北廣工頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀高壓電橋采用典型的西林電橋線路。C4橋臂在基本量程時(shí)，與R4橋臂并聯(lián)，測(cè)量數(shù)值為正損耗因數(shù)。結(jié)構(gòu)采用了雙層屏蔽。并通過(guò)輔橋的輔助平衡，消除寄生參數(shù)對(duì)電橋平衡的影響。輔橋由電位自動(dòng)電位跟蹤器與內(nèi)層屏蔽（S）組成。自動(dòng)跟蹤器由電子元器件組成。它在橋頂B處取一輸入電壓，通過(guò)放大后，在內(nèi)屏蔽（S）產(chǎn)生一個(gè)與B電位相等的電壓。當(dāng)電橋在平衡時(shí)，A,B,S三點(diǎn)電位必然相等，從而達(dá)到自動(dòng)跟蹤的目的。本電橋在平衡過(guò)程中，輔橋采用自動(dòng)電位跟蹤，在主橋平衡過(guò)程的同時(shí)，輔橋也自動(dòng)跟蹤始終處于平衡的狀態(tài)，用戶只要對(duì)主橋平衡進(jìn)行操作就能得到可靠的所需數(shù)據(jù)。同時(shí)也有效的抑制了電壓波動(dòng)對(duì)平衡所帶來(lái)的影響。在指零部分，采用了指針式電表指示，視覺(jué)直觀，分辨清楚，克服了以往振動(dòng)式檢流計(jì)的缺點(diǎn)。
北廣工頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀
計(jì)算公式
Cx=R4× Cn / R3 R4[Ω] R3[Ω] Cn[pF] Cx[pF]
tgδ=ω·R4·C4 R4[Ω] C4[F]
當(dāng)R4=10K/π
tgδ=C4
當(dāng)R4=1K/π
tgδ=0.1C4
我們采取相對(duì)固定R4電阻，分別調(diào)節(jié)R3和C4使橋跟平衡，從而測(cè)得試品的電容值Cx和介質(zhì)損耗tg。本電橋?yàn)榱酥弊x出損耗值，取電阻R4的阻值為角頻率（f=50Hz）若干倍。
公式說(shuō)明
.頻率對(duì)介質(zhì)損耗正公式：
本電橋額定的工作頻率f=50Hz，在實(shí)際工作頻率偏離額定頻率時(shí)可用修正式進(jìn)行修正：
tg=f’·tgδ / f
式中：f 為額定工作頻率（f=50Hz）
f’ 為實(shí)際工作頻率
tgδ 電橋測(cè)得損耗值
tgδ 為被測(cè)試品介質(zhì)損耗角正切的實(shí)際值
安全操作規(guī)程
- 本儀器必須有專人負(fù)責(zé)保管，使用，非專職操作者應(yīng)在使用前了解和熟悉本說(shuō)明書(shū)，以免造成不必要的損失和事故。
- 每次使用前應(yīng)仔細(xì)檢查接地線是否完好，確保以后方可通電使用。
- 接通電源前應(yīng)將靈敏度開(kāi)關(guān)調(diào)到低位置。
- 測(cè)量試品前應(yīng)先對(duì)試品進(jìn)行高壓試驗(yàn)，證明在電橋工作電壓下無(wú)噪聲，電離等現(xiàn)象出現(xiàn)，然后才能進(jìn)行測(cè)試（若試品己做過(guò)高壓試驗(yàn)，該項(xiàng)可不必每次測(cè)量都做）。
- 對(duì)試品施加高壓時(shí)緩慢升高，不可以加突變電壓。
- 測(cè)試時(shí)操作人員必須集中思想，工作前做好一切準(zhǔn)備工作，測(cè)試地點(diǎn)周圍應(yīng)有明顯的標(biāo)記或金屬屏蔽圍成高壓危險(xiǎn)區(qū)，以防止非操作人員闖入。
- 在測(cè)量過(guò)程中，如有放電管發(fā)光時(shí)，則必須及時(shí)切斷電源，仔細(xì)檢查接線及試品都無(wú)擊穿，待檢查排除故障后，再進(jìn)行高壓測(cè)量工作。
電橋的特點(diǎn)；
l橋體內(nèi)附電位跟蹤器及指零儀，外圍接線及少。
l電橋采用接觸電阻小，機(jī)械壽命長(zhǎng)的十進(jìn)開(kāi)關(guān)，保證測(cè)量的穩(wěn)定性
l儀器具有雙屏蔽，能有效防止外部電磁場(chǎng)的干擾。
l儀器內(nèi)部電阻及電容元件經(jīng)特殊老化處理，使儀器技術(shù)性能穩(wěn)定可靠。
l內(nèi)附高壓電源精度3%
l內(nèi)附標(biāo)準(zhǔn)電容損耗﹤0.00005，名義值100pF
- 技術(shù)指標(biāo)測(cè)量范圍及誤差
本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃，相對(duì)濕度為30%-80%條件下，應(yīng)滿足下列表中的技術(shù)指示要求。
在Cn=100 pF R4=3183.2（Ω）時(shí)
測(cè)量項(xiàng)目
測(cè)量范圍
測(cè)量誤差
電容量Cx
40pF—20000pF
±0.5% Cx±2pF
介損損耗tgδ
0-1
±1.5% tgδx±0.0001
在Cn=100 pF R4=318.3（Ω）時(shí)
測(cè)量項(xiàng)目
測(cè)量范圍
測(cè)量誤差
電容量Cx
4pF—2000pF
±0.5% Cx±3pF
介損損耗tgδ
0-0.1
±1.5% tgδx±0.0001
