產品描述
XDV-μ 型系列儀器是專為在很微小結構上進行高精度鍍層厚度測量和材料分析而設計的。該系列儀器均配備用于聚焦X射線束的多毛細管透鏡，光斑直徑（FWHM）可達10至60μm。短時間內就可形成高強度聚焦射線。除了通用型XDV-?型儀器，還有專門為電子和半導體行業而設計的儀器。如XDV-μLD是專為測量線路板而優化的，而XDV-μ wafer是為在潔凈間使用而設計的。XDV-μ測量空間寬大，樣品放置便捷，特別適合測量平面和大型板材類的樣品，還特意為面積超大的板材類樣品(例如大線路板)留有一個開口(C型槽)。連續測試或鍍層厚度和元素分布的測量都可以方便地用快速可編程XY工作臺完成。
操作很人性化，測量門帶有大觀察窗，并能大角度開啟，儀器前部控制面板具備多種功能，日常使用輕松便捷。帶有三種放大倍率變焦的高像素視頻系統能精確地定位樣品，即使是非常細的線材或者是半導體微小的接點都能高質量地顯示出測量點所在位置。激光點作為輔助定位裝置進-步方便了樣品的快速定位。
特點介紹：
。*的多毛細管透鏡，可將X射線聚集到很微小的測量面上。現代化的硅漂移探測器（SDD），確保很高的檢測靈敏度
。可用于自動化測量的超大可編程樣品平臺
。為特殊應用而專門設計的儀器，包括：
。XDV-μ LD，擁有較長的測量距離（至少12mm）
。XDV-μLEAD FRAME，特別為測量引線框架鍍層如Au/Pd/Ni/CuFe等應用而優化
。XDV-μ wafer,配備全自動晶圓承片臺系統
應用實例：
PCB領域的一個典型鍍層結構是Au/Pd/Ni/Cu/PCB而且測量點的寬度通常都小于100 um, Au層和Pd層的厚度都在10到100 nm之 間。使用半寬高為20um的XDV-μ 進行測量，Au層 和Pd層的重復精度分別可達到~0.1 nm和~0.5 nm。良好的性能和測量極小樣品的專長使得XDVμ儀器成為研究開發、質量認證和實驗室的理想選擇，同時也是質量控制和產品監控的設備。
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| 引線框架：Au / Pd / Ni / CuFe | 測量PCB：Au / Ni / Cu / PCB | 晶圓：金/鈀/鎳/銅/硅晶圓 |
鍍層厚度測量
。測量未布元器件和已布元器件的印制線路板。在納米范圍內測量復雜鍍層系統，如引線框架上Au/Pd/Ni/CuFe的鍍層厚度
。對*大12英寸直徑的晶圓進行全自動的質量監控
。在納米范圍內測量金屬化層（凸塊下金屬化層，UBM）
。遵循標準 DIN EN ISO 3497 和 ASTM B568
材料分析
。分析諸如Na等極輕元素。分析銅柱上的無鉛化焊帽
。 分析半導體行業中C4或更小的焊料凸塊以及微小的接觸面
典型應用領域
。測量PCB、引線框架和晶片上的鍍層系統。測量微小工件和線材上的鍍層系統
。分析微小工件的材料成分
