MOSFET用驅動電源R3系列產品介紹

        隨著新能源汽車和光伏行業不斷發展，半導體器件的應用不斷擴寬，IGBT/SiC MOSFET作為充電樁設備、光伏SVG系統中的關鍵半導體器件組成部分，市場對其應用條件和性能提出了更高的要求，隨之也帶來了對驅動方案的高要求。

        金升陽基于自主電路平臺、IC平臺、工藝平臺，升級開發IGBT/SiC MOSFET用第三代驅動電源QA-R3/QA_C-R3系列產品。同時為滿足更加嚴苛的應用需求，打造了全新的爬電距離滿足1700V系統電源應用的驅動電源QA_H-R3/QA_HC-R3系列產品，以期為客戶提供更優質的電源解決方案。

 MOSFET用驅動電源R3系列產品優勢

1、5000VAC高可靠隔離電壓,滿足加強絕緣

R3系列驅動電源產品基于自主IC設計平臺，隔離電壓高達5000VAC，遠優于市場上常規產品（3750VAC），且滿足加強絕緣設計要求，整體可靠性得到極大提升。

2、滿足1700VDC長期絕緣要求（使用1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET）

作為現階段主流的半導體器件，市面上IGBT/SiC MOSFET多為中低壓應用，應用電壓為650V/900V/1200V/1700V；R3系列驅動電源基于IEC-61800-5-1標準要求，實現長期絕緣電壓（持續放電）滿足1700V，應用范圍覆蓋1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET器件；其中QA_H-R3/QA_HC-R3更是滿足了爬電距離>14.14mm。

3、多項性能指標提升

        R3系列驅動電源相較于R1系列產品，整體性能也進行了優化提升

        <1>效率提升：80%→87%

        <2>紋波下降：75mVpp→50mVpp

        <3>強帶載能力：220uF→2200uF

        <4>靜電性能提升：±6kV→±8kV 

        <5>隔離電容降低：6.6pF→3.5pF

 產品應用

作為IGBT/SiC MOSFET用驅動電源，在產品應用上與IGBT/SiC MOSFET應用重合，可用于光伏逆變器、電機驅動、充電樁等多種場合中IGBT/SiC MOSFET器件的驅動；已光伏SVG系統為例，可配合驅動芯片來共同驅動后端的IGBT期間，實現系統的有效運行。

產品特點

● 隔離電壓5000VAC（滿足加強絕緣）

● 長期絕緣：1700VDC

● 效率高達87%

● 超小型SIP封裝

● 最大容性負載2200uF

● 超小隔離電容3.5pF(typ.)

● 工作溫度范圍：-40℃ to +105℃