產品簡介
PB1319系列太赫茲頻域天線是基于高性能低溫生長砷化鎵半導體技術，其具有實用、堅固耐用的優點。光纖耦合封裝形式。這些太赫茲混頻天線是按照ISO:9000制造標準建造的，采用全激光焊接組件，集成光學透鏡以及太赫茲硅透鏡。即使在4.5K的低環境下，PB1319太赫茲混頻器也有可靠的記錄。
PB1319太赫茲混頻器通常用于相干差頻系統中產生和探測太赫茲輻射。它們有多種結構，以及定制安裝或配置，通過激光焊接組件，集成光學透鏡和準直太赫茲硅透鏡。
產品參數（標準太赫茲混頻器）
| 參數 | 最小值 | 典型值 | 值 |
| 操作溫度* | -40℃ | 25℃ | +85℃ |
| 操作波長 | 760nm | - | 855nm |
| 有效太赫茲頻譜 | 100GHz | - | 3000GHz |
| 暗電流@20V 偏壓，25℃ | - | 0.3uA | 0.5uA |
| 發射器偏置電壓 | - | ±20V | ±25V |
| 太赫茲功率@200GHz** | 0.02uW | 0.1uW | 0.5uW |
| 太赫茲功率動態范圍 @100GHz*** @1000GHz*** | - - | 70dB 50dB | - - |
| 平均泵浦功率 | - | 30mW | 40mW |
| 光回射損耗@780nm | 20dB | 40dB | - |
產品參數（低溫太赫茲混頻器）
| 參數 | 最小值 | 典型值 | 值 |
| 操作溫度* | 4.5K | 300K | 350K |
| 操作波長 | 760nm | - | 855nm |
| 有效太赫茲頻譜 | 100GHz | - | 3000GHz |
| 暗電流@20V 偏壓，25℃ | - | 0.3uA | 0.5uA |
| 發射器偏置電壓 | - | ±20V | ±25V |
| 太赫茲功率@200GHz** | 0.02uW | 0.1uW | 0.5uW |
| 太赫茲功率動態范圍 @100GHz*** @1000GHz*** | - - | 70dB 50dB | - - |
| 平均泵浦功率 | - | 30mW | 40mW |
| 光回射損耗@780nm | 20dB | 40dB | - |
** 泵浦功率30mW，780nm, 500uA光電流
***在太赫茲頻域光譜儀PB7200中測試所得到的結果
基于太赫茲混頻器的太赫茲頻譜儀系統結構配置
太赫茲混頻器典型頻譜
太赫茲混頻器機械機構
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