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MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀

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公司名稱深圳市華科智源科技有限公司
品牌
型號itc57300
所在地
廠商性質生產廠家
更新時間2023/4/4 14:58:50
訪問次數(shù)385

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公司介紹主營產品

深圳市華科智源科技有限公司，是一家專業(yè)從事儀器儀表代理的綜合性服務公司,于2010年在深圳注冊成立，目前已經成為國內較大的儀器經銷商，系統(tǒng)集成商和綜合服務商之一。
深圳市華科智源科技有限公司的客戶涉及工業(yè)電子制造、通信及信息技術、教育科研、微電子、新能源、生物醫(yī)藥、節(jié)能環(huán)保等行業(yè)和領域，通過與、Agilent、Lecroy、Tektronix、Yokogawa、Kikusui、DTV、NF、費思泰克Faith、牛津OXFORD、島津SHIMADZU等廠商的合作，為客戶提供產品增值銷售、應用系統(tǒng)集成、科技租賃、計量校準、維修維護等綜合服務。
深圳市華科智源科技有限公司，,主要研發(fā)生產的設備有SMT*檢測儀，ITC57300,半導體動態(tài)參數(shù)測試儀，ITC55100等測試產品及測試系統(tǒng)。
深圳市華科智源科技有限公司一貫堅持“可靠的產品，優(yōu)質的服務”的經營方針，結合市場變化和客戶要求，華科智源致力于同客戶建立*的合作伙伴關系，為客戶提供“需求分析、產品選型、人員培訓和售后服務”等一條龍完善服務，贏得了生產廠商和用戶的廣泛好評。

深圳市華科智源科技有限公司將秉持迅速、可靠、精準、專業(yè)的態(tài)度永續(xù)經營，以提供Z實時有效的服務為Z終目標。

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SMT首件檢測儀 SMT首件測試系統(tǒng) 智能首件檢測儀半導體參數(shù)測試儀

產品簡介在線詢價

ITC57300是美國ITC公司設計生產的高集成度功率半導體分立器件動態(tài)參數(shù)測試設備，采用測試主機+功能測試頭+個性板的測試架構，可以滿足N溝道、P溝道器件、雙極晶體管等的各項動態(tài)參數(shù)的測試要求，且具有波形實時顯示分析功能，是目前具水平的完備可靠的動態(tài)參數(shù)測試設備。ITC57300動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)主機可執(zhí)行非破壞性的瞬態(tài)測量測試，包括對半導體器件絕緣柵雙極晶體管（IGBT），功率MOSFET，......

MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀產品信息

華科智源專業(yè)研發(fā)生產半導體測試設備，提供ITC57300mos管IGBT功率器件動態(tài)參數(shù)測試儀，大功率IGBT到小功率管MOS的測試，包括動態(tài)參數(shù)和靜態(tài)參數(shù)測試，雪崩能量測試以及熱阻測試，索取相關資料和報價請聯(lián)系陳先生

ITC57300是美國ITC公司設計生產的高集成度功率半導體分立器件動態(tài)參數(shù)測試設備，采用測試主機+功能測試頭+個性板的測試架構，可以滿足N溝道、P溝道器件、雙極晶體管等的各項動態(tài)參數(shù)的測試要求，且具有波形實時顯示分析功能，是目前具水平的完備可靠的動態(tài)參數(shù)測試設備。
ITC57300動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)主機可執(zhí)行非破壞性的瞬態(tài)測量測試，包括對半導體器件絕緣柵雙極晶體管（IGBT），功率MOSFET，二極管，雙極型器件的測試頭。主機包括所有測試設備和必要的軟件分析，可執(zhí)行電阻和電感的開關時間，開關損耗，柵極電荷，TRR /的Qrr和其他瞬態(tài)測試。
ITC57300能力

測試電壓：1200 VDC 200（短路電流可達1000A）

定時測量：為1 ns

漏電流限制監(jiān)視器

- MOSFET開關時間測試， Max VDD =1.2KV,0.1V Steps
- MOSFET,Diodes Qrr/Trr反向恢復時間測試，Max VDD=1.2KV, 0.1V Steps
- Qrr range：1nc~100uc，Trr range：10ns~2us
- MOSFET柵電荷Qg測試，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps
- IGBT感性開關時間測試，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps，Inductors range：0.1mH~159.9mH
- IGBT短路耐量測試，Max ISC=1000A
測試標準：
- MIL-STD-750 Series

ITC57300mos管IGBT功率器件動態(tài)參數(shù)測試儀選項

額外的電源供應器

額外的測試頭

大包裝適配器

ITC57300mos管IGBT功率器件動態(tài)參數(shù)測試儀測試頭

ITC57210 - N-通道和P-通道功率MOSFET，MIL-STD-750方法3472開關時間

ITC57220 - TRR /電源，MOSFET和二極管的Qrr，MIL-STD-750方法，3473

ITC57230 - 柵極電荷功率MOSFET，MIL-STD-750方法3471

ITC57240 - 電感式開關時間為IGBT，MIL-STD 750方法3477

ITC57250 - （ISC）短路耐受時間，MIL-STD-750方法3479

ITC57300mos管IGBT功率器件動態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)特點

很容易改變的測試頭

在不同參數(shù)的自動化測試

堅固耐用的PC兼容計算機

用戶友好的菜單驅動軟件

可編程測試出紙槽

電子表格兼容的測試數(shù)據(jù)

可選內部電感負載

GPIB可編程測試設備

四通道高帶寬數(shù)字示波器

脈沖發(fā)生器

1200V電源

ITC57300mos管IGBT功率器件動態(tài)參數(shù)測試儀安全特性

測試頭高電壓互鎖

接收端的高電壓互鎖

高速漏極供電開關

ITC57210 開關時間測試頭

此測試頭以美軍標 MIL-STD-750, Method 3472，驗證功率器件MOSFETs,P溝道和N溝道的開關時間。所測量的參數(shù)包括：Time Delay On [td(on)],Rise Time(tr),Time Delay Off [td(off)],Fall Time(tf)

ITC57220 Trr/Qrr測試頭

ITC57220測試頭以美軍標MIL-STD-750, Method 3473，進行反向恢復Trr/Qrr測試。

首先，驅動電路中的電感電流上升，電流升到所設定的值時，電源會被切開。電感內的的電流會通過被測器件中的二極管排放。經過一段短時間后，驅動器再次啟動，致使器件中的二極管經歷反向恢復動作。由此所捕捉到的波形經過分析后便能取得反向恢復時間，電流和累積電荷等數(shù)據(jù)。

ITC57230 柵電荷測試頭

ITC57230對功率器件MOSFETs的柵電荷能力以美軍標MIL-STD-750, Method 3471進行考驗。

先給MOSFET管的柵極加電壓，在柵極打開時，把一個恒電流，高阻抗的負載接到MOSFTE管的漏極。

當漏極電流攀爬到用戶設定的數(shù)值時，被測器件的柵電荷可通過向漏極導通可編程恒流源放電（或P溝道器件，向源極導通）。通過監(jiān)視柵電壓和波形下各部分的面積便可計算出電荷量。

ITC57240 感性負載開關時間測試頭

ITC57240測試頭以美軍標MIL-STD-750, Method 3477的定義，實行感性負載開關時間測試。

IGBT驅動器會在電感圈內產生測試電流。當斷開時，電流會通過寄生(齊納)二極管。在這瞬間，打開和關閉DUT器件開始對開關時間和開關能量進行測試。當它開關時，DUT器件能觀察到流入電感圈里的測試電流和橫跨齊納二極管的電壓，而不受續(xù)流二極管所產生的任何反向恢復因素所影響。

ITC57250 短路耐量測試頭

ITC57250以美軍標MIL-STD-750, Method 3479的定義，實行短路耐抗時間測試。