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拋光硅片

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公司名稱蘇州汶顥微流控技術股份有限公司
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廠商性質其他
更新時間2022/11/4 15:18:19
訪問次數406

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公司介紹主營產品

蘇州汶顥微流控技術股份有限公司是一家留學人員回國創業的*企業，集研發、生產、銷售為一體，技術力量雄厚，生產設備*，檢測手段齊全，產品質量過硬。公司建立了完備的微流控芯片研發與生產中心，配置了三條微流控芯片生產線，包括數控CNC微加工儀器，軟刻蝕有機芯片加工系統，光刻-掩模無機芯片加工系統，可以加工生產所有材質的芯片，如玻璃、石英、硅、PDMS和PMMA等。產品涵蓋集成式通用醫療診斷芯片、集成式通用環境保護分析監測芯片、集成式通用食品安全分析檢測芯片和基于微流控芯片的新能源體系四大系列數十個品種，以及各類科研類芯片，并在生物芯片和化學芯片領域一直保持技術和研發的前沿地位，擁有102項知識產權，其中：已申請發明43件，已22件，實用新型51件，6項國家計算機軟件著作權，3項國家注冊商標，獲批*成品3項。蘇州汶顥微流控技術股份有限公司提供的產品和服務按市場可分為科研類芯片、儀器標配芯片、應用類芯片及系統和芯片實驗室解決方案。科研類芯片服務于基于微流控芯片的科研工作者，提供包括聚二甲基硅氧烷（PDMS）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、玻璃及硅基等各種不同材質的微流控芯片的設計與制備，用戶只需配置必要的輔助設備即可使用；儀器標配芯片是針對國內市場上微流控芯片儀器開發的標準芯片，為微流控芯片儀器的核心組件，屬耗材類產品，如毛細管電泳芯片；應用類芯片及系統是利用微流控芯片的技術優勢開發的分析檢測裝置，應用于環保、食品安全、藥物篩選等領域；芯片實驗室解決方案為客戶提供完整的一對一的微流控芯片科研或應用的解決方案，分為產品和科技咨詢兩個方面：產品包括微流控芯片加工、檢測儀器設備配置及微流控芯片配件配置；科技咨詢為客戶提供組建芯片實驗室的整體方案、解決微流控芯片應用中的技術難題、微流控芯片項目研發服務等。按照現代公司制度規范運作企業是公司創辦伊始就秉承的基本理念，目前，公司的團隊結構、人事制度、財務制度、知識產權制度等都已經逐步形成和完善。公司的口號：高品質、高信譽、高效率。公司的宗旨：以發明創新為龍頭，以科技成果轉化為手段，以微流控芯片領域為主戰場，走科研成果商品化，商品產業化，產業規模化和國際化的道路，以自主創新的核心技術為基礎的競爭戰略為企業長期發展戰略，整合產業鏈的各項優勢資源，打造以自主創新為企業特色的產業價值鏈，塑造民族品牌，迎接國際化的挑戰。公司宗旨：以發明創新為龍頭，以科技成果轉化為手段，以微流控芯片領域為主戰場，走科研成果商品化，商品產業化，產業規模化和國際化的道路。企業文化：誠信、踏實、優質！經營理念：以人為本，精誠團結，誠信合作，多邊共贏。價值觀念：追求，勇于創新的企業形象；高效精干，自強不息的隊伍形象；求真務實，銳意進取的干部形象；外在唯美，內在唯實的產品形象；嚴細認真，科學規范的管理形象；誠實守信，超越期望的服務形象。企業使命：產業報國、創造價值、服務社會、貢獻人類。企業愿景：做微流控芯片行業的！蘇州汶顥微流控技術股份有限公司以專長造福顧客和社會。并做到人無我有，人有我優，人優我特、人特我精。以市場為營運導向、以質量為競爭前提、以人才為管理核心，持續雙贏，用心服務；以優于國內、國際標準的廠控標準，滿足顧客對產品實物質量的期望和需求。力求把產品做到，以自主創新的核心技術為基礎的競爭戰略為企業長期發展戰略，整合產業鏈的各項優勢資源，全心全意為生命科學服務！我們始終堅持：產品開發創新創先、質量管理精益求精。我們也始終堅信：態度決定一切，細節決定成敗。

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產品簡介在線詢價

大小1英寸到4英寸不等，厚度0.2mm、0.4mm、1mm、1.2mm等不同厚度，單面拋光。

拋光硅片產品信息

拋光硅片簡介

大小1英寸到4英寸不等，厚度0.2mm、0.4mm、1mm、1.2mm等不同厚度，單面拋光。

拋光硅片參數及用途：

參數類型	Si技術指標
產品尺寸	1-4英寸
生長方法	直拉單晶（Cz）
表面拋光	單面拋光
直徑公差	100.2±0.3mm
摻雜類型	摻雜劑（磷或硼）
晶體取向	100 111
電阻率Ω	＜0.0015 Ω.cm 0.001-0.5Ω.cm 1-10Ω.cm
平整度TIR	＜3um
翹曲度TTV	＜10um
彎曲度BOW	＜10um
拋光粗糙度Ra	＜0.5nm
顆粒度Pewaferr	＜（for size＞0.3um）
厚度um	請咨詢
用途	用于微流控芯片光刻工藝模具、工藝等同步輻射樣品載體、LPCVD/PECVD鍍膜做襯底、磁控濺射生長樣品、XRD、SEM、AFM、紅外光譜熒光光譜等分析測試基底、分子束外延生長的基底、X射線分析晶體半導體等諸多科研用途。

可提供硅片的型號

尺寸	拋光	型號	晶向	電阻率Ω·cm	厚度微米
1	雙拋	P	100	1--20	100
1	雙拋	P	100	1--10	400
1	單拋	P	100	1--10	1950
1	單拋	P	100	<0.01	1000
1	單拋	P	100	<0.0015	400
直徑35mm	單拋	P	100	0-20	725
1	單拋	P	100	1--10	500
直徑40mm	單拋	P	100	<0.0015	1000
直徑40mm	研磨片	P	100	>2500	530

尺寸	拋光	型號	晶向	電阻率Ω·cm	厚度微米	尺寸	拋光	型號	晶向	電阻率Ω·cm	厚度微米
2	單拋	N	100	0.1-0.9	500	2	雙拋	P	110	1--10	450
2	單拋	N	100	<0.005	400	2	雙拋	P	100	20--50	380
2	單拋	N	100	1--10	200	2	雙拋	N	111	45-60	470
2	單拋	N	100	1--10	430	2	雙拋	N	100	1--10	480
2	單拋	N	100	1--10	350	2	雙拋	N	100	1--10	270
2	單拋	N	100	1--10	400	2	研磨片	N	100	1--10	540
2	單拋	N	100	1--10	100	2	本征研磨片	P	100	>2500	440
2	單拋	N	100	0.001-0.005	100	2	研磨片	P	110	1--10	450
2	單拋	N	100	1--10	300	2	研磨片	P	100	0.01-0.001	440
2	單拋	N	111	10--40	400	2	研磨片	P	100	0.01-0.05	540
2	單拋	N	100	1--10	500	2	本征單拋	50.8	100	>2500	400
2	單拋	P	110	1--10	400	2	本征單拋	50.8	111	>2500	500
2	單拋	P	100	<0.0015	1000	2	本征單拋	50.8	111	>1000	400
2	單拋	P	100	1--20	2000	2	本征單拋	50.8	100	>5000	1000
2	單拋	P	100	<0.01	2000	2	本征雙拋	50.8	100	>3000	370
2	單拋	P	100	0.001-0.005	3000	2	本征雙拋	50.8	111	>1000	460
2	單拋	P	100	0.01-0.05	3000	2	本征雙拋	50.8	100	>2000	2000
2	單拋	P	100	0.01-0.05	5000	2	本征雙拋	50.8	100	>2500	1000
2	單拋	P	100	10--30	300	2	本征雙拋	50.8	100	1000-4000	250
2	單拋	P	100	0.001-0.005	280	2	二氧化硅	P	100	1--20	200
2	單拋	P	100	0.01-0.05	300	2	二氧化硅	P	100	0.01-0.05	400
2	單拋	P	100	1--10	300	2	二氧化硅	P	100	0.01-0.05	400
2	單拋	P	100	10--15	250
2	單拋	P	100	0.01-0.05	500
2	單拋	P	100	1--10	500
2	單拋	P	100	0.01-0.05	500
2	單拋	P	100	0.01-0.05	200
2	單拋	P	100	0.01-0.05	400
2	單拋	P	100	1--10	400

尺寸	拋光	型號	晶向	電阻率Ω·cm	厚度微米
3	二氧化硅	P	100	0.001-0.005	400
3	單拋	N	111	10--25	450
3	單拋	N	100	>5	400
3	單拋	N	100	0.01-0.09	400
3	單拋	P	100	1--10	200
3	單拋	P	100	10--20	500
3	單拋	P	100	1--10	400
3	單拋	P	100	10--20	380
3	單拋	P	100	0.001-0.005	400
3	單拋	P	111	1--10	1000
3	雙拋	P	100	1--20	400
3	雙拋	N	100	1--10	100
3	研磨片	P	100	1--10	440
3	研磨片	N	100	0.021-0.026	440
3	研磨片	P	100	1--20	460

尺寸	拋光	型號	晶向	電阻率Ω·cm	厚度微米	尺寸	拋光	型號	晶向	電阻率Ω·cm	厚度微米	尺寸	拋光	型號晶向	規格	電阻率Ω·cm	硅片厚度	氧化層厚度/納米
4	單拋	N	100	0.1-0.9	500	4	雙拋	P	100	0.01-0.05	500	4	二氧化硅	P<100>	單氧	0.001-0.005	500	20nm
4	單拋	N	100	0.001-0.005	400	4	雙拋	P	100	10--20	500	4	二氧化硅	P<100>	單氧	1--10	500	50nm
4	單拋	N	100	0.001-0.005	500	4	雙拋	P	100	10--20	400	4	二氧化硅	P<100>	單氧	0.001-0.005	500	100nm
4	單拋	N	100	1--10	500	4	雙拋	P	100	10--20	300	4	二氧化硅	P<100>	雙氧	0.001-0.005	500	100nm
4	單拋	N	100	0.1-0.5	300	4	雙拋	P	100	1--10	200	4	二氧化硅	P<100>	雙氧	1--10	500	100nm
4	單拋	N	111	0.001-0.005	500	4	雙拋	P	100	1--5	250	4	二氧化硅	P<100>	單氧	1--10	500	200nm
4	單拋	N	111	10--25	500	4	雙拋	P	100	0.01-0.02	200	4	二氧化硅	P<100>	單氧	0.001-0.005	500	200nm
4	單拋	N	111	10-50	250	4	雙拋	P	100	<0.0015	3000	4	二氧化硅	P<100>	雙氧	1--10	500	200nm
4	單拋	N	111	10-50	300	4	雙拋	N	111	10--25	470	4	二氧化硅	P<100>	單氧	1--10	500	300nm
4	單拋	P	｛110｝	1--10	500	4	雙拋	N	100	0.1-0.9	200	4	二氧化硅	P<100>	雙氧	1--10	525	300nm
4	單拋	P	100	0.01-0.05	1000	4	雙拋	N	100	10--20	200	4	二氧化硅	P<100>	雙拋雙氧	10--30	525	300nm
4	單拋	P	100	5--30	1100	4	雙拋	N	100	1--10	200	4	二氧化硅	P<100>	雙氧	0.001-0.005	500	300nm
4	單拋	P	100	0.01-0.02	2000	4	研磨片	P	100	10--20	570	4	二氧化硅	P<100>	單氧	0.001-0.005	500	300nm
4	單拋	P	100	0.001-0.005	2000	4	本征研磨片	P	100	>4000	530	4	二氧化硅	N<100>	雙氧	0.002-0.004	500	300nm
4	單拋	P	100	<0.0015	3000	4	研磨片	N	111	10-50	530	4	二氧化硅	P<100>	雙氧	1--10	525	500nm
4	單拋	P	100	0.001-0.005	500	4	研磨片	N	111	10--25	300	4	二氧化硅	P<100>	單氧	1--10	525	500nm
4	單拋	P	100	0.01-0.05	500	4	研磨片	N	100	0.8	540	4	二氧化硅	P<100>	雙氧	1--10	500	1000nm
4	單拋	P	100	0.1-0.9	500	4	研磨片	N	100	1--10	540	4	二氧化硅	P<100>	雙氧	0.01-0.05	500	2000nm
4	單拋	P	100	0.01-0.02	200	4	單拋本征	100mm	100	>3000	1000	4	二氧化硅	P<100>	單氧	0.01-0.05	500	2000nm
4	單拋	P	100	1--10	200	4	單拋本征	100mm	100	>4000	200	4	本征+氧化	P<100>	雙氧	>4000	500	300nm
4	單拋	P	100	1--5	250	4	單拋本征	100mm	100	>2000	500
4	單拋	P	100	1--5	240	4	單拋本征	100mm	100	>4000	500
4	單拋	P	100	20--50	500	4	單拋本征	100mm	111	>4000	200
4	單拋	P	100	1--10	500	4	雙拋本征	100mm	100	>4000	300
4	單拋	P	111	8--13	400	4	雙拋本征	100mm	100	>4000	200
4	單拋	P	111	0.01-0.015	525	4	雙拋本征	100mm	100	>5000	500
4	單拋	P	111	0.01-0.015	450

尺寸	拋光	型號	晶向	電阻率Ω·cm	厚度微米
5	單拋	N	111	10-50	500
5	雙拋	N	111	37-55	470
5	研磨片	N	111	37-55	525
5	腐蝕片	N	111	30-100以上	370

尺寸	拋光	型號	晶向	電阻率Ω·cm	硅片厚度	氧化層厚度/納米	規格
6	二氧化硅	P	100	0.001-0.005	500	300nm	單氧
6	二氧化硅	P	100	0.001-0.005	500	300nm	雙氧
6	單拋	P	100	8--15	1000	200	145
6	單拋	P	100	<0.0015	1000	15	145
6	單拋	P	100	0--20	650	250	90
6	單拋	P	100	1--30	650	203	90
6	單拋	P	100	1--30	650	16	90
6	單拋	P	100	0.001-0.009	500	50	90
6	單拋	P	100	0.001-0.009	525	38	90
6	單拋	P	100	1--10	675	27	90
6	單拋	N	100	0.01-0.05	350	1	90
6	單拋	N	100	0.01-0.05	525	24	90
6	單拋	N	111	>10	1000	30	145
6	單拋	N	111	10--50	500	32	90
6	單拋	N	100	0.8-2	675	17	100
6	單拋	區熔本征	100	675-825	550	21	240
6	單拋	區熔本征	100	630-1200	625	10	240
6	雙拋	N	100	0.01-0.09	400	24	100
6	雙拋	P	100	20-30	400	3	100
6	雙拋	P	100	0--20	650	81	95