日本shinkuu金屬薄膜鍍膜裝置MSP-1S
本設(shè)備專(zhuān)用于SEM觀察貴金屬薄膜鍍膜。該設(shè)備進(jìn)行貴金屬涂層以防止 SEM 樣品充電并提高二次電子產(chǎn)生的效率。除了磁控靶電極的低壓放電外，樣品臺(tái)是浮動(dòng)的，以減少電子束流入對(duì)樣品造成的損壞。操作簡(jiǎn)單，只需按下按鈕，沒(méi)有任何技巧。它很小，不占用太多空間。在桌子的一角活躍。
用途
用于 SEM 樣品的金屬鍍膜設(shè)備。
日本shinkuu金屬薄膜鍍膜裝置MSP-1S
規(guī)格
| 物品 | 規(guī)格 |
| 電源 | AC100V（單相100V 10A）3P插頭帶地線1口 |
| 旋轉(zhuǎn)泵 | 10 L/min（內(nèi)置于設(shè)備中） |
| 設(shè)備尺寸 | 寬200mm x 深350mm x 高345mm （設(shè)備重量：14.6Kg） |
| 樣品室尺寸 | 內(nèi)徑120mm x 高65mm（硬玻璃） |
| 樣本表大小 | 直徑50mm（浮動(dòng)法） |
| 電極樣品臺(tái)間隔 | 35 mm（使用輔助樣品臺(tái)時(shí)為 25 mm） |
| 靶電極 | 內(nèi)置永磁體的磁控管型靶電極 |
| 目標(biāo)金屬規(guī)格 | Φ51mm，厚度0.1mm Pt、Pt-Pd、Au、Au-Pd、Ag |
本設(shè)備專(zhuān)用于SEM觀察貴金屬薄膜鍍膜。該設(shè)備進(jìn)行貴金屬涂層以防止 SEM 樣品充電并提高二次電子產(chǎn)生的效率。除了磁控靶電極的低壓放電外，樣品臺(tái)是浮動(dòng)的，以減少電子束流入對(duì)樣品造成的損壞。操作簡(jiǎn)單，只需按下按鈕，沒(méi)有任何技巧。它很小，不占用太多空間。在桌子的一角活躍。
用途
用于 SEM 樣品的金屬鍍膜設(shè)備。
規(guī)格
| 物品 | 規(guī)格 |
| 電源 | AC100V（單相100V 10A）3P插頭帶地線1口 |
| 旋轉(zhuǎn)泵 | 10 L/min（內(nèi)置于設(shè)備中） |
| 設(shè)備尺寸 | 寬200mm x 深350mm x 高345mm （設(shè)備重量：14.6Kg） |
| 樣品室尺寸 | 內(nèi)徑120mm x 高65mm（硬玻璃） |
| 樣本表大小 | 直徑50mm（浮動(dòng)法） |
| 電極樣品臺(tái)間隔 | 35 mm（使用輔助樣品臺(tái)時(shí)為 25 mm） |
| 靶電極 | 內(nèi)置永磁體的磁控管型靶電極 |
| 目標(biāo)金屬規(guī)格 | Φ51mm，厚度0.1mm Pt、Pt-Pd、Au、Au-Pd、Ag |
