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BATOP反射鏡和長通濾光片

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具體成交價以合同協議為準

公司名稱深圳維爾克斯光電有限公司
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廠商性質其他
更新時間2024/3/1 14:14:42
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公司介紹主營產品

深圳維爾克斯光電有限公司是的進口光電代理商，代理的激光、光電、光機械類產品，應用涵蓋物理與光學、化學、材料、生命科學等領域。我們與國內各大高校、研究所、激光設備公司和及精密儀器公司保持著緊密的聯系，提供針對不同應用的專業技術支持。維爾克斯光電在衍射光學、微光學、太赫茲元件、、光束分析儀、太陽光模擬器、顯微鏡載物臺、紅外熱像儀、電控平移臺、紅外探測器、光學儀器等領域具有多年的產品和技術積累，能夠為用戶提供各種高性價比的解決方案。

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產品簡介在線詢價

BATOP反射鏡和長通濾光片通常以砷化鎵（GaAs）晶體為基底，能被切成小塊矩形鏡片，也可定制按需求尺寸。BATOP提供寬帶鍍金膜反射鏡，AlAs / GaAs布拉格反射鏡，900nm長通濾光片和LT-GaAs低溫砷化鎵基片外延生長定制。這些反射鏡和濾光片尺寸通常只有1.3mmx 1.3mm~4.0mmx 4.0mm，卻擁有光滑的表面，良好的導熱率。

BATOP反射鏡和長通濾光片產品信息

德國BATOP公司的單晶砷化鎵基底產品主要分為：寬帶鍍金膜反射鏡，AlAs / GaAs布拉格反射鏡，900nm長通濾光片。

BATOP還可以在砷化鎵基底上提供生長AlAs，GaAs，InAs，AlGaAs，AlInAs 和 InGaAs 等多種材料的高質量外延薄膜層。

如果需要尺寸只有幾毫米的反射鏡或長通濾波器，那么可以在單晶砷化鎵襯底上生產這種裝置。單晶砷化鎵的熱導率非常好，高達55w / (m * k) ，由于其立方晶體結構，可以被切割成小的矩形晶片。

寬帶鍍金膜反射鏡：

如果需要尺寸僅為幾mm的非常小的寬帶鏡，那么鍍金的GaAs芯片是合適的。作為反射金層的基板的單晶GaAs晶片具有非常光滑的表面和55W /（m * K）的良好導熱率。它可以切割成小的正方形或矩形芯片。鍍金膜反射鏡可用作波長> 800 nm的寬帶反射器。隨著波長的增加，反射率還會不斷增加。BATOP提供未安裝的金鏡，標準基板厚度為450μm

可用芯片面積：

4.0mmx 4.0mm

2.0mmx 2.0mm

1.3mmx 1.3mm

根據要求定制尺寸

鍍金膜反射鏡型號：

型號	規格	價格
Au-M-4x4	? Thin gold film on single crystalline GaAs ? Chip area: 4 mm x 4 mm ? Chip thickness: 450 µm	€ 70
Au-M-2x2	? Thin gold film on single crystalline GaAs ? Chip area: 2 mm x 2 mm ? Chip thickness: 450 µm	€ 60
Au-M-1.3x1.3	? Thin gold film on single crystalline GaAs ? Chip area: 1.3 mm x 1.3 mm ? Chip thickness: 450 µm	€ 50

AlAs / GaAs布拉格反射鏡

如果需要尺寸只有幾毫米的非常小的高反射率反射鏡，那么 GaAs 芯片上的單晶 AlAs / GaAs布拉格反射鏡是合適的。單晶砷化鎵晶片具有非常光滑的表面和55w / m * k的良好熱導率。方便切割成各種尺寸，海納光學提供標準基片厚度為450μm的未安裝布拉格反射鏡

可用芯片面積：

4.0mmx 4.0mm

2.0mmx 2.0mm

1.3mmx 1.3mm

根據要求定制尺寸

1030nm AlAs / GaAs布拉格反射鏡型號：

型號	規格	價格
B-M-1030nm-4x4	? Single crystalline AlAs/GaAs Bragg mirror on GaAs ? Central wavelength λ = 1030 nm ? Chip area: 4 mm x 4 mm ? Chip thickness: 450 µm	€ 70
B-M-1030nm-2x2	? Single crystalline AlAs/GaAs Bragg mirror on GaAs ? Central wavelength λ = 1030 nm ? Chip area: 2 mm x 2 mm ? Chip thickness: 450 µm	€ 60
B-M-1030nm-1.3x1.3	? Single crystalline AlAs/GaAs Bragg mirror on GaAs ? Central wavelength λ = 1030 nm ? Chip area: 1.3 mm x 1.3 mm ? Chip thickness: 450 µm	€ 50

900nm長通濾波片

長通吸收濾光片是用來去除長波長激光信號中的短波長光(例如剩余的泵浦光)。

我們的長通濾波器使用半絕緣砷化鎵晶體上的外延半導體吸收層。這種晶圓材料可以根據客戶的需要切成長方形的小片。短波長的光被濾光片吸收，然后轉換成熱量。為了去除熱量，必須使用適當的金屬安裝件如散熱器。BATOP提供標準基片厚度為625μm的未安裝長通濾波器。

可用芯片區域:

5.0 mm x 5.0 mm

4.0毫米 x4.0毫米

2.0 mm x 2.0 mm

900nm長通濾光片型號：

LPF-900-5x5	LPF-900-4x4	LPF-900-2x2
在GaAs襯底上使用900 nm長通濾波片	GaAs襯底上900 nm的長通濾波片	GaAs襯底上的900 nm長通濾波片
阻帶λ<880 nm	阻帶λ<880 nm	阻帶λ<880 nm
通帶λ> 950 nm	通帶λ> 950 nm	通帶λ> 950 nm
芯片面積：5 mm x 5 mm	芯片面積：4 mm x 4 mm	芯片面積：2 mm x 2 mm
芯片厚度：625μm	芯片厚度：625μm	芯片厚度：625μm

5.0 mm × 5.0 mm 過濾器用1 / 2"或1"銅散熱器，或定制尺寸

LPF-900-5x5-12.7gc	LPF-900-5x5-25.4gc
1/2“銅散熱片上的900nm長通濾波器	1英寸銅散熱片上的長通濾波器900nm
芯片面積5mmx 5mm	芯片面積5mmx 5mm
散熱片外徑12.7mm	散熱片外徑25.4mm米
中心孔直徑4mm的散熱片	中心孔直徑4 mm的散熱片
安裝方法：膠合	安裝方法：膠合

LT-GaAs低溫砷化鎵基片外延生長定制

BATOP可在砷化鎵基底上提供生長 AlAs，GaAs，InAs，AlGaAs，AlInAs 和 InGaAs 等多種材料的高質量外延薄膜層，用于 GaAs 晶片的不同應用。某些應用需要快速時間響應器件，如光學探測器、飽和吸收器或光電導天線。我們提供低溫外延的生長設備，響應時間約為1 ps。BATOP提供的GaAs襯底上生長的一個或兩個單層的砷化鎵。