Mono- and Multi-crystalline wafer lifetime measurement device
應用范圍：用于精密材料研發的單晶和多晶片的壽命測量
特性
- 靈敏度：外延片不可見的缺陷和檢測的 靈敏度的可視化
- 測量速度：6英寸硅晶圓片，1mm分辨率 ，小于5分鐘
- 使用壽命: 20納秒到幾毫秒
- 污染測定：源自爐和設備的金屬(Fe)污染
- 測量能力：從初始切割的晶圓片到加工的樣品
- 靈活性：固定測量頭允許外部激光與觸發器耦合
- 可靠性： 模塊化和緊湊的臺式儀器，更高的可靠性和正常運行時間> 99%
- 重現性： > 99.5%
- 電阻率：不需要頻繁校準
用于研發或生產監控的靈活檢測工具
- MDPmap是一個緊湊的臺式無觸點電子特性的離線生產控制或研發的工具。可測量參數如載流子壽命、光電導性、電阻率、缺陷信息在穩態或注入范圍寬短脈沖勵磁(μ-PCD)。自動化的樣品識別和參數設置可以方便地適應各種不同的樣品，包括在不同的制備階段，從生長的晶圓片到高達95%的金屬化晶圓片的外延片和晶圓片。
- MDPmap的主要優點是其高度的靈活性，它允許集成最多4個激光器，用于從超低注入到高注入的依賴于注入水平的壽命測量，或者使用不同的激光波長提取深度信息。包括偏置光設施以及μ-PCD或穩態注入條件的選項?？梢允褂貌煌膱D進行客戶定義的計算，也可以導出原始數據進行進一步的評估。對于標準計量任務，可用一個預定義的標準，使常規測量只需按一個按鈕。
