DDR內(nèi)存類型DDR5、DDR5服務(wù)器
控制方式D-CAP +Iout VDDQ (值) (A)6
工作溫度范圍(℃)-40 到 105
支持 DDR5 應(yīng)用的單芯片設(shè)計(jì)
3 個(gè)輸出為 VDD (1.1V)、VDDQ (1.1V) 和 VPP (1.8V) 供電,可選第 4 個(gè)輸出 (VDD2)
用于快速瞬態(tài)響應(yīng)的 D-CAP+™ 控制
寬輸入電壓:4.5 V 至 15 V
可編程頻率:500 kHz 至 1.375 MHz
支持 I 2 C 和 I 3 C 總線接口,用于遙測(cè)電壓、電流、功率、溫度和故障條件
過(guò)流、過(guò)壓、過(guò)溫保護(hù)
持久寄存器(黑盒)功能
低靜態(tài)電流5 mm × 5 mm、35 引腳、QFN PowerPad™ 封裝
TPS53830 是用于 DDR5 on-DIMM 電源的 D-CAP+™ 模式集成降壓轉(zhuǎn)換器。它為具有可配置電流能力的 DIMM 模塊上的 DRAM 芯片提供 VDD、VDDQ 和 VPP 電壓。大電流軌可配置為 2 相或 2 個(gè)輸出,以通過(guò) D-CAP+™ 模式控制提供高達(dá) 12 A(或 6 A + 6 A)的電流。該轉(zhuǎn)換器還采用內(nèi)部補(bǔ)償以方便使用并減少外部組件。
該轉(zhuǎn)換器提供全套遙測(cè),包括輸入電壓、輸出電壓和輸出電流。還提供過(guò)壓、欠壓、過(guò)流限制和過(guò)溫保護(hù)。
TPS53830 采用耐熱增強(qiáng)型 35 引腳 QFN 封裝,工作溫度范圍為 -40°C 至 +125°C。
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因ic芯片的型號(hào)和封裝種類繁多,產(chǎn)品沒(méi)有一 一上傳,
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