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廣電計量檢測集團(tuán)股份有限公司

Cr:YAG、V:YAG、Co:Spinel晶體

參考價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱深圳維爾克斯光電有限公司
  • 品       牌
  • 型       號
  • 所  在  地
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 更新時間2024/2/29 16:17:08
  • 訪問次數(shù)226
產(chǎn)品標(biāo)簽:

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深圳維爾克斯光電有限公司是的進(jìn)口光電代理商,代理的激光、光電、光機(jī)械類產(chǎn)品,應(yīng)用涵蓋物理與光學(xué)、化學(xué)、材料、生命科學(xué)等領(lǐng)域。我們與國內(nèi)各大高校、研究所、激光設(shè)備公司和及精密儀器公司保持著緊密的聯(lián)系,提供針對不同應(yīng)用的專業(yè)技術(shù)支持。 維爾克斯光電在衍射光學(xué)、微光學(xué)、太赫茲元件、、光束分析儀、太陽光模擬器、顯微鏡載物臺、紅外熱像儀、電控平移臺、紅外探測器、光學(xué)儀器等領(lǐng)域具有多年的產(chǎn)品和技術(shù)積累,能夠?yàn)橛脩籼峁└鞣N高性價比的解決方案。
Cr:YAG晶體是Nd:YAG和其他摻雜Nd或Yb的0.8至1,2μm波長激光器的調(diào)Q開關(guān)的理想材料,其顯著特征之一是其高損傷閾值。V:YAG晶體是一種相對較新的可飽和吸收體和被動調(diào)Q開關(guān)的晶體材料,其光譜范圍為1064至1440 nm,這主要是因?yàn)槠浠鶓B(tài)非常高。在約1300nm處的吸收峰周圍的吸收截面和激發(fā)態(tài)的吸收不明顯。Co:Spinel是一種新近開發(fā)的材料,已被證明是發(fā)射1.2-1.6 µm......
Cr:YAG、V:YAG、Co:Spinel晶體 產(chǎn)品信息

Cr4+:YAG晶體, VYAG晶體, Co:Spinel晶體

 

Optogama公司提供了三款成熟的被動調(diào)Q晶體:Cr:YAG crystalsV:YAG crystalsCo:Spinel crystals

被動調(diào)Q開關(guān)晶體和可飽和吸收體一樣,可以被用作被動調(diào)Q激光器中的激光諧振腔質(zhì)量調(diào)制器,其工作原理不同于主動調(diào)Q方式的電控調(diào)制器。通常,這些吸收材料的飽和通量(單位面積的飽和能量)很低,它們在聚焦光束中使用時會進(jìn)一步降低飽和能量(飽和通量乘以光束面積)

Cr4 +YAG晶體中文名摻鉻釔鋁石榴石是波長在0.81,2μm激光器(NdYAG和其他摻雜NdYbQ開關(guān)的理想材料。 Cr4 +YAG有一個顯著的特征就是其高損傷閾值500-1000 MW / cm2。 它的吸收帶從800 nm延伸到1200 nm,在1060nm左右達(dá)到峰值,吸收峰截面積非常大。

V:YAG晶體中文名摻釩釔鋁石榴石是一種相對較新的晶體材料,適宜于1.061.44 μm激光發(fā)射,特別適應(yīng)于1.3μm Nd激光器。在1300 nm左右的吸收峰附近,激發(fā)態(tài)的吸收峰截面不明顯。這種材料具有優(yōu)異的光學(xué)、力學(xué)和熱性能。可以用Czochralski法生產(chǎn)。VYAG晶體用于NdYAGNdYAPNdKGWNdYVO 4等多種有源介質(zhì)中,可獲得結(jié)構(gòu)緊湊、性能優(yōu)良的被動調(diào)Q激光器。

Co:Spinel晶體中文名叫鈷尖晶石是一種新型發(fā)展的材料,發(fā)射波長范圍在1.2-1.6μm,已經(jīng)被證明是一種非常有效的被動調(diào)Q開關(guān)。它被廣泛用于對眼睛安全的Erglass激光器(1.54 µm),并且在波長1.44 µm1.34 µm的激光器上得到驗(yàn)證。CoMalo(Co:尖晶石)具有高吸收截面,使得Er:玻璃激光器(閃光燈和二極管激光泵浦)Q開關(guān),無需腔內(nèi)聚焦,可忽略激發(fā)態(tài)吸收,導(dǎo)致Q開關(guān)的對比度高,即初始與飽和吸收信號的比率高于10

 

CrYAG晶體主要特點(diǎn):

-500-1000 MW / cm2的高損傷閾值

-高穩(wěn)定化學(xué)性和可靠性

-導(dǎo)熱性好,壽命長

-緊湊型無源Q開關(guān)

-操作容易

CrYAG晶體主要應(yīng)用:

       -用于激光測距儀,LIDARLIBS系統(tǒng)的無源調(diào)Q激光器

-需要短脈沖的激光系統(tǒng)。

CrYAG晶體技術(shù)特性:

晶體結(jié)構(gòu)

立方體

密度

456/厘米3

熱膨脹系數(shù)

6.14×10-6 K-1

熱導(dǎo)率

112 Wm-1K-1

莫氏硬度

8,2

折射率

1,82@1064NM

CrYAG晶體產(chǎn)品規(guī)格:

可用初始透射率

5-99%@1064 nm

初始傳輸誤差

±1%(大于80%)

通光孔徑

>90%

面尺寸公差

+0/-0.1毫米

平行度誤差

<10 arcsec

垂直度誤差

<10 arcmin

保護(hù)槽

<0,1 mm at 45?

 AR膜層

r<015%@1064 nm

表面質(zhì)量

10-5 S-D

表面平整度

<λ/8@6328 nm

波前畸變

<λ/4@632,8

激光損傷閾值

>10 J/cm2@1064 nm10 ns

 

CrYAG晶體產(chǎn)品型號

SKU

面尺寸

初始傳輸

增透膜

價格 (RMB

7279

?3毫米

20%

AR/Ar@1064NM

1900

7280

?3毫米

30%

AR/Ar@1064NM

1900

7281

?3毫米

40%

AR/Ar@1064NM

1900

7282

?3毫米

50%

AR/Ar@1064NM

1900

7283

?3毫米

60%

AR/Ar@1064NM

1900

7284

?3毫米

70%

AR/Ar@1064NM

1900

7285

?3毫米

80%

AR/Ar@1064NM

1900

7286

?3毫米

85%

AR/Ar@1064NM

1900

7287

?3毫米

90%

AR/Ar@1064NM

1900

7288

?3毫米

95%

AR/Ar@1064NM

1900

7289

?3毫米

98%

AR/Ar@1064NM

1900

7290

3x3毫米

20%

AR/Ar@1064NM

1900

7291

3x3毫米

30%

AR/Ar@1064NM

1900

7292

3x3毫米

40%

AR/Ar@1064NM

1900

7293

3x3毫米

50%

AR/Ar@1064NM

1900

7294

3x3毫米

60%

AR/Ar@1064NM

1900

7295

3x3毫米

70%

AR/Ar@1064NM

1900

7296

3x3毫米

80%

AR/Ar@1064NM

1900

7297

3x3毫米

85%

AR/Ar@1064NM

1900

7298

3x3毫米

90%

AR/Ar@1064NM

1900

7299

3x3毫米

95%

AR/Ar@1064NM

1900

7300

3x3毫米

98%

AR/Ar@1064NM

1900

7301

?6 mm

20%

AR/Ar@1064NM

2150

7302

?6 mm

30%

AR/Ar@1064NM

2150

7303

?6 mm

40%

AR/Ar@1064NM

2150

7304

?6 mm

50%

AR/Ar@1064NM

2150

7305

?6 mm

60%

AR/Ar@1064NM

2150

7306

?6 mm

70%

AR/Ar@1064NM

2150

7307

?6 mm

80%

AR/Ar@1064NM

2150

7308

?6 mm

85%

AR/Ar@1064NM

2150

7309

?6 mm

90%

AR/Ar@1064NM

2150

7310

?6 mm

95%

AR/Ar@1064NM

2150

7311

?6 mm

98%

AR/Ar@1064NM

2150

 

VYAG晶體主要特點(diǎn):

-高基態(tài)吸收

-不明顯激發(fā)態(tài)吸收

-Q開關(guān)的高對比度

-良好的光學(xué)、力學(xué)和熱性能

-耐紫外線高損傷閾值(>500 mW/cm)2)

VYAG晶體主要應(yīng)用:

-用于激光測距儀、激光雷達(dá)和LIBS系統(tǒng)的被動調(diào)Q激光器

VYAG晶體技術(shù)特性:

晶體結(jié)構(gòu)

立方體

密度

456/厘米3

熱膨脹系數(shù)

6.14×10-6 K-1

熱導(dǎo)率

112 Wm-1K-1

Mohs硬度

8,2

折射率

1,82@1064NM

VYAG晶體產(chǎn)品規(guī)格:

可用初始傳輸

30-98%@1340 nm

初始傳輸誤差

±1%(大于80%)

通光孔徑

>90%

面尺寸公差

+0/-01毫米

平行度誤差

<20 arcsec

垂直度誤差

<10 arcmin

保護(hù)槽

<0,1 mm at 45?

Ar涂層

r<02%@1310-1360 nm

表面質(zhì)量

10-5 S-D

表面平整度

<λ/8@6328 nm

波前畸變

<λ/4@632,8

激光損傷閾值

>10 J/cm2@1064 nm10 ns

 

VYAG晶體產(chǎn)品型號:

SKU

面尺寸

初始傳輸

價格 (RMB

7312

3x3毫米

30%

5100

7313

3x3毫米

40%

5100

7314

3x3毫米

50%

5100

7315

3x3毫米

60%

5100

7316

3x3毫米

70%

5100

7317

3x3毫米

80%

5100

7318

3x3毫米

85%

5100

7319

3x3毫米

90%

5100

7320

3x3毫米

95%

5100

7321

?5毫米

30%

5100

7322

?5毫米

40%

5100

7323

?5毫米

50%

5100

7324

?5毫米

60%

5100

7325

?5毫米

70%

5100

7326

?5毫米

80%

5100

7327

?5毫米

85%

5100

7328

?5毫米

90%

5100

7329

?5毫米

95%

5100

 

Co:Spinel晶體的主要特點(diǎn):

-1.3至1.6m范圍內(nèi)的低光學(xué)損耗

-高光損傷閾值

Co:Spinel晶體的主要應(yīng)用:

-無源Q開關(guān)Er:玻璃@1.54m

Co:Spinel晶體的技術(shù)特性:

晶體結(jié)構(gòu)

立方體

密度

358/厘米3

熱膨脹系數(shù)

6,14×10-6 K-1

熱導(dǎo)率

17 Wm-1K-1

Mohs硬度

8

折射率

1,6-1,75

Co:Spinel晶體的產(chǎn)品規(guī)格:

有效初裂

50-99%@1535 nm

初始傳輸誤差

±1%(大于80%)

有效孔徑

>90%

面尺寸公差

+0/-0.1毫米

平行度誤差

<20 arcsec

垂直度誤差

<10 arcmin

保護(hù)槽

<0,1 mm at 45?

AR膜層

r<0.15%@1535 nm

表面質(zhì)量

20-10 S-D

表面平整度

<λ/8@6328 nm

波前畸變

<λ/4@6328 nm,通過透明光圈

激光損傷閾值

>8J/cm2@1535 nm10 ns

 

Co:Spinel晶體的產(chǎn)品型號:

SKU

面尺寸

初始傳輸

增透膜

價格 (RMB

7330

3x3毫米

70%

AR/Ar@1535NM

4150

7331

3x3毫米

80%

AR/Ar@1535NM

4150

7332

3x3毫米

85%

AR/Ar@1535NM

4150

7333

3x3毫米

90%

AR/Ar@1535NM

4150

7334

3x3毫米

92%

AR/Ar@1535NM

4150

7335

3x3毫米

95%

AR/Ar@1535NM

4150

7336

3x3毫米

97%

AR/Ar@1535NM

4150

7337

5x5毫米

70%

AR/Ar@1535NM

4600

7338

5x5毫米

80%

AR/Ar@1535NM

4600

7339

5x5毫米

85%

AR/Ar@1535NM

4600

7340

5x5毫米

90%

AR/Ar@1535NM

4600

7341

5x5毫米

92%

AR/Ar@1535NM

4600

7342

5x5毫米

95%

AR/Ar@1535NM

4600

7343

5x5毫米

97%

AR/Ar@1535NM

4600

7802

3x3毫米

98.5%@1522 nm

HT@976NM+HR@1522NM/HT@976NM+Ar@1522NM

6400


關(guān)鍵詞:激光測距儀 測距儀
15168338725
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