Helios G4 PFIB HXe DualBeam 系統使您能夠：
- 使用具有高電流 UC+ 單色器技術的 Elstar™ SEM 電子鏡筒，可獲得納米級 SEM 圖像分辨率和表面靈敏度，從而顯示較為細致的細節信息。
- 使用新一代 2.5微安 氙等離子體 FIB (PFIB 2.0) 鏡筒，可進行較高通量和質量相關 3D 表征、橫向切片和微加工。
- 使用自動搖擺研磨機，可實現高產率、無屏障大面積橫向切片制備并獲得高質量 TEM 片晶。
- 實現的低 kV 離子束性能，可提高材料靈敏度和降低樣品制備損傷。
- 通過可選配的 MultiChem 或 GIS 氣體輸送系統，可提供在 FIB-SEM 系統上進行電子和離子束誘導的沉積及蝕刻的較高級功能。
- 在常規和低 k 電介質中，采用專有的 Dx 和 DE 化學物質對銅金屬化進行逆向處理。并通過基于等離子 FIB 的化學過程和配方銑削*的包裝材料。
