實驗室PECVD設備由SGM TF1200雙溫區真空管式爐、石英真空室、射頻電源、GX供氣系統、抽氣系統、真空測量系統組成。雙溫區管式爐每個溫區可以獨立控制、設置不同的溫度。采用雙層殼體結構，爐膛采用氧化鋁多晶纖維材料，抽真空時真空度能夠達到10-3Pa。
該爐安裝有行程開關，當爐蓋打開時會自動切斷電源。該爐通過射頻電源把石英真空室內的氣體變為離子態。可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應力大小比普通CVD進行化學氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩定性高所需的溫度更低。
電阻爐均采用雙層殼體結構，標配30 段程序控溫系統，爐膛采用氧化鋁多晶纖維材料，雙層爐殼間配有風冷系統，能快速升降溫。該爐具有溫場均衡、表面溫度低、 升降溫度速率快、節能等優點，是高校、科研院所、工礦企業做高溫燒結、金屬退火、質量檢測用的理想產品。

實驗室PECVD設備主要特點：

  1、通過射頻電源把石英真空室內的氣體變為離子態。

  2、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積所需的溫度更低。

  3、可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應力大小。

  4、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩定性高。

  5、廣泛應用于：各種薄膜的生長，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和無定型硅(a-Si:H) 等。

這款SGM TF1200-PECVD系統以瑞典Kanthal電阻絲為加熱元件，采用雙層殼體結構和30段程序控溫儀表，移相觸發、可控硅控制，爐膛采用氧化鋁多晶纖維材料，爐管兩端能不銹鋼法蘭密封，不銹鋼法蘭上安裝有氣嘴、閥門和壓力表，抽真空時真空度能夠達到10-3 Pa，具有溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節能、等優點。  

SGM TF1200 PECVD系統組件配置：

一、SGM TF1200 PECVD系統控溫儀表： 采用宇電程序控溫儀表。（可選配日本島電，英國歐陸等進口品牌）

1、30段程序控溫智能PID調節。（可選配50段程序儀表或液晶觸摸屏儀表）

2、具有過溫保護、斷偶保護，過溫或斷偶時電爐加熱電路會自動切斷，（當電爐溫度超過1200度或熱電偶燒斷時，主電路上的交流繼電器會自動斷開，主電路斷開，面板上ON燈熄滅，OFF燈亮，有限的保護電爐）。

3、帶有485通訊接口（選購軟件時標配）

4、具有斷電保護功能，即斷電后再給電啟動爐子時、程序不是從起始溫度開始升、而是從斷電時爐溫開始升。

5、儀表具有溫度自整定的功能。

二、開門保護系統：該爐安裝有行程開關，當爐蓋打開時會自動切斷電源，有效地保證使用者。  

三、爐膛材料： 采用優質氧化鋁多晶纖維材料，不掉粉、材料保溫性能好、反射率高、溫場均衡，抗熱漲冷縮能力強。

四、加熱元件：  采用首鋼電爐絲或瑞典康奈爾A1電阻絲加熱元件， 溫場均衡、使用壽命長。  

五、漏電保護功能： 該爐裝了漏電空氣開關，當爐體漏電或電流超過額定電流時空開會自動關閉以切斷電源。

六、軟件控制系統（選購）：該爐配有通訊接口和軟件，可以直接通過電腦控制爐子的各個參數，并能從電腦上觀察到爐子上PV和SV溫度值和儀表的運行情況，爐子的實際升溫曲線電腦會實時繪出，并能把每個時刻的溫度數據保存起來，隨時可以調出。

七、控制系統：
1、電器：正泰，   
2、可控硅：德國西門康106/16E， 
3、 觸發器：移相觸發。

八、選配件：
1、50段程序控溫，   
2、液晶觸摸屏控制器或進口溫度控制器 
3、爐膛尺寸可定做    

4、可增加進氣、排氣閥門   
5、爐膛材料可選進口材料   
6、可選UL認證電器板  

7、電器部分可選配ABB產品 
8、可根據客戶需求定做各種非標型號產品

實驗室PECVD設備技術參數：

1、額定溫度：1100℃ 
2、更高溫度：1200℃    
3、電壓：220V

4、加熱段：205mm+205mm 
5、溫控方式：智能化30段可編程控制 
6、熱電偶：K型    

7、加熱元件：瑞典Kanthal-A1電阻絲

8、升溫速率：≤30℃/min   推薦升溫速率：≤15℃/min    

9、等離子射頻電源：輸出功率：50-500w更大可調±1% 穩定性

頻率：13、56MHz ±0、005%

噪聲：<50dB

冷卻：空氣冷卻

輸入功率：AC 220V，500W    

10、真空泵和閥門：采用KF25系列波紋管和精細球閥連接

真空度可達10-3Pa

數字真空壓力表可直觀的顯示數值

11、質量流量計：內部裝有高精度數字顯示質量流量訓科準確的控制氣體流量

氣體流量范圍為0-200sccm，誤差：0、02%

一個氣體攪拌罐上安裝了液體釋放閥的底部情況

不銹鋼針閥安裝在左側可手動控制混合氣體輸入的數量

進氣口：采用雙卡套接頭

雙溫區管式爐規格：