本設備采用PLC控制,觸摸顯示屏操作。其數字化參數界面和自動化操作方式為用戶提供了優良的研發和生產平臺。
設備通過對真空系統、下游壓力閉環控制、射頻電源、氣體流量及工藝過程的自動控制,以及所具有的安全互鎖、智能監控、在線狀態記憶、斷點保護等功能。從而獲得較高的刻蝕速率,并能精確地控制圖形的剖面。使設備的安全性、重復性、穩定性、可靠性得到有效保證。
本設備主要用于微電子、光電子、通訊、微機械等領域的器件研發和制造。
產品主要性能指標
型號 | ICP-2B | ICP-500 | ICP-5100 | |
真空系統 | 分子泵機組 | 進樣室:機械泵系統;刻蝕室:分子泵機組 | ||
刻蝕室數量 | 單室 | |||
刻蝕室規格 | ?300× | |||
電極尺寸 | ? | |||
刻蝕材料 | Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等 | |||
刻蝕速率 | 0.1 – 1 μ/min (與刻蝕材料和工藝有關) | |||
刻蝕不均勻性 | ≤±5% | |||
深硅刻蝕控制單元 | 可選 | |||
自動化程度 | 真空系統、下游壓力閉環控制、射頻電源、氣體流量、工藝過程全自動控制。 | 真空系統、機械手送/取樣片、下游壓力閉環控制、射頻電源、氣體流量、工藝過程全自動控制。 | ||
人機界面 | Windows環境、觸摸屏操作 | |||
操作方式 | 手動 | 全自動方式、非全自動方式 | ||
配套件選配 | 可選擇進口件或國產件 |