系列 Series | 雜質 Impurity | 入口 Inlet(ppm) | 出口 Outlet(ppb) |
HON- He/Ar/Ne/Xe -X | O2 | <3 | <1 |
N2 | <1 | <1 | |
H2 | <1 | <1 | |
CO | <1 | <1 | |
CO2 | <1 | <1 | |
THC | <1 | <1 | |
H2O | <3 | <1 | |
PARTICLES | -- | ≤10pcs/m3, 0.003μm | |
Pressure Drop | <1bar | ||
Flow | 10~500Nm3/h |
工藝介紹:
(1)通過吸氣工序高溫深度脫除O2、CO、CO2、H2O、 CH4、N2等雜質。
(2)通過脫氫工序常溫下深度脫除H2雜質。
(3)吸氣反應器吸附飽和后須整體更換。
應用領域:
集成電路制造行業
半導體、LED、激光、太陽能光伏行業
氣體行業