一、半導體清洗用超純水設備概述
隨著科技的進步，電子工業也在迅速的發展，在芯片半導體的生產過程中，對于半導體清洗用水的水質標準也越來越高。超純水設備一般應用于市政用水，處理成對不同離子的含量和顆粒度都有很高要求的超純水。
二、半導體清洗用超純水設備優點
1、工藝的設計細微周到，元件的材質、性能、設計的流量、流速、壓力等均符合國家的標準規范及國外材料商的規定要求。
2、制水過程高度自動化，自動進水，自動制水，純水箱滿水自動停機，用水后自動恢復，可實現無人值守的運行。
3、可選用可編程控制(PLC)，計算機觸摸屏控制，遠程數據采集及監控等*技術，使產品更具現代化特色。
三、半導體清洗用超純水設備工藝流程
EDI工藝詳細描述：
來自城市水源的水中含有鈉、鈣、鎂、氯化物、硝酸鹽、碳酸氫鹽、二氧化硅等溶解鹽。這些鹽由帶負電的離子(anion)和帶正電的離子(cation)組成。98%以上的離子都可以通過反滲透(RO)處理得以去除。城市的水源還含有有機物、溶解氣體(如：O2、CO2)、微量金屬和其它微電離的無機化合物，這些雜質在工業應用過程當中必須去除(如硼和硅)。RO系統和其預處理也可以去除許多這些雜質。
RO反滲透純凈水設備產水的電導率理想范圍一般在4-20µS/cm，而根據應用領域的不同，超純水或去離子水的電阻率一般在2-18.2MΩ.cm之間。通常，EDI進水離子越少，其產品水質量越高。
EDI工藝從水中去除不想要的離子，依靠在淡水室的樹脂吸附離子，然后將它們遷移到濃水室中。
離子交換反應在模塊的淡水室中進行，在那里陰離子交換樹脂釋放出氫氧根離子(OH-)而從溶解鹽(如氯化物、Cl-)中交換陰離子。同樣，陽離子交換樹脂釋放出氫離子(H+)而從溶解鹽中(如鈉、Na+)交換陽離子。
從水流中去除離子的吸附步驟，在模塊中的停留是有限的(近似10~15秒)。當被吸附時，離子僅僅被外在的直流電場驅動遷移。
一個直流(DC)電場通過放置在組件一端的陽極(+)和陰極(-)實現。電壓驅動這些被吸收的離子沿著樹脂球的表面移動，然后穿過離子選擇性膜進入濃水室。直流電場也裂解水分子形成氫氧根離子和氫離子：
H2O=OH-+H+
離子交換膜由垂直線表示，這些垂直線根據離子穿透性的不同標注成不同的幾項。因為這些離子選擇性膜不允許水穿過，所以他們對水流來說是個屏障。
帶負電的陰離子(如OH-、Cl-)被吸引到陽極(+),并且被陰極排斥。這些離子穿過陰離子選擇性膜，進入相鄰的濃水室，而不會穿過相鄰的陽離子選擇性膜，并滯留在濃水室，并隨濃水流出濃水室。在淡水室中帶正電的陽離子(如H+、Na+)被吸引到陰極(-),并且被陽極排斥。這些離子穿過陽離子選擇性膜進入臨近的濃水室，他們在那里被臨近的陰離子選擇性膜阻擋，并隨濃水流出濃水室。
在濃水室中，仍然維持電中性。從兩個方向輸送過來的離子彼此相互中和。從電源流過來的電流跟移動離子的數目成比例。水裂解離子(H+和OH-)和現存的離子都被遷移并且被加到所要求的電流之中。
當水流流過兩種不同類型的腔體時，淡水室中的離子就會被去除，同時被收集到鄰近的濃水流之中，這就可以從模塊中帶走被去除了的離子。
在淡水室和(或)濃水室中使用離子交換樹脂是EDI的關鍵技術和。在淡水室中還會發生一個重要現象，在電勢梯度高的特定區域，電化學“分解”能夠使水產生大量的H+和OH-離子。這些區域中產生的H+和OH-離子在混合的離子交換樹脂中可以使樹脂和膜不斷再生，并且不需要外加化學試劑。
合格的反滲透純凈水設備對于EDI理想的性能表現和EDI系統工作是一個基本要求(實際上對于任何基于離子交換樹脂的去離子系統都是這樣)。進水流中的污染物質對去離子組件會產生負面影響，要么增加維修頻率，要么減少模塊的使用壽命。因此，RO反滲透系統的品質和它的預處理是需要審定的。
四、半導體清洗用超純水設備工程客戶案例
| 合作公司 | 應用行業/噸位 |
| 陜西神光新能源有限責任公司 | 化工行業100噸/H 超純水設備 |
| 第四十七研究所 | 工業100T/H超純水設備 |
| 沈陽肯彼克電源科技有限公司 | 電子電源20T/H超純水處理設備 |
| 黑龍江奧宇石墨集團有限公司 | 生產行業專用15T/H超純水處理設備 |
| 哈爾濱鼎昕電子科技有限公司 | 電子行業15L/H超純水設備 |
| 沈陽鐵路信號責任有限公司 | 工業用50T/H超純水設備 |
| 深圳天馬微電子股份有限公司 | 電子工業100T/H超純水設備 |
五、半導體清洗用超純水設備水質標準
關于超純水設備的出水水質有很多標準，對于不同企業生產過程中所用到的純水水質也有所不同。半導體行業要遵循我國電子工業的相關標準，并且還要達到一些國外的水質標準等。而且還能達到美國ASTM標準和德國、日本等標準，并且水質穩定不會造成二次污染。
半導體芯片清洗超純水設備出水水質符合美國ASTM純水水質標準、我國電子工業部電子級水質技術標準(18MΩ.cm、15MΩ.cm、10MΩ.cm、2MΩ.cm、0.5MΩ.cm五級標準)、我國電子工業部高純水水質試行標準、美國半導體工業用純水指標、日本集成電路水質標準、國內外大規模集成電路水質標準。
六、半導體清洗用超純水設備施工方案
1) 合同簽訂后，10個工作日內設備到達現場，開始施工。需要預付款。
2) 施工工期為7個工作日，設備全部完工不超過20個工作日。
3) 需方準備情況：
原水量供應要滿足設備要求用水量。
電源安排供方施工現場。
設備安裝所需排水位置。
4) 供方負責項目工程：
安裝項目包括：全套設備的安裝施工。
設備調試：供方負責設備調試，達到設備安全穩定運行。
培訓：供方選派有豐富工作經驗的技術人員為需方操作人員及技術人員培訓。
注：安裝整套設備時供方會積極配合需方所要求的各項工作，需方應為供方提供施工中的便利。
以上是半導體清洗超純水設備的優點及工藝流程的詳細分析，萊特萊德是集設計、生產、制造于一體的綜合大型企業，廠家生產的超純水設備能夠長期而穩定的生產出符合質量要求的用水，我們還提供各種行業專用的水處理設備，憑借多年的努力和發展、設備齊全、安裝和調試、優質的售后服務，竭誠為廣大客戶服務。
