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半導體可飽和吸收鏡

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公司名稱深圳維爾克斯光電有限公司
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廠商性質(zhì)其他
更新時間2024/3/1 13:23:54
訪問次數(shù)317

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公司介紹主營產(chǎn)品

深圳維爾克斯光電有限公司是的進口光電代理商，代理的激光、光電、光機械類產(chǎn)品，應用涵蓋物理與光學、化學、材料、生命科學等領域。我們與國內(nèi)各大高校、研究所、激光設備公司和及精密儀器公司保持著緊密的聯(lián)系，提供針對不同應用的專業(yè)技術支持。維爾克斯光電在衍射光學、微光學、太赫茲元件、、光束分析儀、太陽光模擬器、顯微鏡載物臺、紅外熱像儀、電控平移臺、紅外探測器、光學儀器等領域具有多年的產(chǎn)品和技術積累，能夠為用戶提供各種高性價比的解決方案。

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產(chǎn)品簡介在線詢價

德國BATOP的主打產(chǎn)品之一是SESAM（半導體可飽和吸收鏡），是一種被動鎖模器件，并用于產(chǎn)生皮秒、飛秒的超短激光脈沖。BATOP具有數(shù)百種標準品SESAM鏡型號，具有裸片，熱沉，光纖耦合等封裝類型，主要涉及的波長范圍800nm-3000nm，其命名方式就包含了半導體可飽和吸收鏡的幾個關鍵參數(shù)：波長，吸收率，弛豫時間和封裝類型.

半導體可飽和吸收鏡產(chǎn)品信息

800nm~3.0μm，多種封裝方式，SESAM半導體可飽和吸收鏡

德國BATOP 供應 SESAM（半導體可飽和吸收鏡），其中SAM的英文全稱是Saturable Absorber Mirror，因為采用半導體材料和工藝，因此BATOP的產(chǎn)品也叫SESAM鏡。作為世界的可飽和吸收鏡制造商， BATOP的SESAM鏡適用的激光波長范圍達800nm-3.0μm，弛豫時間500fs- 25ps ，具有熱沉，裸片，光纖耦合等多種封裝方式。其裸片的尺寸從1×1mm-4×4mm，厚度一般為400~450μm。

被動鎖模技術具有組裝方便，易于操作等優(yōu)點，現(xiàn)已被廣泛的應用于各類激光腔中來產(chǎn)生超短脈沖。而可飽和吸收鏡（SAM）是關鍵的被動鎖模器件，通常安裝在寬譜激光腔中進行模式鎖定。通過可飽和吸收體的損耗機制，能夠把連續(xù)激光器中雜亂的多脈沖，調(diào)制成有規(guī)律的超短脈沖串。超短脈沖的長度通常在皮秒（ps, 10^-12秒）甚至飛秒（fs, 10^-15秒）量級。

半導體可飽和吸收鏡的命名規(guī)則，SESAM的關鍵參數(shù)：

BATOP公司可飽和吸收鏡的命名方式為：SAM-λ-A-τ-x，產(chǎn)品型號包含了波長、吸收率、弛豫時間和封裝這四個關鍵參數(shù)。

? λ - laser wavelength - 波長：輸出激光的波長

? A - low intensity absorption - 吸收率

? τ - absorber relaxation time - 弛豫時間：產(chǎn)生的激光脈寬

? x - mounting condition & price – 搭配的封裝底座&價格

SESAM半導體可飽和吸收鏡的封裝底座價格

BATOP公司的半導體可飽合吸收鏡有多種封裝方式，例如裸片，鍍膜銅基底封裝，和光纖尾端，水冷式封裝等方式。

SESAM半導體可飽和吸收鏡的價格幾乎不受其它參數(shù)的影響，而只能封裝有關。不同的封裝底座對應不同的價格，以下為SAM鏡片搭配封裝底座的價格，這個價格對不同的波長、吸收率和弛豫時間的產(chǎn)品都是全部適用的：

封裝底座選項	規(guī)格	價格
無封裝的SAM x = 4.0-0	芯片尺寸：4mm×4mm，芯片厚度：400μm，芯片背面：原切/磨砂	€ 442
用于光纖耦合的無封裝SAM x = 1.0b-0 x = 1.3b-0	芯片尺寸：1x1 mm 或 1.3x1.3 mm 芯片厚度：450 µm 芯片背面：原切/磨砂	€500/€442
帶有封裝底座的SAM x = 4.0-12.7g-c / 4.0-12.7g-e x = 4.0-12.7s-c / 4.0-12.7s-e x = 4.0-25.0g-c / 4.0-25.0g-e x= 4.0-25.0s-c / 4.0-25.0s-e x = 4.0-25.4g-c / 4.0-25.4g-e x = 4.0-25.4s-c / 4.0-25.4s-e	芯片尺寸：4x4 mm，芯片厚度：450 µm , 固定在12.7mm~25.4mm的Cu底座上芯片與銅底座的焊接材料：Sn/Bi 或膠合。芯片正面鍍有保護電解質(zhì)膜	€520/€559
帶有水冷封裝的SAM x = 4.0-25.0w-c / 4.0-25.0w-e x = 4.0-25.0h-c / 4.0-25.0h-e	芯片尺寸：4x4 mm，芯片厚度：450 µm , 固定在12.7mm~25.4mm的Cu底座上，并帶有水冷裝置芯片正面鍍有保護電解質(zhì)膜	€650/€780
帶有光纖封裝的SAM x = FC/PC / FC/APC	芯片尺寸：4mm×4mm，芯片厚度：450μm， SAM芯片用膠粘在一個單模光纖一端，光纖接頭FC/APC 標準電纜長度為1米。 Available fibers：780HP, Panda PM780-HP	€ 624

Heat sink for fiber coupled SAM：

用于光纖耦合SAM的散熱器
Heat sink FM-1.3

芯片尺寸：1.3 mm x 1.3 mm
SAM與FC/PC接口的光纖頭之間的鏈接可以輕松拆卸，利用這個封裝，可以在一臺激光器上就實現(xiàn)測試多個SAM性能的目的。
當SAM表面有不幸損傷，可以輕松換芯片。

€ 150

用于光纖耦合SAM的散熱器

Passive heat sink PHS

Passive heat sink for fiber coupled SAM.

€ 100

以下為SAM可飽和吸收鏡的不同波長的型號參數(shù)：

800nm半導體可飽和吸收鏡的型號規(guī)格：

型號	規(guī)格
SAM-800-1-5ps-x	? λ = 800 nm ? Absorptance A = 1 % ? Relaxation time τ = 5 ps
SAM-800-4-5ps-x	? λ = 800 nm ? Absorptance A = 4 % ? Relaxation time τ = 5 ps
SAM-810-5-1ps-x	? λ = 810 nm ? Absorptance A = 5 % ? Relaxation time τ = 1 ps
SAM-800-6-1ps-x	? λ = 800 nm ? Absorptance A = 6 % ? Relaxation time τ = 1 ps
SAM-810-6-1ps-x	? λ = 810 nm ? Absorptance A = 6 % ? Relaxation time τ = 1 ps
SAM-800-7-1ps-x	? λ = 800 nm ? Absorptance A = 7 % ? Relaxation time τ = 1 ps
SAM-810-7-1ps-x	? λ = 810 nm ? Absorptance A = 7 % ? Relaxation time τ = 1 ps
SAM-800-10-1ps-x	? λ = 800 nm ? Absorptance A = 10 % ? Relaxation time τ = 1 ps
SAM-810-10-1ps-x	? λ = 810 nm ? Absorptance A = 10 % ? Relaxation time τ = 1 ps
SAM-830-10-1ps-x	? λ = 830 nm ? Absorptance A = 10 % ? Relaxation time τ = 1 ps
SAM-800-32-1ps-x	? λ = 800 nm ? Absorptance A = 32 % ? Relaxation time τ = 1 ps

940nm SESAM鏡型號規(guī)格：

型號	規(guī)格
SAM-940-4-1ps-x	SAM: λ = 940 nm, absorptance 4 %, relaxation time τ 1 ps
SAM-940-5-1ps-x	SAM: λ = 940 nm, absorptance 5 %, relaxation time τ 1 ps
SAM-940-6-1ps-x	SAM: λ = 940 nm, absorptance 6 %, relaxation time τ 1 ps
SAM-940-22-1ps-x	SAM: λ = 940 nm, absorptance 22 %, relaxation time τ 1 ps
SAM-940-47-2ps-x	SAM: λ = 940 nm, absorptance 47 %, relaxation time τ 2 ps
SAM-940-68-2ps-x	SAM: λ = 940 nm, absorptance 88 %, relaxation time τ 2 ps

980nm半導體可飽和吸收鏡型號規(guī)格：

型號	規(guī)格
SAM-980-3-1ps-x	SAM: λ = 980 nm, absorptance 3 %, t ~ 1 ps
SAM-980-4-1ps-x	SAM: λ = 980 nm, absorptance 4 %, t ~ 1 ps
SAM-980-12-500fs-x	SAM: λ = 980 nm, absorptance 12 %, t ~ 500 fs
SAM-980-15-500fs-x	SAM: λ = 980 nm, absorptance 15 %, t ~ 500 fs
SAM-980-50-500fs-x	SAM: λ = 980 nm, absorptance 50 %, t ~ 500 fs
SAM-980-70-500fs-x	SAM: λ = 980 nm, absorptance 70 %, t ~ 500 fs

1040nm SESAM型號規(guī)格：

Relaxation time τ ~ 1 ps	Relaxation time τ ~ 3 ps	Relaxation time τ ~ 10 ps	Relaxation time τ ~ 25 ps
SAM-1040-1-1ps-x	SAM-1040-2.5-2ps-x	SAM-1040-1-10ps-x	SAM-1030-18-18ps-x
SAM-1040-1.5-1ps-x	SAM-1030-2.5-5ps-x	SAM-1040-1.5-10ps-x	SAM-1040-21-35ps-x
SAM-1040-2-1ps-x	SAM-1030-3-2ps-x	SAM-1040-2-10ps-x	SAM-1040-30-25ps-x
SAM-1040-2.5-800fs-x	SAM-1030-3.5-5ps-x	SAM-1040-2.5-10ps-x	SAM-1040-40-25ps-x
SAM-1040-3-1ps-x	SAM-1040-4-5ps-x	SAM-1040-3.5-6ps-x
SAM-1040-4-800fs-x	SAM-1040-10-3ps-x	SAM-1040-5-6ps-x
SAM-1040-5-800fs-x	SAM-1040-10-5ps-x	SAM-1040-6-14ps-x
SAM-1040-5-1ps-x	SAM-1040-20-2ps-x	SAM-1040-18-10ps-x
SAM-1040-7-1ps-x	SAM-1040-28-3ps-x	SAM-1040-30-8ps-x
SAM-1040-8-1ps-x	SAM-1030-30-2ps-x	SAM-1040-32-9ps-x
SAM-1040-10-1ps-x	SAM-1040-30-3ps	SAM-1040-35-9ps-x
SAM-1040-15-500fs-x	SAM-1030-32-2ps	SAM-1040-40-9ps-x
SAM-1040-27-1ps-x	SAM-1030-32-3ps	SAM-1040-43-8ps-x
SAM-1030-30-1ps-x	SAM-1040-32-5ps	SAM-1040-50-12ps-x
SAM-1030-32-1ps-x	SAM-1040-33-5ps
SAM-1040-43-1ps-x	SAM-1040-35-3ps
SAM-1030-44-1ps-x	SAM-1030-38-2ps
SAM-1040-48-1ps-x	SAM-1030-50-3ps
SAM-1030-52-500fs-x	SAM-1040-52-2ps
SAM-1030-54-1ps-x	SAM-1040-53-5ps
SAM-1040-54-1ps-x	SAM-1040-54-4ps
SAM-1040-56-700fs-x	SAM-1030-57-3ps
SAM-1040-60-1ps-x	SAM-1040-65-2ps

1064nm可飽和吸收鏡型號規(guī)格：

命名規(guī)則：例子：SAM-1064-0.7-1ps-x

SAM表示產(chǎn)品分類為可飽和吸收鏡，1064表示激光波長為1064nm，0.7表示吸收率為0.7%，1ps表示弛豫時間。

Relaxation time τ ~ 1 ps	τ ~ 3 ps	τ ~ 10 ps	τ ~ 25 ps	τ ~ 100 ps
SAM-1064-0.7-1ps-x	SAM-1064-1-5ps-x	SAM-1064-0.6-10ps-x	SAM-1064-3-25ps-x	SAM-1064-9-47ps-x
SAM-1064-1.5-1ps-x	SAM-1064-3-5ps-x	SAM-1064-1-10ps-x	SAM-1064-5-25ps-x	SAM-1064-10-47ps-x
SAM-1064-2-1ps-x	SAM-1064-5-3ps-x	SAM-1064-2-10ps-x	SAM-1064-8-25ps-x	SAM-1064-14-240ps-x
SAM-1064-3-1ps-x	SAM-1064-10-5ps-x	SAM-1064-3-10ps-x	SAM-1064-15-30ps-x	SAM-1064-22-47ps-x
SAM-1064-3.5-1ps-x	SAM-1064-12-5ps-x	SAM-1064-4-10ps-x	SAM-1064-17-25ps-x
SAM-1064-4-1ps-x	SAM-1064-14-2ps-x	SAM-1064-4-15ps-x	SAM-1064-20-30ps-x
SAM-1064-5-1ps-x	SAM-1064-18-5ps-x	SAM-1064-5-9ps-x	SAM-1064-25-25ps-x
SAM-1064-6-1ps-x	SAM-1064-19-4ps-x	SAM-1064-6-10ps-x	SAM-1064-26-35ps-x
SAM-1064-10-1ps-x	SAM-1064-21-3ps-x	SAM-1064-8-14ps-x	SAM-1064-28-25ps-x
SAM-1064-13-500fs-x	SAM-1064-28-4ps-x	SAM-1064-12-16ps-x	SAM-1064-30-25ps-x
SAM-1064-18-500fs-x	SAM-1064-30-2ps-x	SAM-1064-19-10ps-x	SAM-1064-33-30ps-x
SAM-1064-26-1ps-x	SAM-1064-32-3ps-x	SAM-1064-22-6ps-x	SAM-1064-36-45ps-x
SAM-1064-38-1ps-x	SAM-1064-40-3ps-x	SAM-1064-28-15ps-x	SAM-1064-50-20ps-x
SAM-1064-70-500fs-x	SAM-1064-48-4ps-x	SAM-1064-30-8ps-x
	SAM-1064-50-5ps-x	SAM-1064-39-6ps-x
	SAM-1064-57-4ps-x	SAM-1064-40-9ps-x
	SAM-1064-60-4ps-x	SAM-1064-50-10ps-x
	SAM-1064-70-3ps-x	SAM-1064-50-12ps-x
		SAM-1064-55-10ps-x
		SAM-1064-65-10ps-x
		SAM-1064-65-10ps-x

1100nm,1150nm SESAM規(guī)格型號：

1100nm型號	規(guī)格
SAM-1100-30-500fs-x	SAM: λ =1100 nm, absorptance 30 %, t ~ 500 fs
SAM-1100-50-500fs-x	SAM: λ =1100 nm, absorptance 50 %, t ~ 500 fs
SAM-1100-70-500fs-x	SAM: λ =1100 nm, absorptance 70 %, t ~ 500 fs
SAM-1100-90-500fs-x	SAM: λ =1100 nm, absorptance 90 %, t ~ 500 fs
1150nm型號	規(guī)格
SAM-1150-3-500fs-x	SAM: λ =1150 nm, absorptance 3 %, t ~ 500 fs
SAM-1150-4-500fs-x	SAM: λ =1150 nm, absorptance 4 %, t ~ 500 fs
SAM-1150-6-500fs-x	SAM: λ =1150 nm, absorptance 6 %, t ~ 500 fs
SAM-1150-28-1ps-x	SAM: λ =1150 nm, absorptance 28 %, t ~ 1 ps
SAM-1150-32-1ps-x	SAM: λ =1150 nm, absorptance 32 %, t ~ 1 ps

1300nm，1340nm，1420nm，1510nm,1645nm可飽和吸收鏡SESAM規(guī)格型號：

型號	規(guī)格
SAM-1300-4-10ps-x	SAM: λ =1300 nm, absorptance 4 %, t ~ 10ps
SAM-1300-7-10ps-x	SAM: λ =1300 nm, absorptance 7 %, t ~ 10ps
SAM-1300-8-10ps-x	SAM: λ =1300 nm, absorptance 8 %, t ~ 10ps
SAM-1300-10-10ps-x	SAM: λ =1300 nm, absorptance 10 %, t ~ 10ps
SAM-1300-12-10ps-x	SAM: λ =1300 nm, absorptance 12 %, t ~ 10ps
SAM-1340-1-1ps-x	SAM: λ =1340 nm, absorptance 1 %, t ~ 1ps
SAM-1340-2-1ps-x	SAM: λ =1340 nm, absorptance 2 %, t ~ 1ps
SAM-1340-3-1ps-x	SAM: λ =1340 nm, absorptance 4 %, t ~ 1ps
SAM-1340-7-1ps-x	SAM: λ =1340 nm, absorptance 7 %, t ~ 1ps
SAM-1340-15-1ps-x	SAM: λ =1340 nm, absorptance 15 %, t ~ 1ps
SAM-1420-1-10ps-x	SAM: λ =1420 nm, absorptance 1 %, t ~ 10ps
SAM-1420-4-10ps-x	SAM: λ =1420 nm, absorptance 4 %, t ~ 10ps
SAM-1510-4-10ps-x	SAM: λ =1510 nm, absorptance 4%, t ~ 10ps
SAM-1510-6-10ps-x	SAM: λ =1510 nm, absorptance 6%, t ~ 10ps
SAM-1510-15-2ps-x	SAM: λ =1510 nm, absorptance 15%, t ~ 2ps
SAM-1510-18-2ps-x	SAM: λ =1510 nm, absorptance 18%, t ~ 2ps
SAM-1510-23-2ps-x	SAM: λ =1510 nm, absorptance 23%, t ~ 2ps
SAM-1645-2-2ps-x	SAM: λ =1645 nm, absorptance 2%, t ~ 2ps
SAM-1645-4-2ps-x	SAM: λ =1645 nm, absorptance 4%, t ~ 2ps
SAM-1645-5-2ps-x	SAM: λ =1645 nm, absorptance 5%, t ~ 2ps
SAM-1645-8-2ps-x	SAM: λ =1645 nm, absorptance 8%, t ~ 2ps
SAM-1645-32-2ps-x	SAM: λ =1645 nm, absorptance 32%, t ~ 2ps
SAM-1645-50-2ps-x	SAM: λ =1645 nm, absorptance 50%, t ~ 2ps

1550nm SESAM鏡規(guī)格型號：

Relaxation time τ ~ 3 ps		Relaxation time τ ~ 10 ps
SAM-1550-3-4ps-x	SAM-1550-21-2ps-x	SAM-1550-3.5-10ps-x	SAM-1550-30-5ps-x
SAM-1550-4-4ps-x	SAM-1550-22-2ps-x	SAM-1550-7-10ps-x	SAM-1550-32-18ps-x
SAM-1550-10-5ps-x	SAM-1550-23-2ps-x	SAM-1550-11-18ps-x	SAM-1550-40-10ps-x
SAM-1550-12-2ps-x	SAM-1550-25-5ps-x	SAM-1550-15-7ps-x	SAM-1550-42-12ps-x
SAM-1550-12-5ps-x	SAM-1550-26-2ps-x	SAM-1550-15-12ps-x	SAM-1550-43-6ps-x
SAM-1550-14-5ps-x	SAM-1550-26-5ps-x	SAM-1550-17-10ps-x	SAM-1550-50-10ps-x
SAM-1550-16-2ps-x	SAM-1550-27-2ps-x	SAM-1550-20-10ps-x
SAM-1550-17-1.5ps-x	SAM-1550-32-4ps-x	SAM-1550-20-12ps-x
SAM-1550-17-2ps-x	SAM-1550-33-2ps-x	SAM-1550-22-5ps-x
SAM-1550-17-4ps-x	SAM-1550-40-2ps-x	SAM-1550-22-12ps-x
SAM-1550-18-2ps-x	SAM-1550-41-1.5ps-x	SAM-1550-25-18ps-x
SAM-1550-20-4ps-x	SAM-1550-55-2ps-x	SAM-1550-28-12ps-x

1920nm~2000nm SESAM鏡規(guī)格型號：

Laser wavelength τ ~ 1920 nm	Laser wavelength τ ~ 1960 nm	Laser wavelength τ ~ 2000 nm
SAM-1920-2-30ps-x	SAM-1960-3-10ps-x	SAM-2000-13-10ps-x
SAM-1920-4-40ps-x	SAM-1960-4-10ps-x	SAM-2000-20-10ps-x
SAM-1920-7-10ps-x	SAM-1960-5-10ps-x	SAM-2000-22-10ps-x
SAM-1920-8-10ps-x	SAM-1960-8-10ps-x	SAM-2000-30-10ps-x
SAM-1920-18-15ps-x	SAM-1960-13-10ps-x	SAM-2000-36-10ps-x
SAM-1920-36-10ps-x	SAM-1960-15-10ps-x	SAM-2000-43-10ps-x
	SAM-1960-18-10ps-x	SAM-2000-44-10ps-x
	SAM-1960-30-10ps-x	SAM-2000-50-10ps-x
	SAM-1960-54-10ps-x

3000nm半導體可飽和吸收鏡規(guī)格型號：

型號	規(guī)格
SAM-2150-2.5-10ps-x	SAM: λ =2150nm, absorptance 2.5%, t ~ 10ps
SAM-2150-8-10ps-x	SAM: λ =2150nm, absorptance 8%, t ~ 10ps
SAM-2400-1-10ps-x	SAM: λ =2400nm, absorptance 1%, t ~ 10ps
SAM-2400-1.5-10ps-x	SAM: λ =2400nm, absorptance 1.5%, t ~ 10ps
SAM-2800-14-10ps-x	SAM: λ =2800nm, absorptance 14%, t ~ 10ps
SAM-2800-20-10ps-x	SAM: λ =2800nm, absorptance 20%, t ~ 10ps
SAM-2800-34-10ps-x	SAM: λ =2800nm, absorptance 34%, t ~ 10ps
SAM-2900-9-10ps-x	SAM: λ =2800nm, absorptance 9%, t ~ 10ps
SAM-3000-33-10ps-x	SAM: λ =2800nm, absorptance 33%, t ~ 10ps

半導體可飽和吸收鏡SESAM的原理

下圖是半導體可飽和吸收鏡的基本結(jié)構(gòu)。可飽和吸收鏡（SESAM）的基本結(jié)構(gòu)包括兩層反射鏡和中間的半導體可飽和吸收體，簡稱SA。在GaAs晶體上生長一層99%反射率的布拉格反射鏡，反射鏡上是一層有一定厚度的可飽和吸收體，可飽和吸收體上有一個反射層，可以直接用半導體和口空氣的界面作為反射鏡。這樣外側(cè)的兩個反射鏡就形成了一個法布里-珀羅腔（FP cavity），通過設置不同的吸收體的厚度和反射率，就可以調(diào)節(jié)吸收體的調(diào)制深度和反射鏡的帶寬。

SAM可飽和吸收鏡可作為超快激光器的鎖模元件。基本過程是可飽和吸收體在激光腔內(nèi)光線震蕩的過程中不斷吸收能量，從幾乎0能量的空白狀態(tài)達到滿能量的“飽和”狀態(tài)，達到飽和狀態(tài)后，可飽和吸收鏡不再有吸收光的能力，對激光呈現(xiàn)透明的特性，有些文章也把這個特性描述成強光狀態(tài)下被漂白。可飽和吸收鏡產(chǎn)生超短脈沖激光利用了半導體吸收的兩個特征弛豫時間：帶間躍遷 (interbａnd transition) 弛豫時間和帶內(nèi)熱平衡 (intraband thermalization) 弛豫時間。在SAM鎖模過程中，響應時間較長的帶間躍遷 (如載流子重組，幾ps~幾百ps) 提供了鎖模的自啟動機制，而響應時間很短的帶內(nèi)熱平衡(100~200fs)可以有效壓縮脈寬、維持鎖模。因此，可飽和吸收鏡SESAM能夠自動鎖模產(chǎn)生皮秒或飛秒激光，并且持續(xù)不斷低重復這個過程。