技術特點

l 能夠測量小至1mm的晶體到或更大的樣品

l 各種樣品架及輸送夾具，用于線鋸、拋光等

l 側晶方向標記選項

l 無水冷卻

l **精度：0.01°(視晶體質量而定)

l 確定單晶的晶格取向

l 使用Omega掃描方法的超高速晶體定位測量

l 氣冷式X射線管，無需水冷

l 適合于研究和生產質量控制

l 手動操作(沒有自動化選項)

可測量材料的例子

? 立方/任意未知方向：Si, Ge, GaAs, GaP, InP 

? 立方/特殊取向：Ag, Au, Ni, Pt, GaSb, InAs, InSb, AlSb, ZnTe, CdTe, SiC3C, PbS, PbTe, SnTe, MgO, LiF, MgAl2O4, SrTiO3, LaTiO3

? 正方：MgF2, TiO2, SrLaAlO4

? 六方/三角：SiC 2H, 4H, 6H, 15R, GaN, ZnO, LiNbO3, SiO2(石英)，Al2O3(藍寶石)，GaPO4, La3Ga5SiO14

? 斜方晶系：Mg2SiO4 NdGaO3

? 可根據客戶的要求進一步選料

平面方向的標記和測量

在晶圓片的注入和光刻過程中，需要平面或凹槽作為定位標記。切割過程中，晶片必須正確地對準晶圓片上易于切割的晶格面。因此，檢查平面或缺口的位置至關重要。

為了確定平面或缺口的位置，就需要測量平面內的部件。由于Omega掃描法可以在一次測量中確定完整的晶體方位，基于此，便可以直接識別在平面方向或檢查方向的單位或缺口。

DDCOM通過旋轉轉盤，可以將任何平面方向轉換成用戶的特定位置。在必須定義平面方向的情況下，這可以**簡化將標記應用到特定平面方向的過程。