用于產(chǎn)生太赫茲THz的GaSe（硒化鎵）晶體顯示出高達(dá)41 THz的大帶寬。GaSe是負(fù)單軸層狀半導(dǎo)體，具有62 m點(diǎn)組的六邊形結(jié)構(gòu)，在300 K時(shí)的直接帶隙為2.2eV。GaSe晶體具有高損傷閾值，較大的非線性光學(xué)系數(shù)（54 pm / V），合適的透明范圍和低吸收系數(shù)，這使其成為寬帶中紅外電磁波產(chǎn)生的替代解決方案。由于使用低于20 fs的激光源產(chǎn)生和檢測(cè)寬帶太赫茲，因此與使用薄的ZnTe晶體相比，GaSe發(fā)射器-探測(cè)器系統(tǒng)的性能可達(dá)到相當(dāng)甚至更好的結(jié)果。為了實(shí)現(xiàn)頻率選擇性太赫茲波的產(chǎn)生和檢測(cè)系統(tǒng)，應(yīng)使用適當(dāng)厚度的GaSe晶體。