光譜橢偏儀可配置從DUV到NIR的波長范圍。DUV范圍可用于測量超薄膜，如納米厚度范圍。比如硅晶片上的原生氧化物，其通常僅為約1至2nm厚。當用戶需要測量許多材料的帶隙時，深紫外光譜橢偏儀也是的。可見或近紅外范圍用于測量相對厚或非常厚的涂層。當然，如果必須確定光學常數，則應將工具的波長范圍配置為該范圍。其他配置，如波長分辨率，角度范圍等，將根據所需的應用進行考慮。

光譜橢偏儀特征：

?基于Window軟件，易于操作；

?的光學設計，實現系統性能；

?高功率DUV-VIS-NIR光源，適用于寬帶應用；

?基于陣列的探測器系統，確?？焖贉y量；

?用戶可以根據需要定義任意數量的圖層；

?能夠用于實時或在線厚度，折射率監測；

?系統配有全面的光學常數數據庫；

?高級TFProbe 3.3.X軟件允許用戶對每個膠片使用NK表，色散或有效介質近似（EMA）；

?三種不同的用戶級別控制：工程師模式，系統服務模式和簡易用戶模式；

?靈活的工程模式，適用于各種配方設置和光學模型測試；

?強大的一鍵式按鈕解決方案，用于快速和常規測量；

?可按照用戶偏好配置測量參數，操作簡便；

?系統全自動校準和初始化；

?直接從樣品信號獲得精確的樣品對齊接口，無需外部光學元件；

?精確的高度和傾斜程度調整；

?適用于許多不同類型的不同厚度的基材；

?各種選項，附件可用于特殊配置，如繪圖階段，波長擴展，焦點等；

?2D和3D輸出圖形以及用戶數據管理界面；

光譜橢偏儀應用：

?半導體制造（PR，氧化物，氮化物......）

?液晶顯示器（ITO，PR，Cell gap ......）

?法醫學，生物學材料

?油墨，礦物學，顏料，調色劑

?制藥，科研

?光學涂層，TiO2，SiO2，Ta2O5 ......

?半導體化合物

?MEMS / MOEMS中的功能薄膜

?無定形，納米和硅晶圓

?太陽能電池薄膜，CdTe，CdS，CIGS，AZO，CZTS ....

光譜橢偏儀技術參數：