一、概述

多角度激光橢偏儀使用632.8nm波長(zhǎng)HeNe激光器，對(duì)測(cè)量薄膜厚度，折射率和吸收系數(shù)有非常出色的精度。儀器能夠分析單層膜，多層膜和大塊材料（基底）。

二、規(guī)格

1、激光波長(zhǎng)：632.8nm；

2、150mm（z-tilt）載物臺(tái)；

3、入射角度可調(diào)，步進(jìn)5°；

4、自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)鏡/顯微鏡，用于樣品校準(zhǔn)；

5、Small footprint；

6、以太網(wǎng)接口連接到PC。

三、產(chǎn)品特點(diǎn)

1、超高精度和穩(wěn)定性，，來(lái)源于高穩(wěn)定激光光源、溫度穩(wěn)定補(bǔ)償器設(shè)置、起偏器跟蹤和超低噪聲探測(cè)器。

2、高精度樣品校準(zhǔn)，使用光學(xué)自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)鏡和顯微鏡。

3、快速簡(jiǎn)易測(cè)量，可選擇不同的應(yīng)用模型和入射角度。

4、多角度測(cè)量，可支持復(fù)雜應(yīng)用和精確厚度。

5、全面預(yù)設(shè)應(yīng)用，包含微電子、光電、磁存儲(chǔ)、生命科學(xué)等領(lǐng)域。

四、技術(shù)指標(biāo)

1、波長(zhǎng)：632.8nm氦氖激光器。

2、長(zhǎng)期穩(wěn)定性：d(y)=±0.01°；d(D)=±0.1°。

3、折射率測(cè)量精度：5×10^-4for 100nm SiO2 on Si。

4、弱吸光性薄膜厚度范圍（多晶硅）：2μm。

5、測(cè)量時(shí)間：120ms～1.5s（決定于測(cè)量方式）。

6、入射角：手動(dòng)角度計(jì)40°～90°，步進(jìn)值5°。

7、選項(xiàng)：360°旋轉(zhuǎn)單元；真空吸盤；x-y地形圖掃描載物臺(tái)。

8、90°位置時(shí)y，D精度：d(y)=±0.002°；d(D)=±0.002°。

9、膜厚測(cè)量精度：0.1Å for 100nm SiO2 on Si。

10、透明薄膜的厚度范圍：4μm。

11、膜層數(shù)量默認(rèn)：在基底或多層膜上的1-3層膜。

12、激光束直徑：1mm。

13、樣品載物臺(tái)：可調(diào)節(jié)高度和角度的樣品臺(tái)，150mm直徑。

14、設(shè)置：高穩(wěn)定性補(bǔ)償器，可得到0°和180°附近D的高精確度電腦控制的起偏器，定位/探測(cè)，自動(dòng)校準(zhǔn)高穩(wěn)定旋轉(zhuǎn)分析器。