性能指標(biāo)

1. X-射線光源: 采用高強(qiáng)度微聚焦旋轉(zhuǎn)陽極光源，Cu靶，功率2.5K W，管電壓50kV，管電流50mA
2. 測(cè)角儀：四軸（Kappa,ω，2θ，φ）測(cè)角儀，?360°旋轉(zhuǎn) ≤0.02°步長(zhǎng); ?/2? 步長(zhǎng)≤0.002°；角度重現(xiàn)性±0.0001°
3. 探測(cè)器：大面積photon II探測(cè)器，探測(cè)器有效面積14cm×10cm,探測(cè)器到樣品的距離馬達(dá)自動(dòng)可調(diào) 

主要應(yīng)用

1. 精確測(cè)定小分子無機(jī)物、有機(jī)物、配合物以及蛋白質(zhì)大分子等晶態(tài)物質(zhì)的三維空間結(jié)構(gòu)(包括鍵長(zhǎng)、鍵角、構(gòu)型、構(gòu)象乃至成鍵電子密度)及分子在晶格中的實(shí)際排列狀況
2. 可提供晶體的晶胞參數(shù)、所屬空間群、晶體分子結(jié)構(gòu)、分子間氫鍵和弱作用的信息以及分子的構(gòu)型及構(gòu)象等結(jié)構(gòu)信息。
3. 晶體X-射線衍射數(shù)據(jù)收集、數(shù)據(jù)處理（還原、校正）、晶體結(jié)構(gòu)解析、分子圖、分子堆積圖繪制等。 

樣品要求

1. 送檢樣品必須為單晶
2. 晶體要求表面光潔、顏色和透明度一致
3. 單晶表面不附著小晶體，沒有缺損重疊、解理破壞、裂縫等缺陷
4. 晶體長(zhǎng)、寬、高的尺寸均為0.1 ~ 0.4mm ，即晶體對(duì)角線長(zhǎng)度不超過0.5 mm（大晶體可用切割方法取樣，小晶體則要考慮其衍射能力）

儀器說明

1. 本儀器采用當(dāng)前技術(shù)，在化學(xué)結(jié)晶學(xué)領(lǐng)域準(zhǔn)確、快速測(cè)定晶體結(jié)構(gòu)，區(qū)分和確定晶體的手性及空間結(jié)構(gòu)。
2. 可精確地測(cè)定小分子無機(jī)物、有機(jī)物、配合物以及蛋白質(zhì)大分子等的晶態(tài)物質(zhì)的結(jié)構(gòu)。
3. 儀器包括：面探測(cè)器、高精度光學(xué)編碼器測(cè)角儀、高穩(wěn)定性的X射線發(fā)生器、高強(qiáng)度微聚焦旋轉(zhuǎn)陽極、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)以及控制、數(shù)據(jù)收集和分析處理、維護(hù)等軟件和單晶結(jié)構(gòu)解析軟件。
4. 該儀器可廣泛應(yīng)用于材料、化學(xué)化工、生命、醫(yī)藥、環(huán)境等各領(lǐng)域。