一、設備用途：

　　這是一臺高真空單室有機/金屬熱蒸發鍍膜設備，主要用于有機半導體材料的物理化學性能研究實驗、有機半導體器件的原理研究實驗。

　　該設備具有有機材料熱蒸發—沉積和金屬材料熱蒸發—沉積成膜功能。它是在高真空條件下，通過加熱材料的方法，在襯底上沉積各種化合物、混合物單層或多層膜，在襯底上沉積各種金屬或合金電極并形成器件。

　　二、設備主要技術特點：

　　1、蒸發源組件石英復合組件，為電流控制方式，配有電壓表與電流表，3套蒸發源可實現2對共蒸， 2個金屬蒸發源(電極水冷)，配有2套電控系統，額定電壓5V，額定電流300A。

　　2、樣品尺寸100*100mm。

　　3、真空獲得為復合分子泵+機械泵，配有預抽真空系統，可在分子泵不停止的情況下實現換樣品，設備30分鐘以內優于2*10-3pa，極限壓力8*10-4pa。

　　4、密封刀口無氧銅金屬密封，其余用氟膠圈，真空管路用不銹鋼金屬波紋管路，采用超高真空閥門。

　　5、每個蒸發源配擋板，基片配擋板，保證鍍膜的可控性。

　　6、樣品旋轉可在0-30轉/分鐘調速及定位。

　　三、設備主要組成：

　　該設備由一臺有機/金屬真空蒸發鍍膜室、分子泵真空機組、樣品傳送裝置、電控系統、膜厚檢測、組成。

　　真空鍍膜室：1組有機蒸發源、2組金屬蒸發源、旋轉樣品臺、樣品擋板、真空獲得與測量、電源系統等組成。真空室為前開門式，便于取放樣品及換蒸發源，主機與機柜分體式便于維護，每組蒸發源之間有隔板隔離，避免相互污染。

　　四、工作條件及主要技術參數：

　　1、供電：～380V三相五線供電系統(整機容量6KW)，環境溫度10℃～40℃，冷卻水循環量0.3M3/H，水溫度15℃～30℃，氣源壓力6公斤，6毫米塑料管。

　　2、極限真空：8×10-4Pa(新設備);工作背景真空：2×10-3Pa;恢復工作背景真空時間30分鐘左右。

　　五、熱蒸發鍍膜設備配置參數：

　　(一)、真空室及組件1套。

　　1)、 450*450*500主真空室(包括：不銹鋼U型室及門法蘭1套、XF100觀察窗及接管1套、可裝電極及接管的底法蘭1套、CF150法蘭座及接管1套、CF63法蘭座及接管1套、CF35法蘭座及接管2套、旋轉及擋板法蘭座1套、KF16接口1件)。

　　2)、 減速電機控制可旋轉、定位及調速樣品臺1套。

　　3)、 外控樣品臺旋轉檔板1套。

　　4)、 金屬及有機物蒸發源3套。(電極水冷)

　　5)、 外控蒸發源擋板3套。(電動磁力轉軸)

　　6)、 帶腳輪、支腳、圍板機架1套。

　　(二)、真空獲得1套。

　　1)、 真空室與插板閥連接管道1套(包括KF40預抽閥連接法蘭)。

　　2)、 KF40手動高真空角閥2只。

　　3)、 CF150插板閥2只。

　　4)、 600升復合分子泵1套。

　　5)、 KF25手動高真空角閥1只。

　　6)、 KF40*1米前級不銹鋼波紋管2根。

　　7)、 KF40四通通1只。

　　8)、 KF25*1.3米預抽不銹鋼波紋管1根。

　　9)、 KF40壓差閥1只。

　　10)、 合資6升機械泵1臺。

　　11)、 KF16手動充氣閥2只。

　　12)、 KF40卡箍9只。

　　13)、 KF25卡箍3只。

　　14)、 KF16卡箍3只。

　　(三)、電器控制1套。

　　1)、 1.6米機柜1套。

　　2)、 真空測量1套。(復合真空計)

　　3)、 蒸發加熱控制電源3套(含變壓器)。

　　4)、 旋轉、閥門、照明及蒸發源擋板控制電源1套。

　　5)、 總控電源1套。

　　(四)、其余配件：

　　1)、 樣品架2套

　　2)、 過渡真空室1套

　　3)、 磁力傳送桿1套

　　4)、 膜厚儀1套。(注：水冷探頭)

　　5)、 冷卻水循環機1套

　　(五)、密封件及緊固件等。

　　(六)、設計調試及運輸。

　　六、設計思路及案例：