| 系列 Series | 雜質 Impurity | 入口 Inlet（ppm） | 出口 Outlet（ppb） |
| HON- He/Ar/Ne/Xe -SX/WX/VX | O2 | ＜3 | ＜1 |
| N2 | ＜1 | ＜1 | |
| H2 | ＜1 | ＜1 | |
| CO | ＜1 | ＜1 | |
| CO2 | ＜1 | ＜1 | |
| THC | ＜1 | ＜1 | |
| H2O | ＜3 | ＜1 | |
| PARTICLES | -- | ≤10pcs/m3, 0.003μm | |
| Pressure Drop | ＜1bar | ||
| Flow | 10～3000Nm3/h | ||
工藝介紹：
（1）先通過物理和化學吸附脫除O2、CO、CO2、H2O等雜質。
（2）通過吸氣工序高溫下進一步脫除O2、CO、CO2、H2O同時深度脫除CH4、N2。
（3）通過脫氫工序常溫下深度脫除H2雜質。
（4）吸附反應器吸附飽和后可通氫加熱再生，反復使用。
（5）吸氣反應器吸附飽和后須整體更換。
應用領域：
集成電路制造行業
半導體、LED、激光、太陽能光伏行業
氣體行業
