20000 | 1560×1900×2280 | 1400×700 | 22kw/380v | <100 |
9 | LSD -B-30# | 30000 | 3200×2200×1950 | 1600×1600 | 30kw/380v | <100 |
10 | LSD -B-40# | 40000 | 3800×2200×1950 | 1600×1600 | 45kw/380v | <100 |
11 | LSD -B-50# | 50000 | 4200×2200×1950 | 1600×1600 | 55kw/380v | <100 |
12 | LSD -B-60# | 60000 | 5200×2200×1950 | 1600×1600 | 75kw/380v | <100 |