一.應用行業概述
作為第二代半導體，砷化鎵單晶因其價格昂貴而素有“半導體貴族”之稱。砷化鎵被廣泛應用于遙控、手機、DVD計算機外設、照明等諸多光電子領域。另外，因其電子遷移率比硅高6倍，砷化鎵成為超高速、超高頻器件和集成電路的必需品。用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數字電路方面得到重要應用。用砷化鎵制成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優點,被廣泛使用于軍事領域，是激光制導的重要材料.
二.應用領域特性
高溫是砷化鎵生成所必須條件，因而砷化鎵生長爐加熱電源及配套的特種電爐變壓器是設備關鍵，我公司配套的砷化鎵生長爐專用大電流分相可控變壓器和大電流水冷分相可控變壓器能夠滿足全系列電源要求，單機滿載參數3KA-10KA/10VAC-30VAC。
三．產品特性
1.產品概述，本公司生產的DGS、DGSF系列變壓器，采用分相控制結構，滿足更加精確和更大范圍的分區控溫要求。
2.性能特點
2.1電氣性能穩定：結合行業應用特點優化設計方案。精確的電氣參數設計和科學的結構設計，保證產品的電氣性能優良，高壓線圈采用線繞結構，低壓線圈箔繞結構，采用軸向多風道結構，降低通風阻力，保證高效的通風和散熱。
2.2動穩定程度高：產品采用銅帶繞組或者銅板繞組，有的機械強度，具有較強的抗突發能力，以滿足極惡劣的負載環境。
2.3熱穩定性好：*仿真計算，優化產品的發熱部位及最熱點溫升，留有充分的溫升裕度，選用進口杜邦公司N0mex-T410絕緣材料，保證產品絕緣和耐溫的高可靠性。采用30Q120高導磁硅鋼片，同時采用*的多級步進多級疊片方式，有效降低了空載損耗、空載電流和噪聲。在設計、制造過程中較好地消除了變壓器大電流漏磁渦流引起局部發熱問題，產品具有的可靠性。
2.4過載能力強：產品具有較強的過負載能力和過電壓能力，產品設計、制造充分考慮用戶工業電網和負載特性，電氣性能、溫升、絕緣耐壓及附件選擇等各方面均滿足一定的過載要求。
2.5性能指標*：空載電流、損耗指標制造值低于同容量國標系列變壓器，充分考慮用戶使用的經濟性和可靠性，分相控制技術可以實現多溫區大范圍控溫，減少諧波發生，減少電壓不平衡度，不破壞公共電網質量。
2.6 采用銅帶繞組的通用立式結構或者銅板繞組的低器身結構，可根據客戶要求對變壓器采用“三防漆”處理（防鹽霧、防濕熱、防霉菌），裝飾性好，耐腐蝕性、保光性、保色性較好，有良好的流平性和遮蓋力，結構簡化，外形美觀。
2.7變壓器配溫度保護裝置，由高集成度、帶總線通訊的高可靠開關電源模塊等部件組成。是用于測量、控制、保護、通訊為一體化的一種經濟型保護。
四.參考引用標準
1.GB1094.1－2013；電力變壓器總則
2.GB1094.3-2013；絕緣水平、絕緣試驗和外絕緣空氣間隙
3.GB1094.11-2007；干式變壓器
4.JB-T 8636-1997 ；電力變流變壓器
5.JB-T 8636-1997 ；電力變流變壓器
6.GBT21419-2013；變壓器、電抗器、電源裝置及其組合的安全 電磁兼容要求
7.GBT10228-2008；干式電力變壓器技術參數和要求
8.GB3859.3-1993; 半導體變流器 變壓器和電抗器
9.JB/DQ2113－1984；電化學用整流變壓器
五.技術數據
1.使用條件
1.1海拔高度：不超過2000米,2000米以上每升高100米降額1%，3000米
1.2戶內相對濕度：日平均≤95%，月平均≤90%
1.3環境溫度：+40℃，40℃以上降額使用
1.4環境溫度：-25℃
1.5系統額定頻率：50-60Hz
1.6安裝場所：戶內柜內
1.7儲存溫度：-40℃-+70℃
1.8鹽霧：≤0.5mg/m3
1.9機械活性物質：沙≤300mg/ m3,塵（漂浮）≤0.4mg/ m3, 塵（沉積）≤350mg/m2/天
1.10地面水平加速度與垂直加速度：≤0.25g /0.125g
2.外形尺寸圖
3.主要參數和外形尺寸表
