捷歐路JEOL JEM-ARM200F 原子分辨分析型透射電子顯微鏡標(biāo)配了照明系統(tǒng)球差校正器，是一款原子分辨分析型透射電鏡，擁有的STEM-HAADF像分辨率（78pm）。標(biāo)配照明系統(tǒng)球差校正器，且限度地提升了裝置的機(jī)械穩(wěn)定性和電氣穩(wěn)定性，實(shí)現(xiàn)了的STEM-HAADF像分辨率 （78pm*1、82pm*2）。
捷歐路JEOL JEM-ARM200F 原子分辨分析型透射電子顯微鏡標(biāo)配照明系統(tǒng)球差校正器，且限度地提升了裝置的機(jī)械穩(wěn)定性和電氣穩(wěn)定性，實(shí)現(xiàn)了的STEM-HAADF像分辨率 （78pm*1、82pm*2）。 此外經(jīng)過球差校正的電子束與一般的場發(fā)射透射電鏡相比，電流密度可以高出十倍。使用束斑更小、電流密度更大的電子束，能在進(jìn)行原子水平的元素分析同時(shí),大幅度地縮短測試時(shí)間，極大地提高分析效率。
*1 配備冷場發(fā)射電子槍 *2 配備肖特基場發(fā)射電子槍
捷歐路JEOL JEM-ARM200F 原子分辨分析型透射電子顯微鏡標(biāo)配了掃描透射環(huán)形明場(STEM-ABF)成像模式，通過STEM-ABF像能直接觀察晶體樣品中輕元素的原子陣列，還可以同時(shí)獲取STEM-HAADF像，在樣品結(jié)構(gòu)的分析中能夠發(fā)揮巨大威力
捷歐路JEOL JEM-ARM200F 原子分辨分析型透射電子顯微鏡配備日本電子制造的100mm²的大面積硅漂移檢測器(Silicon Drift Detector:SDD)*3，可以進(jìn)行快速、高靈敏的EDS元素分析，與經(jīng)過球差校正的電子束流組合，能進(jìn)行原子級(jí)的元素面分布，在原子水平的分辨率下進(jìn)行成份分析。
捷歐路JEOL JEM-ARM200F 原子分辨分析型透射電子顯微鏡的冷場發(fā)射電子槍(Cold-FEG)*4配備新開發(fā)的真空系統(tǒng)，與傳統(tǒng)的冷場發(fā)射電子槍不同，F(xiàn)lashing操作后可以馬上使用。由于光源小可以獲得更高分辨率的圖像。此外冷場發(fā)射電子槍的能量發(fā)散度小，不僅能進(jìn)行高分辨率的EELS分析，還能降低色差。
捷歐路JEOL JEM-ARM200F 原子分辨分析型透射電子顯微鏡使用成像系統(tǒng)的球差校正器*5，透射電子像(TEM)的分辨率可以高達(dá)110pm。
| 分辨率 | |
|---|---|
| 掃描透射暗場像 | 82pm（加速電壓200kV、肖特基場發(fā)射電子槍） 78pm（加速電壓200kV、冷場發(fā)射電子槍） |
| 透射像（點(diǎn)分辨率） | 190pm（加速電壓200kV） 110pm（加速電壓200kV、安裝TEM球差校正器） |
| 倍率 | |
| 掃描透射像 | X200～X150,000,000 |
| 透射像 | X50～X2,000,000 |
| 電子槍 | |
| 電子槍 | 肖特基場發(fā)射電子槍 冷場發(fā)射電子槍（選配件） |
| 加速電壓 | 200～80kV（標(biāo)準(zhǔn)200kV、80kV） |
| 樣品系統(tǒng) | |
| 樣品臺(tái) | 全對(duì)中側(cè)插式測角樣品臺(tái) |
| 樣品尺寸 | 3mmΦ |
| 傾斜角 | X軸: ±25° Y軸: ±25°（使用雙傾樣品桿） |
| 移動(dòng)范圍 | X,Y: ±1mm Z: ±0.1mm（馬達(dá)驅(qū)動(dòng)／壓電驅(qū)動(dòng)） |
| 球差校正器 | |
| 照明系統(tǒng)球差校正器 | 標(biāo)配 |
| 成像系統(tǒng)球差校正器 | 選配件 |
| 選配件 | |
| 主要選配件 | 能譜儀（EDS） 電子能量損失譜儀（EELS） CCD數(shù)碼相機(jī)系統(tǒng) TEM/STEM斷層掃描系統(tǒng) 雙棱鏡 |
關(guān)鍵詞：
