ASTD150介電常數(shù)測(cè)定儀介質(zhì)損耗：絕緣材料在電場(chǎng)作用下，由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng)，在其內(nèi)部引起的能量損耗。也叫介質(zhì)損失，簡(jiǎn)稱介損。在交變電場(chǎng)作用下，電介質(zhì)內(nèi)流過的電流相量和電壓相量之間的夾角（功率因數(shù)角Φ）的余角δ稱為介質(zhì)損耗角。
常用的檢測(cè)方法標(biāo)準(zhǔn)有：GB/T 1409 測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長(zhǎng)在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
GB/T 1693 硫化橡膠 介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值的測(cè)定方法
GB/T 21216 絕緣液體 測(cè)量電導(dǎo)和電容確定介質(zhì)損耗因數(shù)的試驗(yàn)方法
ASTM D150 固體電絕緣材料的交流損耗特性及介電常數(shù)的試驗(yàn)方法
ASTD150介電常數(shù)測(cè)定儀1、環(huán)境溫度：0℃～+40℃； 
2、相對(duì)濕度：<80％；
3、電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。
4、消耗功率：約25W；
5、凈重：約7kg；
6、外型尺寸：（長(zhǎng)寬高）：380×280×132（mm）
4． 自動(dòng)掃描被測(cè)件諧振點(diǎn)，標(biāo)頻單鍵設(shè)置和鎖定，大大提高測(cè)試速度1．Q值測(cè)量
a．Q值測(cè)量范圍：2～1023。
b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。
c．標(biāo)稱誤差
頻率范圍20kHz～10MHz；
固有誤差5％滿度值的2％；
工作誤差7％滿度值的2％；
頻率范圍10MHz～60MHz；
固有誤差6％;滿度值的2％；
工作誤差8％;滿度值的2％。
2．電感測(cè)量范圍：14.5nH~8.14H
3．電容測(cè)量：1~ 460
直接測(cè)量范圍1～460pF
主電容調(diào)節(jié)范圍30～500pF150pF以下±1.5pF；
準(zhǔn)確度150pF以上±1％
注：大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見使用規(guī)則
4．信號(hào)源頻率覆蓋范圍
頻率范圍10kHz～50MHz
頻率分段（虛擬）
10～99.9999kHz
100～999.999kHz
1～9.99999MHz
10～60MHz
頻率指示誤差3times;10-5plusmn;1個(gè)字
陶瓷材料的介質(zhì)損耗主要來源于電導(dǎo)損耗、松弛質(zhì)點(diǎn)的極化損耗和結(jié)構(gòu)損耗。此外，表面氣孔吸附水分、油污及灰塵等造成的表面電導(dǎo)也會(huì)引起較大的損耗。
在結(jié)構(gòu)緊密的陶瓷中，介質(zhì)損耗主要來源于玻璃相。為了改善某些陶瓷的工藝性能，往往在配方中引人此易熔物質(zhì)（如黏土），形成玻璃相，這樣就使損耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷隨黏土含量增大，介質(zhì)損耗也增大。因面一般高頻瓷，如氧化鋁瓷、金紅石等很少含有玻璃相。大多數(shù)電陶瓷的離子松弛極化損耗較大，主要的原因是：主晶相結(jié)構(gòu)松散，生成了缺固濟(jì)體、多品型轉(zhuǎn)變等。
漏導(dǎo)損耗
實(shí)際使用中的絕緣材料都不是完善的理想的電介質(zhì)，在外電場(chǎng)的作用下，總有一些帶電粒子會(huì)發(fā)生移動(dòng)而引起微弱的電流，這種微小電流稱為漏導(dǎo)電流，漏導(dǎo)電流流經(jīng)介質(zhì)時(shí)使介質(zhì)發(fā)熱而損耗了電能。這種因電導(dǎo)而引起的介質(zhì)損耗稱為“漏導(dǎo)損耗”。由于實(shí)阿的電介質(zhì)總存在一些缺陷，或多或少存在一些帶電粒子或空位，因此介質(zhì)不論在直流電場(chǎng)或交變電場(chǎng)作用下都會(huì)發(fā)生漏導(dǎo)損耗
電極規(guī)格
固體：材料測(cè)量直徑Φ38mm 可選；厚度可調(diào) ≥ 15mm
液體：測(cè)量極片直徑 Φ38mm； 液體杯內(nèi)徑Φ48mm 、深7mm（選配）
粉體：測(cè)量極片直徑 Φ38mm； 液體杯內(nèi)徑Φ48mm 、深7mm（選配）
試樣要求：固體樣品厚度要求：0.5-15MM
產(chǎn)品配置：
1、測(cè)試主機(jī)：一臺(tái)
2、測(cè)試電感：9個(gè)
3、測(cè)試夾具：1套
