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廣電計量檢測集團股份有限公司

第三代半導體可靠性驗證與評價可加急檢測

參考價面議
具體成交價以合同協議為準
  • 公司名稱廣電計量檢測集團股份有限公司
  • 品       牌廣電計量
  • 型       號失效分析
  • 所  在  地廣州市
  • 廠商性質工程商
  • 更新時間2025/3/19 12:58:55
  • 訪問次數2526
產品標簽:

半導體檢測

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廣電計量檢測集團股份有限公司(簡稱:廣電計量)始建于1964年,于2019年11月8日登陸中小企業板, 于2019年上市,是廣州無線電集團旗下的第三家A股上市公司。

廣電計量是原電子602計量站,經過50余年的發展,現已成為一家全國化、綜合性的國有第三方計量檢測機構,專注于為客戶提供計量、檢測、認證以及技術咨詢與培訓等專業技術服務,在計量校準、可靠性與環境試驗、電磁兼容檢測等多個領域的技術能力及業務規模處于先進水平。

廣電計量的技術能力獲得了眾多國內外機構和組織的認可,通過了中國合格評定國家認可委員會認可(CNAS),獲得檢驗檢測機構資質認定(CMA)、農產品質量安全檢測機構(CATL)以及眾多政府和行業機構的認可資質,是“三品一標”檢測實驗室、全國土壤污染詳查推薦檢測實驗室、中國CB實驗室,出具的證書、報告具有公信力,可幫助客戶穩健開拓市場。

廣電計量構建了覆蓋全國的服務保障網絡,在國內建有23個計量檢測基地和50多家分子公司,實驗室總面積超過16萬平方米,配置國內外設備儀器30000多臺/套,搭建的全國一體化計量檢測與認證技術公共服務平臺,可迅速響應客戶需求,為客戶提供近距離、本地化的專業服務。

廣電計量打造了一支技術水平和服務意識俱佳的服務隊伍,現有員工4000多人,其中包括各領域專家和技術帶頭人50多人,博士后、博士33人,碩士近400人。

廣電計量建有技術研究院,在新能源汽車、軌道交通、無線通信等領域,先后主持編寫30多項計量測試標準及規程,承擔50多項國家、省部級等重點科研項目,獲得軟件著作權141項,積極推動了行業新技術的創新和產業化應用。

作為一家擁有高度社會責任感的國有企業,廣電計量以助推各區域經濟高質量發展、助力企業品質提升為己任。目前,廣電計量的服務能力覆蓋汽車、航空、軌道交通、船舶、通信、電力、電子電器、食品、環保、農業、醫療、石化等領域,憑借專業的計量檢測技術之力,廣電計量可幫助各行業產業鏈上下游客戶提升自身競爭力,實現產品全壽命周期的質量管控。

在品質決勝未來的發展新時代,廣電計量將繼續秉持科學、公正、準確、快捷、周到的服務理念,為高質量發展傳遞信任,為建設“和諧美麗”中國保駕護航!

 

 

 

 

環保監測,土壤檢測,水質檢測,噪音檢測,三廢檢測,計量校準,環境可靠性測試,化學材料檢測
加工定制 服務區域 全國
服務周期 常規3-5天 服務類型 元器件篩選及失效分析
服務資質 CMA/CNAS認可 證書報告 中英文電子/紙質報告
增值服務 可加急檢測 是否可定制
是否有發票
第三代半導體作為一種理想的半導體材料,在新一代信息技術、新基建等領域得到了愈發廣泛的應用。對于國內企業而言,要獲取市場信任,檢測是證明第三代半導體質量與可靠性的可行手段,同時也是提高其質量可靠性的重要保障。廣電計量第三代半導體可靠性驗證與評價可加急檢測特意推出第三代半導體可靠性驗證與評價服務,助力企業產品高效發展。
第三代半導體可靠性驗證與評價可加急檢測 產品信息

第三代半導體可靠性驗證與評價可加急檢測服務背景

在第三代半導體的代表中,碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)目前是技術較為成熟的材料,*的性能使其在新一代運動通信、新能源并網、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域具有廣泛的應用前景。SiCGaN器件憑借杰出的系統性能,給許多應用帶來更高的效率和功率密度,以及更低的系統成本。然而,與所有的新技術一樣,SiCGaN器件必須全面嚴格地遵循技術開發和產品質量檢驗程序。


第三代半導體可靠性驗證與評價可加急檢測服務內容

廣電計量圍繞JEDEC系列標準,從三方面進行技術能力布局:

1、識別潛在的失效模式和失效機制,并根據目標壽命設計確認測試;

2、將樣品置于適當的可靠性應力下,以加速激發潛在的失效機制;

3、完成加速應力后,對樣品進行測試,以確定其性能是否仍可接受。

針對SiC分立器件和模塊,廣電計量參照JEDECAECQ101AQG324標準進行檢測驗證,能力不僅覆蓋用于驗證傳統Si器件長期穩定性的所有方法,還開發了針對SiC器件不同運行模式的特定試驗,見表1

1 SiC器件特定可靠性試驗

試驗

試驗條件

HV-H3TRB

VDS=0.8VDSmax,Ta=85°C, RH=85%,t≥1000h

HTRB和負電壓

VDS=VDSmax,Tvj=175°C,VG =-10 V,t≥1000h

動態H3TRB

VDS>0.5VDSmax,dVDS/dt(at DUT)>30V/ns, 15kHz≤f≤25 kHz,Ta=85°C, RH = 85%,t≥1000h

動態反向偏壓(DRB)

VDS≥0.8VDSmax,dVDS/dt (at DUT)=50V/ns,f ≥25 kHz,Ta= 25°C,t≥1000h

動態柵偏(DGS)

次數≥1011,dVGS/dt =1 V/ns,f ≥50 kHz,VGSoff= VGSmin和VGSon= VGSmax,Ta=25°C

HTFB

SiC體二極管雙極退化

CaN器件的質量及可靠性驗證以JEDECAECQ101為基準進行,見表2,并針對GaN器件和Si基器件之間的差異實施表3試驗。

2 通用可靠性試驗

試驗

試驗條件

HTRB

Tj=150°C, VDS=0.8 VDSmax,t≥1000h

HTGB

Tj=150°C,VGS=±100%,t≥1000h

H3TRB

Tj=85°C,RH=85%,VDS=0.8 VDSmax,t≥1000h

TC

-40°C to +125°C,≥1000cycles

HTS

Ta=150°C,t≥1000h

IOL

DTj=100°C,2min on,2min off,≥5k cycles

ESD

HBM+CDM

MSL3

Ta=60°C,RH=60%,t=40h,3x reflow cycles

3 CaN器件特定試驗

試驗

試驗標準

開關加速耐久試驗

JEP122,JEP180

動態高溫工作壽命

動態Rdon測試

JEP173

持續開關測試

JEP182

 


關鍵詞:新能源
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