JEM-2200FS分析型電子顯微鏡配備場發(fā)射電子槍和Ω型內(nèi)置式能量過濾器(Omega過濾器)。
利用過濾器的功能，不僅可以進(jìn)行樣品中的元素分析，還能分析化學(xué)結(jié)合狀態(tài)，從零損失像和能量過濾像中獲得感興趣的有用信息。
利用過濾器的功能，不僅可以進(jìn)行樣品中的元素分析，還能分析化學(xué)結(jié)合狀態(tài)，從零損失像和能量過濾像中獲得感興趣的有用信息。
鏡筒內(nèi)置式Omega過濾器
鏡筒內(nèi)置式能量過濾器能獲取高精度的能量過濾像及電子能量損失譜，優(yōu)化設(shè)計的過濾器能提供無畸變的過濾像。
控制系統(tǒng)
電子槍、透鏡、過濾器等電子光學(xué)系統(tǒng)、測角臺、抽真空系統(tǒng)等全部由計算機控制。系統(tǒng)的穩(wěn)定性高，因此能獲得穩(wěn)定的數(shù)據(jù)
成像系統(tǒng)
采用四級中間鏡和兩級投影鏡的新成像系統(tǒng)，在很大的倍率和相機長度范圍，實現(xiàn)了TEM像及衍射花樣的磁轉(zhuǎn)角補償（無磁轉(zhuǎn)角）。
壓電陶瓷控制測角臺
新的測角臺采用了壓電陶瓷，能順利操作原子級的視場搜索。
| 物鏡種類*1 | 分辨率 （UHR）型 | 高分辨率 （HR）型 | 樣品高傾斜 （HT）型 | 樣品冷卻 （CR）型 | 高襯度 （HC）型 |
| 分辨率 | |||||
| 點分辨率 晶格分辨率 | 0.19 nm 0.1 nm | 0.23 nm 0.1 nm | 0.25 nm 0.1 nm | 0.27 nm 0.14 nm | 0.31 nm |
| 能量分辨率 | 0.8 eV（零損失 FWHM） | ||||
| 加速電壓 | 160 kV，200 kV*2 | ||||
| 最小步長 能量位移 | 50 V 3,000 V（以0.2V為步長） | ||||
| 電子槍 | |||||
| 發(fā)射體 | ZrO/W(100) 肖特基式 | ||||
| 亮度 | ≧4×108 A／cm2 ? sr | ||||
| 真空度 | ×10-8 Pa 級 | ||||
| 探針電流 | 探針直徑為１ nm ，在0.5 nA以上 | ||||
| 穩(wěn)定度 | |||||
| 加速電壓 | ≦1×10-6／min | ||||
| 物鏡電流 | ≦1×10-6／min | ||||
| 過濾器電流 | ≦1×10-6／min | ||||
| 物鏡 | |||||
| 焦距 | 1.9 mm | 2.3 mm | 2.7 mm | 2.8 mm | 3.9 mm |
| 球差系數(shù) | 0.5 mm | 1.0 mm | 1.4 mm | 2.0 mm | 3.3 mm |
| 色差系數(shù) | 1.1 mm | 1.4 mm | 1.8 mm | 2.1 mm | 3.0 mm |
| 最小焦距步長 | 1.0 nm | 1.4 nm | 1.8 nm | 2.0 nm | 5.2 nm |
| 束斑尺寸 | |||||
| TEM 模式 | 2 ～ 5 nm | ７ ～30 nm | |||
| EDS 模式 | 0.5 ～ 2.4 nm | 1.0 ～2.4 nm | - | 4 ～20 nm | |
| NBD 模式 | - | - | |||
| CBD 模式 | 1.0 ～2.4 nm | - | |||
| 電子束衍射 | |||||
| 衍射角(2α) | 1.5 to 20 mrad or more | - | |||
| 取出角 | ±10 ° | - | |||
| 倍率 | |||||
| MAG 模式 | ×2,000 ～ 1,500,000 | ×2,000 ～ 1,200,000 | ×1,500 ～ 1,000,000 | ×1,200 ～ 600,000 | |
| LOW MAG 模式 | ×50 to1,500 | ||||
| SA MAG 模式 | ×10,000 ～ 800,000 | ×8,000 ～ 600,000 | ×8,000 ～500,000 | ×5,000 to 400,000 | |
| 能量過濾像 有效視場大小 | 80 mm dia. on final image plane (film) when 10 eV is selected 25 mm dia. on final image plane (film) when 2 eV is selected | ||||
| 相機長度 | |||||
| 選區(qū)電子衍射 | 150 ～ 1,500mm | 200 ～ 2,000 mm | 250 ～ 2,500 mm | 300 ～ 3,000 mm | |
| EELS 散射 | |||||
| 狹縫上 | 1.2 μm／eV, 200 kV | ||||
| 最終像平面 | 50 ～ 300 μm／eV, 200 kV | ||||
| 樣品室 | |||||
| 移動量(XY / Z) | 2mm／0.2mm | 2mm／0.4mm | 2mm／0.4mm | 2mm／0.4mm | 2mm／0.4mm |
| 傾斜角(X / Y)*3 | ±25°／±25° | ±35°／±30° | ±42°／±30° | ±15°／±10° | ±38°／±30° |
| 傾斜角(X)*4 | ±25° | ±80° | ±80° | ±80° | ±80° |
| EDS*5 | |||||
| 固體角*6 | 0.13 sr | - | 0.09 sr | ||
| 取出角 | 25° | - | 20° | ||
*1 : 訂貨時請選擇物鏡種類。
*2 : 加速電壓80、100、120 kV時，可使用加速管短路開關(guān)（選配件）
*3 : 使用雙傾樣品桿
*4 : 高傾斜樣品臺使用
*5 : EDS為選配件
*6 : 安裝30mm2 檢測器時的數(shù)值
