超高分辨率場發射掃描電子顯微鏡 SU9000
專門為電子束敏感樣品和需300萬倍穩定觀察的*半導體器件，高分辨成像所設計。
特點
- 新的電子槍和電子光學設計提高了低加速電壓性能。
0.4 nm / 30 kV (SE)
1.2 nm / 1 kV (SE)
0.34 nm / 30 kV (STEM) - 用改良的高真空性能和的電子束穩定性來實現高效率截面觀察。
- 采用全新設計的Super E x B能量過濾技術，高效，靈活地收集SE / BSE/ STEM信號。
關聯產品分類
- 聚焦離子束系統 (FIB/FIB-SEM)
- TEM/SEM樣品前處理裝置
