儀器簡介：
SP SP-3880AA系列原子吸收分光光度計-3880AA系列原子吸收分光光度計是上海光譜承擔的上海市科委2007科研條件支撐項目“全自動石墨爐火焰原子吸收一體機的研制”項目（項目編號：061422003）成果轉化的新產(chǎn)品，其中SP-3880AA為交直流塞曼扣背景全自動石墨爐火焰原子吸收一體機。
SP-3880AA系列集多項*技術和功能于一體。儀器具有的突出性能有：
1. SP-3880AA在石墨爐直流供電橫向加熱技術、自動補償石墨爐電阻變化技術、橫向可變交流磁場塞曼背景校正技術、自吸背景校正技術等關鍵技術方面具有創(chuàng)新性，已申請7項發(fā)明（其中5項已獲初審合格通知書），3項實用新型（其中“一種有利于精確夾緊的石墨爐頭” 號：.6 證書號 1270983）。
2. 該產(chǎn)品為石墨爐火焰原子吸收一體化設計，避免了石墨爐與火焰兩種模式的機械切換，操作方便，系統(tǒng)具有交直流塞曼扣背景功能，能較好檢測高背景樣品的小信號，也能直接檢測高溫元素，具有較廣泛的應用前景。
3. 該產(chǎn)品實現(xiàn)了全反射雙原子化器串聯(lián)型結構技術、開關型石墨爐直流加熱電源技術、交直流塞曼背景校正技術均為創(chuàng)。
4. SP-3880AA不僅實現(xiàn)了橫向可變交流磁場、直流磁場塞曼背景校正的一體化，并且實現(xiàn)了這兩種磁場塞曼背景校正的同時進行，使得系統(tǒng)不僅既有恒定磁場的優(yōu)點又有交變磁場的優(yōu)點，同時在實際應用中方便的進行方法優(yōu)化，且為塞曼背景校正的深入研究提供了條件，該技術為國際。
應用領域和用途：
儀器定位于中擋偏上價位和性能，具有多種不同配置以適應于不同用戶的需求。價格從25萬元～45萬元不等。儀器可廣泛應用于食品、醫(yī)藥、環(huán)境、生物、農(nóng)業(yè)、石油化工、建筑、材料、地質、冶金、科研等領域。鑒于儀器具有優(yōu)良的交流、直流塞曼背景和氘燈背景校正能力，該背景校正系統(tǒng)除能很好地校正傳統(tǒng)的分子吸收和粒子散射背景外，還能校正結構背景和部分譜線重疊干擾，尤其適用在測定食品、中藥材、海水、血液、生物制品、高鹽溶液等樣品的痕量元素分析檢驗領域中使用。特別是對于日常必須分析的元素如Cd、Pb、Cu、Zn等，校正性能可與進口塞曼儀器塞曼相媲美，但儀器價格僅為進口塞曼儀器的1/2，將更適合我國國情。
技術參數(shù)：
主要技術性能（指標）：
波長范圍：190nm~900nm
波長準確度：±0.2nm
波長重復性：±0.1nm
儀器光度誤差：1.0Abs時≤0.01Abs，2Abs時≤0.02Abs
靜態(tài)基線穩(wěn)定性Cu）：±0.003A/30min
靜態(tài)基線瞬時噪聲（Cu）： 0.001A/5min(峰－峰值)；
火焰特征濃度：Cu 0.03mg/L
測量精密度（RSD）：Cu優(yōu)于0.5％
測量檢出限：Cu≤0.006 mg/L
石墨爐特征量：Cd優(yōu)于0.5pg
測量精密度（RSD）：Cd優(yōu)于4％
測量檢出限：Cd≤1pg
氘燈背景校正能力：大于50倍（1Abs背景）
塞曼背景校正能力：大于100倍（1Abs背景）
主要特點：
本儀器有多項不同于同類儀器的創(chuàng)新，主要的創(chuàng)新點有：
1、 國內外交、直流塞曼背景同時校正技術
該技術充分利用可變磁場電源，創(chuàng)造一種交流、直流磁場雙檢測器的測量方式，實現(xiàn)了交、直流塞曼效應原子吸收背景的同時較正，并易于校正快速變換的背景信號。本產(chǎn)品既有交流磁場塞曼背景校正的優(yōu)點，又具有直流磁場塞曼背景校正的優(yōu)點，并使兩者的諸多缺點得以消除，該技術相對于原有的交變磁場塞曼背景校正，具有對于一些低溫元素測量經(jīng)常遇到的快速變化的背景信號基本不會帶來誤差的優(yōu)點。該技術相對于原有的直流磁場塞曼背景校正，具有磁場參數(shù)可以調整的特點，并具有分析靈敏度高的特點。交、直流塞曼背景同時校正技術為國內外。
2、 創(chuàng)的開關型石墨爐直流加熱電源技術
該具有如下優(yōu)點：1.首先由于采用了直流開關電源，相對于原有的交流電源體積大大縮小，從而節(jié)省了空間；2.直流開關電源可以直接植入石墨爐內部，作為內部電源，以減少了引線，從而減少了引線上的電能消耗，和增加了系統(tǒng)的穩(wěn)定性；3.由于采用了直流開關電源，電能輸出穩(wěn)定，有利于提高石墨管電阻測量精度；4. 良好的高溫元素測定性能；5.由于采用了直流開關電源，石墨爐溫度測量變得更為準確，石墨爐背景輻射影響大幅度降低；6.原子化升溫穩(wěn)定快速，且無噪音和石墨爐體振動；7 .該電源無可控硅電磁輻射，更環(huán)保。該技術為創(chuàng)。
