性能指標
加速電壓: 200 KV; 電子槍:肖特基熱場發射超亮電子槍; TEM點分辨率:0.25 nm; TEM信息分辨率: 0.12 nm; STEM分辨率: 0.16 nm; 樣品傾斜角度X/Y:±30°; 能譜能量分辨率:136 ev; 元素檢測范圍:B~U元素。
主要應用
1. 對各種材料內部微結構進行觀察; 2. 粉末、納米顆粒形貌和粒徑觀察; 3. 選區電子衍射和晶體結構分析; 4. 金屬、陶瓷、半導體、塑料、等顯微結構分析; 5. 配合能譜儀可以對樣品元素做面分布分析,以及各種元素進行定性和半定量微區分析,元素檢測范圍:B~U元素; 6. 利用三維樣品桿可以實現TEM、STEM和EDS三維重構。
樣品要求
1. 透射電鏡不能直接觀察所有含有鐵鈷鎳元素的樣品,請做如下處理,否則不予以觀察:粉末樣品請包埋切片,塊體樣品請FIB切片; 2. 透射電鏡能夠觀察200nm以下的樣品; 3. 對于粉末和液體樣品,要求樣品均勻分散在支持膜上并且干燥,能夠區分正反面; 4. 對于塊體樣品,要求樣品大小為直徑3mm的圓,厚度小于200nm; 5. 高分辨樣品要求厚度小于10nm。
儀器說明
1. FEI Talos F200X 場發射透射電鏡的電子槍為肖特基熱場發射超亮電子槍,STEM 分辨率可以達到0.16nm。 2. 配備4個SDD探頭的超級能譜集成到了透射電鏡的極靴里面,對稱地放在樣品的上方,可以高效率探測到微量元素,以及材料成分在一維,二維,甚至三維空間的分布信息。 3. Talos F200X 還安裝了STEM明場和暗場探頭,可以同時得到STEM的明場像和暗場像以及髙角環形暗場像(HAADF)。