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廣電計量檢測集團股份有限公司

晶體管正向偏置安全工作區測試系統

參考價600000-900000/套
具體成交價以合同協議為準
  • 公司名稱陜西天士立科技有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號ST-FBSOA_X
  • 所  在  地西安市
  • 廠商性質生產廠家
  • 更新時間2024/10/9 14:04:39
  • 訪問次數276
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陜西天士立科技有限公司,主要從事半導體檢測設備的開發、制造、銷售。致力于滿足半導體領域從材料(硅Si碳化硅SiC氮化鎵GaN)、晶圓、器件、部件、整機的電學特性測試、可靠性測試、老化試驗、環境試驗、力學試驗、參數化脈沖ns/ps電源、半導體EDA仿真軟件、智慧工廠、碳化硅陶瓷材料、第三方檢測實驗室的全產業鏈服務和國產化替代。

光耦測試儀、IGBT參數測試儀、IGBT模塊靜態動態測試儀設備、MOSMOS-FET參數測試儀、二三極管參數測試儀、可控硅晶閘管測試儀、半導體分立器件靜態直流參數測試儀系統、半導體分立器件動態參數特性測試儀系統、功率器件參數測試、晶體管特性圖示儀測試儀、半導體參數分析儀、硅Si碳化硅SiC氮化鎵GaN器件靜態動態參數測試儀系統、二極管正向浪涌電流測試設備、雪崩耐量測試儀、PN結電容測試儀、IGBT短路測試儀、半導體熱阻測試儀、半導體功率循環試驗系統、高溫反偏HTRB試驗系統、高溫柵偏HTGB試驗系統、SCSOA短路安全工作區測試儀系統、FBSOA正向偏置安全工作區測試儀系統、RBSOA反向偏置安全工作區測試儀系統、環境試驗箱、可程式恒溫恒濕試驗箱、快速溫度變化試驗箱、溫度/濕度/振動三綜合環境試驗箱、整車高低溫濕熱綜合環境艙、整車綜合性能試驗艙、力學振動試驗臺、熱流儀、高低溫氣流儀、精密電子部件、SoC/ASIC仿真驗證。“FPGA 原型驗證矩陣”、“企業級硬件仿真加速器”、“ESL高階設計語言編譯和仿真工具”、“邏輯綜合器”致力“XJ數字前端 EDA 工具供應等。

半導體檢測系列產品覆蓋半導體功率器件的初始研發到規模量產再到應用端的全產業鏈。服務領域包括半導體器件及IC上游產業(設計、制造、封裝、IDM廠商、晶圓、DBC襯板)和應用端產業(院所高校、電子廠、軌道機車、新能源汽車、白色家電等......)應用場景主要有器件及IC研發期預演測試、晶圓廠自動化芯片測試、器件及IC后道封裝測試。應用端的來料檢驗、失效分析、器件選型、參數配對、壽命預估等。

電氣工程產品系列及服務包括電力半導體器件、模塊、組件的研制及綜合檢測設備;電氣自動化設備,電冶、電化學整流裝置;電力半導體變流裝置及各種高、中、低頻感應加熱電源,感應加熱爐,變壓器、整流器、電感器、電容器、互感器、傳感器及其配套設備;晶閘管光控高壓閥組、GTOIGBTIGCTMOSFET驅動器;遠距離光電傳感轉換軟件控制系統;光電脈沖觸發板、IGBT智能高壓驅動機車調速匯報板;SVC無功靜補裝置等。

核心團隊匯集了來自院所高校和ZM企業的從事電力電子、芯片開發、電源、軟件等領域人士。擁有眾多行業LX的創新技術。產品成熟可靠,久經市場考驗,在替代同類進口產品方面有著突出的優勢。微弱信號處理與抗干擾技術、高速數字信號處理、核心算法與系統集成等技術平臺優勢,公司自主研發了ps級脈沖源、高精度臺式數字源表、脈沖式源表、窄脈沖電流源、集成插卡式源表、高精度超大電流源、高精度高壓電源、數據采集卡等國產化電性能測試儀表,電流傳感器測試系統、功率器件靜態參數測試系統等。產品以其測試精度高、速度快、兼容性強、測試范圍寬、可靠性高、操作簡便以及快捷靈活的響應式服務等優勢,廣泛應用于新型半導體器件材料分析、半導體分立器件測試、集成電路測試、高校教學實訓平臺等應用;為客戶提供模塊化硬件、高效驅動程序和高效算法軟件組合幫助用戶構建自定義解決方案,同時滿足行業對測試效率、測試精度、供應鏈安全以及規模化的挑戰。



半導體分立器件靜態動態參數測試系統,IGBT靜態動態參數特性測試設備
產地 國產
陜西天士立科技有限公司/ST-FBSOA/IGBT/MOS正向偏置安全工作區測試系統,可以測試Si,SiC,GaN,材料的器件級和模塊級的IGBT,MOSFET的FBSOA(正向偏置安全工作區)。安全工作區設備包括“正向偏置安全工作區FBSOA”“反向偏置安全工作區RBSOA”“短路安全工作區SCSOA”
晶體管正向偏置安全工作區測試系統 產品信息


IGBT/MOS正向偏置安全工作區測試系統ST-FBSOA_X

陜西天士立科技有限公司/ST-FBSOA/IGBT/MOS正向偏置安全工作區測試系統,可以測試Si,SiC,GaN,材料的器件級和模塊級的IGBT,MOSFET的FBSOA(正向偏置安全工作區)。安全工作區設備包“正向偏置安全工作區FBSOA”“向偏置安全工作區RBSOA”“短路安全工作區SCSOA

陜西天士立科技有限公司

專注半導體檢測·電學檢測·可靠性檢測·老化實驗

基礎信息

  1. Si,SiC,GaN,材料的器件級和模塊級的IGBT,MOSFET的FBSOA(正向偏置安全工作區)測試

  2. IGBT/MOS正向偏置安全工作區測試系統測試FBSOA和對應的IV曲線

  3. ICE電流0~1000A

  4. VCE電壓0~100V

  5. VGE驅動電壓0~30V

  6. VMNF熱敏電壓≤5V

  7. Pmax功率100KW

  8. 脈寬10us~10ms

  9. 柜式結構,氣動安全(支持手動式)工裝柜,計算機程控

    陜西天士立科技有限公司

    專注半導體檢測·電學檢測·可靠性檢測·老化實驗

    IGBT/MOS正向偏置安全工作區測試系統ST-FBSOA_X

FBSOA定義

  1. 該圖是簡版FBSOA曲線,劃定了四條電壓-電流關系的邊界線,分別是AB段,BC段,CD段,DE段。IGBT/MOS正向偏置安全工作區測試系統。

  2. AB段規定了處于飽和導通狀態下IGBTzd工作電流,這個電流與IGBT的門極驅動電壓幅值相關,從圖看出,IGBT門極驅動電壓幅值越高,飽和導通狀態下的zd工作電流越大

  3. BC段是IGBTmax可重復電流ICpuls,是4倍標稱電流

  4. CD段需結合IGBT瞬態熱阻看。IGBT有線性區和飽和區

  5. AB段后,其IGBT處于線性區了,也就退出飽和導通區, IGBT損耗急劇上升。所以,這條邊界體現IGBT能承受zd耗散功率Ptot。且CE電壓越高,IGBT所能承電流脈沖幅值越低。另外,電流脈寬越大,IGBT所能承受電流幅值也越低

  6. 藍色CD段各種脈沖寬度下的SOA,均是單脈沖安全工作區,非連續工作情況下的工作區,所以,必須參考上一頁的右下角的IGBT瞬態熱阻曲線,由公式(1)計算出在規定VCE條件下允許的電流IC的幅值和脈寬

  7. DE段規定了IGBT集射極CE擊穿電壓,IGBTCE擊穿電壓是和結溫正相關,結溫越低,CE擊穿電壓也越低。IGBT/MOS正向偏置安全工作區測試系統。


    陜西天士立科技有限公司

    專注半導體檢測·電學檢測·可靠性檢測·老化實驗

    IGBT/MOS正向偏置安全工作區測試系統ST-FBSOA_X

    晶體管正向偏置安全工作區測試系統

產品特點

  1. 測試規范:IEC60747-9、IEC60747-2GB/T29332GB/T4023

  2. 測試工裝有“手動式”“氣動式”“電子開關式”供選擇,不同封裝外觀,更換“DUT適配器”即可

  3. 高溫測試,支持室溫~200℃,±1@0.5

  4. 計算機程控,測試數據可存儲為ExcelPDF。內置多種通用文檔模板供用戶選擇,還可自定義

  5. 安全穩定(PLC對設備的工作狀態進行全程實時監控并與硬件進行互鎖)設備具有安全工作保護功能

  6. 智能化,計算機進行操控及數據編輯,測試結果自動保存及上傳特定局域網,支持MES系統和掃碼槍連接

  7. 安全性,防爆,防觸電,短路保護等多重保護措施,可以操作人員、設備、數據及樣品安全

  8. 電壓源電流源模塊化設計,根據需求,自選搭配。IGBT/MOS正向偏置安全工作區測試系統。

    陜西天士立科技有限公司/ST-FBSOA/IGBT/MOS正向偏置安全工作區測試系統,可以測試Si,SiC,GaN,材料的器件級和模塊級的IGBT,MOSFET的FBSOA(正向偏置安全工作區)。安全工作區設備包“正向偏置安全工作區FBSOA”“向偏置安全工作區RBSOA”“短路安全工作區SCSOA





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