Badikov大尺寸硫化物晶體,硫族化合物晶體
BaGa4Se7晶體
采用Bridgman-Stockbarger方法在實驗室中生長了BaGa4S7(BGS)晶體,獲得了其含Se的類似物BaGa4Se7(BGSe),其尺寸大到足以測量色散系數和折射系數,這是預測相位相互作用特性的先決條件。
BaGa4Se7晶體結構與物理特性
結構與物理特性 | |
晶格對稱性 | 單斜 |
空間群 | PC |
熔點(℃) | 1050 |
光學均勻度(折射率偏差) | Δn=1*10-4 |
吸收系數(cm-1) | <0.005 |
晶胞參數(?) | a=7.62,b=6.51,c=14.70,β=121,20 |
光學與非線性特性 | |
透射譜范圍(μm) | 0.47~18 |
能隙(eV) | 2.64 |
非線性系數 | d11=18.2 pm/V d13=20.6 pm/V |
雙折射率 | Δn=0.08 @1μm |
BaGa4Se7晶體規格參數
尺寸規格 | 晶向 |
BaGa4Se7柱狀晶體 | |
6×6×15 | Type II,φ=5.8°,θ=90° |
8×8×25 | Type II,φ=33.5°,θ=90° |
10×9×20 | Type I,φ=43.3°,θ=0° |
12×12×35 | Type I,φ=46.46°,θ=0° |
BaGa4Se7平板晶體 | |
5×5×1 | Type I,θ=40.7°,φ=0° |
8×8×1 | Type I,θ=46.46°,φ=0° |
12×12×1 | Type I,θ=43.3°,φ=0° |
BaGa4Se7晶體工藝公差表
公差類型 | 參數 |
通光孔徑公差 | +0.1/-0 mm |
厚度公差 | +0.1/-0 mm |
角度公差(φ和θ) | +/-30 arcmin |
垂直公差 | 15 arcmin |
孔徑倒角 | 0.1~0.3mm |
平行度 | <120 arcsec |
平整度 | <λ/6@633nm |
面型精度 | 30/20,S/D |
軸向 | ±0.5°,@所有軸 |
Badikov的晶體實驗室具有50多年的硫族化合物晶體的生產經驗,以及超過30年的非線性激光晶體,硫化物非線性晶體的商業供應經驗。團隊已開發出的培養技術,大型高質量晶體已準備好用于商業供應:BaGa4Se7,BaGa4S7,BaGa2GeSe6,BaGa2GeS6,Ba2Ga8GeS16。Badikov是大尺寸HgGa2S4晶體的制造商。您也可以訂Hg1-xCdxGa2S4晶體。還生長了以下具有高光學質量的元素:Ag3AsS3,Ag3SbS3,AgGaS2,AgGaSe2,AgGa1-x InxS2,AgGaxIn1-xSe2,AgGaGeS4,AgGaGe5Se12,HgGa2S4,Hg1-xCdxGa2S4,PbIn6Te10,PbGa6Te10,Pb1-xCaxIn6Te10,Tl4HgI6,PbGa2GeSe6,GaSe等。團隊可以根據用戶的研究任務,對單晶生長技術的發展進行研究,并合成任何數量的硫化物晶體。我們一直在尋找和開發新的晶體。現在已經生長出了尚未研究或尚未研究的晶體,例如:HgIn2Se4、HgIn2S4、Fe2In2Te5、Fe2Mn2Se5。
AgGaS2晶體簡介
AgGaS2晶體是常見的硫化物晶體,通常用來二倍頻和三波混頻。用適合的光源進行泵浦,基于這類硫化物非線性晶體的參量振蕩可以產生光譜范圍1~10微米的波長連續可調諧的激光。高質量的非線性晶體AgGaS2和其較長的尺寸使實現高轉換效率變得可能。用摻Nd的YAG激光器(1064nm)的單皮秒脈沖泵浦AgGaS2的參量發生已被證實覆蓋了2.2~7.4微米范圍。由于非共線雙晶結構,比之前報道過的(在該光譜范圍用皮秒脈沖泵浦的光學參量振蕩)更高的轉換效率已經可以實現了。而且基于單個的AgGaS2晶體的雙通的OPO也實現了。該器件與雙晶OPO相比,在不損失轉換效率的情況下具有一定優勢。
AgGaS2晶體參數表
物理結構特性 | ||
晶格對稱性以及點群 | 四方晶系,D2d | |
空間群 | D122d | |
晶胞參數(晶格特征參數)(?) | a=5.742,c=10.305 | |
熔點(℃) | 980 | |
晶體光學均勻性(折射率偏差) | Δn<1*10-4 | |
密度(g/cm3) | 4.58 | |
吸收系數(cm-1) | <0.005 | |
光學與非線性光學特性 | ||
光學傳輸范圍(μm) | 0.47到12.5 | |
能隙(eV) | 2.8 | |
各向同性波長(μm) | 0.497 | |
折射率(實測值) | ||
λ(μm) n | no | ne |
0.53 | 2.6148 | 2.6145 |
0.65 | 2.5417 | 2.4941 |
1.064 | 2.4489 | 2.3952 |
2.0 | 2.4131 | 2.3594 |
10.6 | 2.3449 | 2.2908 |
損傷閾值 | ||
(τ=10 ns,λ=1.06 μm),20 MW/cm2 | ||
非線性光學系數 | ||
d36(10.6μm)=0.15d36(GaAs)= 13.4 pm/V dooe = d36sinθsin2φ deoe = doee = d36sin2θcos2φ | ||
色散方程(Sellmeier equations,λ in μm) | ||
no2 = 4.4368659+541.97177/(400+λ2)- 0./(0.-λ2) ne2 = 4.1704137+550.23080/(400+λ2)- 0./(0.-λ2) | ||
使用AgGaS2的實驗結果 | ||
泵浦激光:1.06 μm 30ps鎖模激光輸出波長:4~10 μm 量子轉換效率(%) 2.8 (λ=5.2 μm) 1.6 (λ=6.3 μm) 0.6 (λ=7.1 μm) |
HgGa2S4晶體簡介
我們在生長HgGa2S4硫化物晶體等非線性晶體方面占有地位。高的激光損傷閾值和高轉換效率使得這些晶體可以用于1.0~10 um的波長范圍內的倍頻和OPO/OPA。據證實,CO2激光器用4mm長的HgGa2S4晶體進行二倍頻的量子轉換效率為10%(脈寬30ns,輻射功率密度60MW/cm2)。高轉換效率和寬波長可調諧發射譜使得HgGa2S4
具有與AgGaS2,AgGaSe2,ZnGeP2和GaSe晶體競爭的實力,盡管生長大尺寸的HgGa2S4具有一定難度。
HgGa2S4參數表
物理結構特性 | ||
晶格對稱性以及點群 | 四方晶系,S4 | |
空間群 | S24 | |
熔點(℃) | 880 | |
密度(g/cm3) | 4.95 | |
光學與非線性光學特性 | ||
光學傳輸范圍(μm) | 0.5到12.5 | |
能隙(eV) | 2.84 | |
折射率(實測值) | ||
λ(μm) n | no | ne |
0.5495 | 2.6592 | 2.5979 |
0.6500 | 2.5796 | 2.5264 |
1.0760 | 2.4774 | 2.4324 |
3.5400 | 2.4386 | 2.3979 |
11.000 | 2.3690 | 2.3290 |
損傷閾值 | ||
τ=10 ns,λ=1.06 μm(單脈沖),60 MW/cm2 τ=18 ns,λ=1.064 μm,ν=10 Hz,30 MW/cm2 | ||
非線性光學系數 | ||
d36(1.064μm)=1.8d36(AgGaS2)±15% = (35.2±5.3)pm/V d31(1.064μm)=0.6d36(AgGaS2)±15% = (11.7±1.8)pm/V d36 /d31 = 3 dooe = d36sinθsin2φ+ d31sinθsin2φ,φopt=36° deoe = doee = d36sin2θcos2φ- d31sin2θcos2φ,φopt=81° | ||
色散方程(Sellmeier equations,λ in μm) | ||
no2 = 6.2081522-63.706298/(225.0-λ2)- 0./(0.-λ2) ne2 = 6.0090267-63.280659/(225.0-λ2)- 0./(0.-λ2) | ||
使用HgGa2S4的實驗結果 | ||
用于CO2的激光器(τ=30ns,功率密度60 MW/cm2,L=4 mm)的量子轉換效率(%)為10 |
AgGaS2/HgGa2S4晶體工藝公差表
公差類型 | 參數 |
通光孔徑公差 | +0.1/-0 mm |
厚度公差 | +0.1/-0 mm |
角度公差(φ和θ) | +/-30 arcmin |
垂直公差 | 15 arcmin |
孔徑倒角 | 0.1~0.3mm |
平行度 | <120 arcsec |
平整度 | <λ/6@633nm |
軸向 | ±0.5°,@所有軸 |
AgGaS2/HgGa2S4晶體規格
晶體類型 | 尺寸 | θ | φ | 是否鍍膜 | 價格 |
AGS | 5×5×1mm | 39° | 45° | 依據合同 | - |
HGS | 5×5×1mm | 43.5° | 45° | 依據合同 | - |
AGS | 6×6×2mm | 50° | 0° | 依據合同 | - |
HGS | 6×6×2mm | 55.8° | 0° | 依據合同 | - |
AGS | 8×8×1mm | 39° | 45° | 依據合同 | - |
HGS | 8×8×1mm | 43.5° | 45° | 依據合同 | - |