以色列DUMA公司近期研制出一款高功率激光采樣器，通過(guò)壓縮空氣降溫的原理來(lái)實(shí)現(xiàn)冷卻。該采樣器可以提供1.1×10-5的采樣效率，相比于衰減片（ND）而言，效率更高，且適用于多種場(chǎng)合。該采樣器可以與現(xiàn)有光束質(zhì)量分析儀相匹配，出廠即完成裝配，可以滿足用戶對(duì)于高功率激光的檢測(cè)，對(duì)于連續(xù)激光，可承受4KW的功率。
大功率激光光束質(zhì)量的測(cè)量一直是激光行業(yè)的一個(gè)難點(diǎn)和痛點(diǎn)。無(wú)論是CMOS/CCD傳感器還是刀口式檢測(cè)原理，都無(wú)法承受大功率激光的直接接收，因?yàn)?/span>CMOS傳感器或者CCD傳感器的靈敏度都很高，僅可以承受到微瓦到毫瓦的功率范圍，這使得大功率激光無(wú)法實(shí)現(xiàn)直接檢測(cè)，這會(huì)導(dǎo)致因激光功率過(guò)高而直接損壞傳感器，哪怕使用衰減片（ND）仍無(wú)法滿足，甚至需要配合多個(gè)衰減片進(jìn)行一個(gè)整體組合后才可使用，這會(huì)使得激光整體模式受到不可估計(jì)的影響。
我司為用戶提供兩種系列光束質(zhì)量分析儀，LAM和M2-Beam，其中LAM可用于檢測(cè)工作面上的聚焦激光，其檢測(cè)原理為刀口式測(cè)量原理，僅可檢測(cè)連續(xù)激光（CW），M2-Beam的普通型號(hào)同樣采取刀口式測(cè)量原理。當(dāng)然，為了滿足用戶對(duì)于脈沖激光（Pulsed）的檢測(cè)需求，我們也提供CMOS傳感器版本（-U3型號(hào)）。
以上機(jī)型均可安裝高功率激光采樣器，SAM-HP-M。需要注意的是，在測(cè)量大功率激光時(shí)，連續(xù)曝光時(shí)間不能超過(guò)5s。并且高功率機(jī)型出廠后，風(fēng)冷采樣器處于已裝配狀態(tài)，原則上講我們不提倡用戶將其拆卸，因?yàn)槠渲猩婕暗浇邮諏?duì)準(zhǔn)和安裝工藝問(wèn)題，這會(huì)導(dǎo)致拆卸后無(wú)法安裝的問(wèn)題存在，基于更小的靈敏度，儀器哪怕裝載了風(fēng)冷采樣器，對(duì)于小功率激光仍具備一定的探測(cè)能力。
LAM大功率激光光束質(zhì)量分析儀產(chǎn)品規(guī)格參數(shù)：
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| LAM-BA | LAM-U3 |
| 傳感器類(lèi)型 | 硅基，使用刀口法測(cè)量技術(shù) | CMOS |
| 刀口數(shù) | 7 | - |
| 光譜范圍： | 硅：350-1100nm | 350-1310nm |
| 功率范圍@900/1070 nm | 4KW（需要衰減片和高壓空氣風(fēng)冷，可能會(huì)有一些限制） | 連續(xù)激光1-2500W，脈沖激光1-1000W |
| 光斑尺寸范圍 | 35微米至8毫米 | 75微米-6毫米 |
| 分辨率（H × V像素） | 根據(jù)光束大小自適應(yīng) | 1920 ×1200 |
| 傳感器有效尺寸 | 9 × 9 | 11.34 × 7.13 |
| 工作距離 | 49mm | 從輸入表面到傳感器的光學(xué)距離為40.7±0.2毫米 |
| BPP | 輸入角度-25deg | 輸入角度-25deg |
| 功率密度 | 1,000,000 W/cm2 | 1,000,000 W/cm2 |
| 光束寬度精度 | ± 1.5 ％ | ± 1.5 ％ |
| 功率精度 | ± 5 ％ | ± 5 ％ |
| 工作溫度 | 0℃-35℃ | 0℃-35℃ |
M2-Beam 大功率光束分析儀產(chǎn)品規(guī)格：
-輸入光束
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| M2Beam | M2Beam U3 |
| 技術(shù)工藝 | 刀口式掃描原理，應(yīng)用Si探測(cè)器，InGaAs探測(cè)器和增強(qiáng)型InGaAs探測(cè)器 | USB 3.0接口 CMOS 2.4MP 內(nèi)置過(guò)濾論 |
| 光譜響應(yīng)（nm） | SI傳感器：350-1100 InGaAs傳感器：800-1800 Enhanced InGaAs 傳感器：800-2700 | VIS-NIR：350-1600 UV-NIR：220-1350 |
| 激光功率范圍 | Si：100 μW-1 W（帶衰減片） InGaAs&UV：100 μW-5 mW HP：4 kW以下 | 10μW-100mW，內(nèi)置濾光輪 HP：4 kW以下 |
| 刀口數(shù) | 7 | — |
| 光束尺寸 | 帶透鏡高達(dá)25mm直徑（Si&UV版本） | |
| 束腰到透鏡距離 | 2.0~2.5米 最小2米 | |
-掃描裝配附件
| 材質(zhì) | 鋁 |
| 透鏡焦距 | 300mm（在632.6nm時(shí)） |
| 透鏡直徑 | 25mm |
| 掃描次數(shù) | 140 |
| 最小步進(jìn)尺寸 | 100μm |
| 掃描長(zhǎng)度 | 280mm |
-整機(jī)
| 重量 | 2.5kg |
| 尺寸 | 100×173×415 mm |
| 托架 | M6或1/4“固定 |
| 機(jī)械調(diào)整 | 水平角：±1.5° 垂直角：±1.5° |
| 電纜長(zhǎng)度 | 2.5m |
大功率光束分析儀的核心部件——高功率激光采樣器規(guī)格參數(shù)：
| 型號(hào) | SAM3-HP |
| 光譜范圍 | 250-2000nm |
| 采樣系數(shù) | 1.1×10-5 |
| 外型尺寸 | 40 mm dia. × 31 mm length |
| 通光孔徑 | 8 × 8 mm |
| 從輸入到采樣表面的最小光路 | 25mm（視具體型號(hào)而定） |
高功率光束分析儀訂購(gòu)型號(hào)及描述：
LAM-BA: 7-blades, Si detector with high power attenuator and mounting adapter
LAM-U3: A camera for 350 –1310 nm with motorized built-in filter wheel with high power attenuator and mounting adaptor, a set of interchangeable filters,
M2Beam-Si – measurement device for silicon range (350 – 1100nm)
M2Beam-UV – measurement device for silicon range (190 – 1100nm)
M2Beam-IR – measurement device for silicon range (800 – 1800nm)
M2Beam-U3-VIS-NIR - measurement device for 350-1600 nm CMOS based
M2Beam-UV-NIR – Special – consult factory.
SAM3-HP-M – beam sampler for high power beams
