特點
緊湊型設計，分辨率為4 nm*1
通過高靈敏度二次電子探測器，背散射探測器，低真空探測器（UVD*2），實現低加速電壓/低真空下高質量圖像觀察
操作簡捷，即使新手也能拍出高質量的圖片
新開發的導航功能「SEM MAP」，便于快速鎖定視野
大窗口（30 mm2）SDD能譜系統，便于快速分析元素成分*2
規格
| 項目 | 內容 |
| 分解能*3 | 4.0 nm @ 20 kV （SE：高真空模式） |
| 加速電壓 | 0.3 kV ～ 20 kV |
| 放大倍率 | 6× ～ 300,000× （底片倍率） |
| 低真空模式 | 真空范圍：6 ～ 100 Pa |
| 電子槍 | 預對中鎢燈絲 |
| 樣品臺 | 3-軸自動馬達臺 |
| 樣品尺寸 | 直徑80 mm |
| 樣品高度 | 40 mm |
| 尺寸 | 主機：450（W） x 640（D） x 670（H） mm |
| 探測器選配 | · 高靈敏度低真空二次電子探測器（UVD） · 能量分散型X線探測器（EDS） |
