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上海伯東代理進(jìn)口 KRI 霍爾離子源 eH 400 實(shí)驗(yàn)室儀器設(shè)備

參考價(jià) 360000
訂貨量 ≥1
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱伯東企業(yè)(上海)有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號(hào)
  • 所  在  地上海市
  • 廠商性質(zhì)代理商
  • 更新時(shí)間2023/5/10 9:52:26
  • 訪問(wèn)次數(shù)248
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上海伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口的*代理商.

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上海伯東: 葉小姐                                  中國(guó)臺(tái)灣伯東: 王小姐
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原子力顯微鏡,霍爾效應(yīng)測(cè)量?jī)x,質(zhì)譜分析儀,檢漏儀
產(chǎn)地 進(jìn)口
上海伯東代理美國(guó)進(jìn)口 KRI 霍爾離子源 eH 400 低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流, 霍爾離子源 eH 400 尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統(tǒng), 可以控制較低的離子能量, 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.
上海伯東代理進(jìn)口 KRI 霍爾離子源 eH 400 實(shí)驗(yàn)室儀器設(shè)備 產(chǎn)品信息
霍爾離子源 eH 400

美國(guó) KRI 霍爾離子源 eH 400
上海伯東代理美國(guó)進(jìn)口 KRI 霍爾離子源 eH 400 低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流, 霍爾離子源 eH 400 尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統(tǒng), 可以控制較低的離子能量, 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 3.7“  高= 3”
放電電壓 / 電流: 50-300eV / 5a
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機(jī)前體

KRI 霍爾離子源 eH 400 特性
• 可拆卸陽(yáng)極組件 - 易于維護(hù); 維護(hù)時(shí), 大限度地減少停機(jī)時(shí)間; 即插即用備用陽(yáng)極
• 寬波束高放電電流 - 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
• 多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng)
• 等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制

KRI 霍爾離子源 eH 400 技術(shù)參數(shù):

型號(hào)

eH 400 / eH 400 LEHO

供電

DC magnetic confinement

  - 電壓

40-300 V VDC

 - 離子源直徑

~ 4 cm

 - 陽(yáng)極結(jié)構(gòu)

模塊化

電源控制

eHx-3005A

配置

-

  - 陰極中和器

Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode

  - 離子束發(fā)散角度

> 45° (hwhm)

  - 陽(yáng)極

標(biāo)準(zhǔn)或 Grooved

  - 水冷

前板水冷

  - 底座

移動(dòng)或快接法蘭

  - 高度

3.0'

  - 直徑

3.7'

  - 加工材料

金屬
電介質(zhì)
半導(dǎo)體

  - 工藝氣體

Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

  - 安裝距離

6-30”

  - 自動(dòng)控制

控制4種氣體

* 可選: 可調(diào)角度的支架; Sidewinder

KRI 霍爾離子源 eH 400 應(yīng)用領(lǐng)域:
• 離子輔助鍍膜 IAD
• 預(yù)清潔 Load lock preclean
• In-situ preclean
• Low-energy etching
• III-V Semiconductors
• Polymer Substrates

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專li. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國(guó)考夫曼離子源中國(guó)總代理.

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上海伯東: 羅先生


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