產品特點:
- 30-80度連續可變入射角
- 0.4-46微米入射深度,適合深度剖析,如多層膜、鍍層分析
- 20mm大尺寸晶體,非常適合硅片或金屬基底表面的單層膜、超薄膜分析,相比于鏡面反射,靈敏度可提高1-2數量級
- 結合電化學池用于紅外光譜電化學研究
- *的光通量,以最短的掃描時間提供的光譜質量,提高檢出限
- 可選ZnSe/Ge/Si/ZnS晶體
- 可作為變角鏡面反射附件使用
- 預留偏振片位置,可選配手動或自動偏振片
- 可選配自動版,軟件調節入射角
- 可加熱晶體盤,溫度至130℃