數(shù)字源表測半導體霍爾效應
霍爾效應是一種電磁感應現(xiàn)象，當電流垂直于外磁場通過半導體時，載流子發(fā)生偏轉，垂直于電流和磁場的方向會產(chǎn)生一附加電場，如圖7所示。霍爾效應測試中我們一般測試霍爾電壓VH、電阻率ρ、霍爾系數(shù)RH、載流子濃度n、霍爾遷移率μH等參數(shù)。
霍爾效應
霍爾電壓
首先我們測試霍爾電壓VH，按下圖連接方式連接電路，施加一個垂直樣品平面的磁場B，然后點擊設置——輸出設置，將源表調為4線前面板輸出模式，再返回主界面點擊測量，將源表設置為電流源模式，設置源限值，點擊“OUTPUT”，向1至3方向輸入電流，測試2、4間電壓。
圖8 霍爾電壓測試電路
注意：在2線模式下搭建和拆除電路，禁止在4線模式下插拔。
測試中會受到不等電勢位、愛廷豪森效應、倫斯脫效應等因素的影響，為了保證測試結果的準確度，測試中采取對稱測量法。首先我們規(guī)定磁場由下向上為正，電流由1向3為正。具體操作如下：
①、提供正向磁場（+B），正向電流（+I）；測得電壓V1；
②、提供正向磁場（+B），反向電流（-I）；測得電壓V2；
③、提供反向磁場（-B），反向電流（-I）；測得電壓V3；
④、提供反向磁場（-B），正向電流（+I）；測得電壓V4；
霍爾電壓為：
電阻率
測試電阻率我們使用范德堡技術，給相鄰的兩點提供電流，測試對立邊的兩點的電壓，此時不需要提供磁場，具體的操作如下圖9所示。
圖9 范德堡技術測試方法
測試完成后利用測試所得的數(shù)據(jù)先計算出電阻率，計算出兩個電阻率的值ρA、ρB:
tS是以厘米為單位的樣品的厚度；
V1-V8代表電壓測量出的電壓；測得的電壓應該小于5V，一般為mV；
I是以安培為單位流過樣品的電流；
fA、fB是基于樣品對稱性的幾何因數(shù)，如果樣品W美對稱則fA=fB=1，我們測試中一般選擇正方形的樣品，正方形是W美對稱的。
如果ρA、ρB相差大于10%，則測試的樣品不夠均勻，那使用范德堡技術就不能準確的確定電阻率，要放棄該方法測試。
其他參數(shù)
霍爾系數(shù)RH：
載流子濃度n：
霍爾遷移率μH:
VH為3.1中測試的電壓、tS為樣品的厚度、B為3.1測試中提供的磁場，I為3.1中提供的電流，ρ為3.2中測試所得的電阻率。通過上面的計算公式，我們可以將霍爾系數(shù)RH、載流子濃度n、霍爾遷移率μH都計算出來。
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