CuProtect工藝 - 美國*施加的電壓解封裝。
TotalProtect Process - 美國*施加的電壓和冷卻系統解封裝。
PlasmaEtch Process - 美國專li9,548,227 B2 - 使用等離子體放電管的微波誘導等離子體。
行業的化學芯片開封系統----JetEtch Pro
美國 Nisene Technology Group 生產的 JetEtch 自動開封機，可采用雙酸刻蝕，并利用負壓噴霧技術進行刻蝕。根據不 同的器件封裝材料和尺寸，可設定不同的試驗條件，進行定位刻蝕。主要可設置的試驗參數包括：采用刻蝕酸的種 類、刻蝕酸的比例、蝕刻溫度、蝕刻時間、酸的流量(酸的用量)、清洗的時間等。同時采取漩渦噴酸的方式，可大 大降低用酸量，從而能夠比較精確地去除掉芯片表面的封裝材料，達到較好的開封效果。根據器件的不同封裝形式， 可選取不同封裝開口模具，可控制開口的位置和大小，目前配有的開口模具有多種，基本滿足目前的封裝需要，如 適用 DIP／SIP，PLCC，OFP，PBGA，芯片倒裝 BGA 和 S0 小外型封裝。
Nisene 是世界領xian的專注從事失效分析自動開封、IC 芯片去層、塑封蝕刻技術研究和設備制造的美國公司，有著 28 年的自動開封和蝕刻研發制造歷史， Nisene 科技公司很榮幸的介紹我們的新一代革命性酸液自動化開封 機 (Decapsulator)。我們命名為 JetEtch pro，正如其名，一個符合當今 IC 封裝之開封機設計要求，新型 Jetetch 第二代 開封機秉持著我們對半導體去除處理的一貫的承諾證明了 Nisene 科技公司為符合現在直至來失效分析專業需求而 提供創新，高質量設備產品的傳統； 今日 JetEtch pro 硬件，操作系統和軟件*重新設計并保留了以前熟悉的、精 密的設計以呈現比以往更靈活設計的開封機。 JetEtch pro 操作簡易、直覺的軟件透過簡單編程的順序逐步引導操作 員。一但設定完成，只以二個擊鍵便使軟件能完成一整個蝕刻程序。？
JetEtch Pro自動解封裝置作用和特點：
基于以下原因，我們需要將IC塑封材料進行去除：
1. 檢查IC元件為何失效；
2. 執行質量控制檢測和測試；
3. 為了研發的要求對芯片的設計進行修訂。
初出現的是手動開封，為了檢查芯片的一些缺陷而手動去除芯片外面包裹的塑封材料。但是手動開封存在著安全性不夠高，重復性較差，精度控制非常低，開封速度不夠快等問題。為此在這個基礎上NISENE研制出自動開封機JetEtch Pro，以解決手動開封存在的問題。JetEtch Pro系統通過用酸腐蝕芯片表面覆蓋的塑料能夠暴露出任何一種塑料IC封裝內的芯片。去處塑料的過程又快又安全，并且產生干凈無腐蝕的芯片表面。整個腐蝕過程是在一定壓力下的惰性氣體中完成的，不但能降低金屬氧化而且降低了產生的廢氣。這套系統被設計成在極少培訓的條件下安全并易于使用。
JetEtch pro CuProtect 一些特性和優點表現如下：
1. 銅線開封技術，專li的離子保護銅線技術。
2. 一條高亮度六線字母數字的顯示在所有情況排煙柜的照明下保證的可見性；
3. JetEtch pro CuProtect 為不同的構裝類型可充分地編輯程序和存放 100 組蝕刻程序。JetEtch pro CuProtect 在產業呈 現的準確性和功能性*；
4. 溫度選擇和自動精確溫度檢測；升降溫時間快，硝酸與硫酸的切換使用只需很小的時間；
5. JetEtch pro CuProtect 酸混合選擇：JetEtch pro CuProtect 軟件可以使用硝酸、硫酸或混合酸，另含 13 組混酸比率；
6.具有專li技術的泵浦可以達到精準酸的配比和快的腐蝕效率
7. 蝕刻劑混合選擇確保準確性及重復率，1ml~6ml/sec 的酸量選擇能提供更好的腐蝕效果；
8. 專li JetEtch pro CuProtect 電氣泵和蝕刻頭配件組；
9. 蝕刻劑流向選擇：渦流蝕刻和脈沖蝕刻，JetEtch pro CuProtect 廢酸分流閥；
10. 不會有機械損傷或影響焊線；不會有腐蝕性損傷或影響外部引腳；可以選擇硝酸、冷硫酸進行沖洗或不沖洗；
11. 無需等待，*腐蝕一顆樣品多只要 1~2 分鐘；
12. 通常使用的治具會與設備一同提供；通常情況不需要樣品制備；
13. 酸和廢酸存儲在標準化的酸瓶中；
14. 設備小巧，只需很小的空間擺放；安全蓋凈化：安全、簡單、牢靠。
例子：
詳細參數：
尺寸
主機(mm/英寸) 290 高 x 290 寬 x 419 深 / 11.5 高 x 11.5 寬 x 16.5 深
瓶柜(mm/英寸) 230 高 x 110 寬 x 110 深 / 9 高 x 4.25 寬 x 4.25 深
重量 (KG/磅)
17 / 38 (包含瓶柜和附件)
電源
350 W @ 95 - 130 VAC or 350 W @ 210 - 250 VAC
壓縮空氣/氮氣要求
壓縮空氣 4.2 kg/cm2 / 60 –100 psi
氮氣供應 2.8公升/分鐘 / 0.1 立方英尺/分鐘
可用的蝕刻液
蝕刻液流量:脈沖模式1、2、5或1-10mL/min;渦流模式1-6mL/min
煙硝酸
煙硫酸
硫酸（濃縮試劑）
硝酸：硫酸混合比例：6:1, 5:1, 4:1, 3:1
硫酸：硝酸混合比例 6:1, 5:1, 4:1, 3:1
溫度范圍
硝酸 20 – 90(°C)
硫酸 20 – 250(°C)
混合酸 20 – 100(°C)
蝕刻時間和方式
(用戶可選)
1–1800秒可調，1秒的增量
脈沖蝕刻模式, 渦流蝕刻模式
程序容量: 100,用戶自定義
升溫時間
(用戶可選)
0 – 120 秒可調，1秒的增量
清洗
硫酸、硝酸，無須清洗
儲液器
500mL或1升瓶
33/38/40/45mm蓋的尺寸
4個瓶子: 2個裝酸, 2個裝廢液
證書
CE證書, SEMI S-2-93, SEMI S-2-2000
