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ICP-RIE 等離子體刻蝕機

參考價面議
具體成交價以合同協議為準
  • 公司名稱重慶眺望科技有限公司
  • 品       牌
  • 型       號
  • 所  在  地
  • 廠商性質其他
  • 更新時間2023/1/26 9:52:04
  • 訪問次數670
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眺望科技專注光電科技、半導體以及新能源行業。眺望科技自2005年成立以來, - -直致力于為客戶提供高品質產品與服務。目前,眺望科技與多個國際品牌-直保持著長期合作關系,主要包括美國AJA磁控濺射、離子刻蝕、電子束蒸發等PVD設備,美國AYMONT碳化硅等寬禁帶半導體材料生長工藝及設備,美國Digital Matrix*電鍍設備,德國SENTECH等離子體工藝設備等,美國Film Sense多波長橢偏儀,德國ATL激光器以及徠卡LEICA光學顯微鏡等產品。行業應用覆蓋半導體、真空鍍膜、光電科技以及材料分析等領域,服務范圍。眺望科技作為國際品牌代理商,依托良好的產品平臺和專業務實的服務團隊,目前在國內北京、上海、 成都、重慶等城市分別設立辦事處,與國內科研院和企事業單位也建立了良好的合作關系。我們期待能為您提供更多更專業的行業解決方案。
ICP-RIESI500納米結構低損傷刻蝕由于等離子的能量分布低,從而能實現低損傷刻蝕和納米結構刻蝕
ICP-RIE 等離子體刻蝕機 產品信息

ICP-RIE SI 500

 

納米結構低損傷刻蝕 

由于等離子的能量分布低,從而能實現低損傷刻蝕和納米結構刻蝕。 

簡單高速率刻蝕 

MEMS制造工藝中,Si材料光滑側壁的高速高選擇比刻蝕,可以很容易的通過室溫或低溫工藝實現。 

內置ICP等離子源 

平板三螺旋天線(PTSA)等離子源是SENTECH的等離子工藝系統。PTSA能產生高密度低能量分布的等離子體。

在多種材料刻蝕工藝中都能實現高效率耦合及穩定起輝 。

動態溫控 

襯底溫度設定和工藝過程中的穩定性是影響刻蝕工藝質量的重要因素。ICP襯底電極結合背面氦氣冷卻和溫度傳感器進行動態溫控,工藝溫度范圍為-150 °C 至 +400 °C。 

 

SENTECH面向高靈活性和高產能的刻蝕和沉積系統提供各種級別的自動化裝置,從預真空系統到6端口的多工藝腔室裝置。SI500可以作為多腔室工藝模塊。

 


 

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SI 500 

ICP等離子刻蝕機

真空樣品室/load-lock

裝載200mm晶圓

樣品溫度 -20 °C ~ 300 °C 

 

 

 

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SI 500C 

低溫ICP等離子刻蝕機

配置傳送腔和真空樣品室

樣品溫度 -150 °C ~ 400 °C 

 

 

 

 

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SI 500-RIE 

RIE等離子刻蝕機

智能氦氣背部冷卻刻蝕

電容耦合等離子源

可升級到ICP等離子源PTSA200

 

 

 

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SI 500-300 

ICP等離子刻蝕機

真空樣品室/load-lock

裝載300mm晶圓

 

 

 

 

 

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