產品介紹：
該系統以含鉬電阻絲為加熱元件，采用雙層殼體結構和30段程序控溫儀表，移相觸發、可控硅控制，爐膛采用氧化鋁多晶纖維材料，爐管兩端能不銹鋼法蘭密封，不銹鋼法蘭上安裝有氣嘴、閥門和壓力表，真空泵接口，具有溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節能等優點。
結構組成：
定制立式PECVD設備，由真空立式管式爐、石英真空室、射頻電源、供氣系統、真空測量系統組成。
主要特點：
1、通過射頻電源把石英真空室內的氣體變為離子態。
2、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積所需的溫度更低。
3、可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應力大小。
4、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩定性高。
5、廣泛應用于：各種薄膜的生長，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和無定型硅(a-Si:H) 等。
應用范圍：
PECVD系統是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。 該系統廣泛應用于沉積高質量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬質薄膜、光學薄膜和炭納米管（CNT）、石墨烯材料等。
技術參數：
產品名稱 | 定制PECVD設備 |
產品型號 | KJ-PECVD-DZ |
立式管式爐 | |
爐膛模式 | 立式開啟式 |
爐膛材料 | 進口氧化鋁耐火纖維 |
加熱元件 | 進口含鉬加熱絲 |
極限溫度 | 1200℃ |
工作溫度 | ≤1100℃ |
升溫速率 | ≤20℃(建議:15℃/min) |
加熱溫區 | 單溫區、多溫區 |
溫區總長度 | 200、300、440 |
爐管材質 | 高純石英 |
爐管直徑 | 40、50、60、80、100、120、150mm...... |
密封方式 | 304不銹鋼真空法蘭一套(含密封硅膠圈) |
控制模式 | 觸屏 30段智能PID程序控溫 預留通訊接口 |
控溫精度 | ±1℃ |
溫度曲線 | 多段"時間—溫度曲線"任意可設 |
測溫元件 | K型熱電偶 |
氣路系統 | |
工作電壓 | 220V/50HZ |
輸出功率 | 18W |
工作溫度 | 5--45℃ |
氣壓 | 3*106Pa |
氣體通道 | 可同時連接多種氣源 |
流 量 計 | 質量流量計 |
A路量程 | 0～500SCCM |
B路量程 | 0～500SCCM |
C路量程 | 0～500SCCM |
氣路壓力 | -0.1～0.15 MPa |
截止閥 | 不銹鋼材質 |
氣體連接管 | 1/4不銹鋼管 |
等離子電源系統 | |
射頻頻率 | 13.56 MHz ±0.005% |
功率范圍 | 0-100W、0-300W 、0-500W ± 1% |
射頻接口 | 50 Ω, N-type |
嗓聲 | ≤55DB |
冷卻 | 風冷 |
輸入功率 | 1KW AC220V/50HZ |
數顯真空計及連接件 | |
數顯真空計 | 數顯真空計安裝在不銹鋼法蘭上 |
真空泵組(相關連接配件) | |
真空泵 | 真空泵,及相應連接管件 220V/50HZ |
汽化系統 |
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蠕動泵 | 精確度：+/- 0.5% FS 流量: 0 - 10 ml/min，可調，最小速率0.1ml/min 將吸液管放置在溶液容器中，蠕動泵可自動抽取液體 |
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