性能指標

1. 電鏡分辨率: 2.0nm @ 30kV；5.0nm @ 3kV
2. 加速電壓: 200V～30kV
3. 束流大小: 1pA-2μA
4. 景深：可達7mm
5. 電鏡檢測器: 高真空二次電子檢測器(SE)、馬達驅動可伸縮式背散射電子探測器(BSE)（用于高真空和低真空）、低真空二次電子探測器（LVSTD, up to 500 Pa）樣品室紅外CCD探測器。
6. 能譜： Oxford AZtec MaxN-80 

主要應用

1. VEGA 3 – XMU (LaB6)型掃描電子顯微鏡兼具高、低真空兩種模式，適用于導電材料和非導電材料表面形貌的觀察，獲得表面形貌的二次電子像、背散射電子像。
2. 擁有加強景深顯示模式，景深可達7mm以上，專門用于觀察高低落差大的樣品，比如金屬斷口、失效分析等。

樣品要求

1. 樣品不得為具有磁性的粉末，并且不易被磁化，粉末中不得含有鐵（Fe）、鈷（Co）、鎳（Ni）。
2. 樣品中不得含有水分。
3. 樣品高度小于80mm，直徑小于130mm。
4. 多孔類或易潮解的樣品，請提前真空干燥處理。
5. 樣品應具有導電性。若樣品不導電，需要進行鍍金、碳等導電膜的處理（本中心也提供鍍膜服務，但需要另行收費）。

儀器說明

1. VEGA 3 XMU (LaB6) 采用介于肖特基與鎢燈絲性能之間的LaB6（六硼化鑭）作為電子發射源。
2. LaB6的優勢包括：比場發射電子源更穩定的電子發射源，在陰極較低溫度下可獲取比鎢燈絲電子源更高的束流，因此在各個不同加速電壓下和整個使用壽命中，LaB6都可以保持很高的亮度和分辨率。
3. 配備能譜，可做常規元素分析。